Популярные запросы 900-5G190-2270-000 900-5G192-2571-000 900-5G192-2270-000 NANO120SE3AN BF24TFREDUPS M378A1K43CB2-CTD 900-5G132-2240-000 MMF404326 CONNECTOR-GX12-4 900-5G132-2560-000

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
IRL640 MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB Vishay Siliconix	4,376	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	17A (Tc)	4V, 5V	180mOhm @ 10A, 5V	2V @ 250µA	66 nC @ 5 V	±10V	1800 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRLI520G MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3 Vishay Siliconix	5,089	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	7.2A (Tc)	4V, 5V	270mOhm @ 4.3A, 5V	2V @ 250µA	12 nC @ 5 V	±10V	490 pF @ 25 V	-	37W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220-3
IRLIZ44G MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3 Vishay Siliconix	2,319	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	30A (Tc)	4V, 5V	28mOhm @ 18A, 5V	2V @ 250µA	66 nC @ 5 V	±10V	3300 pF @ 25 V	-	48W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220-3
94-3316 MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 Infineon Technologies	2,326	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-261-4, TO-261AA	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	2A (Ta)	-	140mOhm @ 2A, 10V	2V @ 250µA	14 nC @ 10 V	-	230 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	Surface Mount	SOT-223
IRLML5103TR MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 Infineon Technologies	2,675	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Cut Tape (CT)	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	760mA (Ta)	4.5V, 10V	600mOhm @ 600mA, 10V	1V @ 250µA	5.1 nC @ 10 V	±20V	75 pF @ 25 V	-	540mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Surface Mount	SOT-23-3 (TO-236)
IRLML6302TR MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 Infineon Technologies	4,399	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Cut Tape (CT)	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	780mA (Ta)	2.7V, 4.5V	600mOhm @ 610mA, 4.5V	1.5V @ 250µA	3.6 nC @ 4.45 V	±12V	97 pF @ 15 V	-	540mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Surface Mount	SOT-23-3 (TO-236)
IRLMS1503TR MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP Infineon Technologies	3,969	-	Запрос цены	Технический лист	-	SOT-23-6	Cut Tape (CT)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	3.2A (Ta)	-	100mOhm @ 2.2A, 10V	1V @ 250µA	9.6 nC @ 10 V	-	210 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	Surface Mount	Micro6™(TSOP-6)
IRLMS6802TR MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP Infineon Technologies	4,650	-	Запрос цены	Технический лист	-	SOT-23-6	Cut Tape (CT)	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	5.6A (Ta)	-	50mOhm @ 5.1A, 4.5V	1.2V @ 250µA	16 nC @ 5 V	-	1079 pF @ 10 V	-	-	-	-	-	Surface Mount	Micro6™(SOT23-6)
IRLR014TR MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Vishay Siliconix	9,342	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	7.7A (Tc)	4V, 5V	200mOhm @ 4.6A, 5V	2V @ 250µA	8.4 nC @ 5 V	±10V	400 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	DPAK
IRLR024 MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Vishay Siliconix	6,763	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	14A (Tc)	4V, 5V	100mOhm @ 8.4A, 5V	2V @ 250µA	18 nC @ 5 V	±10V	870 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	DPAK
IRLR024TR MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Vishay Siliconix	3,787	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	14A (Tc)	4V, 5V	100mOhm @ 8.4A, 5V	2V @ 250µA	18 nC @ 5 V	±10V	870 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	DPAK
IRLR110 MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Vishay Siliconix	4,645	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	4.3A (Tc)	4V, 5V	540mOhm @ 2.6A, 5V	2V @ 250µA	6.1 nC @ 5 V	±10V	250 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	DPAK
IRLR110TR MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Vishay Siliconix	9,867	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	4.3A (Tc)	4V, 5V	540mOhm @ 2.6A, 5V	2V @ 250µA	6.1 nC @ 5 V	±10V	250 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	DPAK
IRLR120 MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK Vishay Siliconix	9,401	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	7.7A (Tc)	4V, 5V	270mOhm @ 4.6A, 5V	2V @ 250µA	12 nC @ 5 V	±10V	490 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	DPAK
IRLU014 MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA Vishay Siliconix	7,404	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	7.7A (Tc)	4V, 5V	200mOhm @ 4.6A, 5V	2V @ 250µA	8.4 nC @ 5 V	±10V	400 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-251AA
IRLU3303 MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK Infineon Technologies	6,816	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	35A (Tc)	4.5V, 10V	31mOhm @ 21A, 10V	1V @ 250µA	26 nC @ 4.5 V	±16V	870 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	IPAK
IRLZ44 MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB Vishay Siliconix	9,868	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	50A (Tc)	4V, 5V	28mOhm @ 31A, 5V	2V @ 250µA	66 nC @ 5 V	±10V	3300 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRLZ44NSTRR MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Infineon Technologies	2,893	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	47A (Tc)	4V, 10V	22mOhm @ 25A, 10V	2V @ 250µA	48 nC @ 5 V	±16V	1700 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
SI3443DVTR MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP Infineon Technologies	6,862	-	Запрос цены	Технический лист	-	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Cut Tape (CT)	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	4.4A (Ta)	-	65mOhm @ 4.4A, 4.5V	1.5V @ 250µA	15 nC @ 4.5 V	-	1079 pF @ 10 V	-	-	-	-	-	Surface Mount	Micro6™(TSOP-6)
IRFI9Z24G MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220-3 Vishay Siliconix	7,632	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Tube	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	8.5A (Tc)	10V	280mOhm @ 5.1A, 10V	4V @ 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	570 pF @ 25 V	-	37W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220-3