Популярные запросы ATMEGAS128-MD-HP 900-5G190-2270-000 900-5G192-2571-000 900-5G192-2270-000 NANO120SE3AN BF24TFREDUPS M378A1K43CB2-CTD 900-5G132-2240-000 MMF404326 CONNECTOR-GX12-4

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
IRFP450LC MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 Vishay Siliconix	7,572	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-247-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	14A (Tc)	10V	400mOhm @ 8.4A, 10V	4V @ 250µA	74 nC @ 10 V	±30V	2200 pF @ 25 V	-	190W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AC
IRFP460LC MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Vishay Siliconix	4,966	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	20A (Tc)	10V	270mOhm @ 12A, 10V	4V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±30V	3600 pF @ 25 V	-	280W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AC
IRFL4105 MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 Infineon Technologies	8,116	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-261-4, TO-261AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	3.7A (Ta)	10V	45mOhm @ 3.7A, 10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	660 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	SOT-223
IRF5305STRR MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK Infineon Technologies	7,682	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	31A (Tc)	10V	60mOhm @ 16A, 10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRF3706S MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK Infineon Technologies	4,061	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	77A (Tc)	2.8V, 10V	8.5mOhm @ 15A, 10V	2V @ 250µA	35 nC @ 4.5 V	±12V	2410 pF @ 10 V	-	88W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRFS17N20D MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK Infineon Technologies	3,261	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	16A (Tc)	10V	170mOhm @ 9.8A, 10V	5.5V @ 250µA	50 nC @ 10 V	±30V	1100 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRFSL31N20D MOSFET N-CH 200V 31A TO262 Infineon Technologies	2,123	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	31A (Tc)	10V	82mOhm @ 18A, 10V	5.5V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±30V	2370 pF @ 25 V	-	3.1W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-262
IRL2703S MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK Infineon Technologies	6,832	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	24A (Tc)	4.5V, 10V	40mOhm @ 14A, 10V	1V @ 250µA	15 nC @ 4.5 V	±16V	450 pF @ 25 V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRLR8503 MOSFET N-CH 30V 44A DPAK Infineon Technologies	9,790	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	44A (Tc)	4.5V, 10V	16mOhm @ 15A, 10V	3V @ 250µA	20 nC @ 5 V	±20V	1650 pF @ 25 V	-	62W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRFU18N15D MOSFET N-CH 150V 18A IPAK Infineon Technologies	2,456	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150 V	18A (Tc)	10V	125mOhm @ 11A, 10V	5.5V @ 250µA	43 nC @ 10 V	±30V	900 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	IPAK (TO-251AA)
IRFL1006 MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 Infineon Technologies	4,909	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-261-4, TO-261AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	1.6A (Ta)	10V	220mOhm @ 1.6A, 10V	4V @ 250µA	8 nC @ 10 V	±20V	160 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	SOT-223
IRL3215 MOSFET N-CH 150V 12A TO220AB Infineon Technologies	7,180	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150 V	12A (Tc)	4V, 10V	166mOhm @ 7.2A, 10V	2V @ 250µA	35 nC @ 5 V	±16V	775 pF @ 25 V	-	80W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRF3706 MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB Infineon Technologies	3,171	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	77A (Tc)	2.8V, 10V	8.5mOhm @ 15A, 10V	2V @ 250µA	35 nC @ 4.5 V	±12V	2410 pF @ 10 V	-	88W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRF3205L MOSFET N-CH 55V 110A TO262 Infineon Technologies	8,316	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	110A (Tc)	10V	8mOhm @ 62A, 10V	4V @ 250µA	146 nC @ 10 V	±20V	3247 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-262
IRF530NL MOSFET N-CH 100V 17A TO262 Infineon Technologies	6,069	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	17A (Tc)	10V	90mOhm @ 9A, 10V	4V @ 250µA	37 nC @ 10 V	±20V	920 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 70W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-262
IRF730AL MOSFET N-CH 400V 5.5A I2PAK Vishay Siliconix	3,398	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Bulk	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	400 V	5.5A (Tc)	10V	1Ohm @ 3.3A, 10V	4.5V @ 250µA	22 nC @ 10 V	±30V	600 pF @ 25 V	-	74W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	I2PAK
IRFZ24NL MOSFET N-CH 55V 17A TO262 Infineon Technologies	4,781	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	17A (Tc)	10V	70mOhm @ 10A, 10V	4V @ 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	370 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-262
IRFZ44EL MOSFET N-CH 60V 48A TO262 Infineon Technologies	3,713	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	48A (Tc)	10V	23mOhm @ 29A, 10V	4V @ 250µA	60 nC @ 10 V	±20V	1360 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-262
IRL2505L MOSFET N-CH 55V 104A TO262 Infineon Technologies	2,221	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	104A (Tc)	4V, 10V	8mOhm @ 54A, 10V	2V @ 250µA	130 nC @ 5 V	±16V	5000 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-262
IRFI9634G MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3 Vishay Siliconix	5,967	-	Запрос цены	-	-	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Tube	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	250 V	4.1A (Tc)	10V	1Ohm @ 2.5A, 10V	4V @ 250µA	38 nC @ 10 V	±20V	680 pF @ 25 V	-	35W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220-3