Популярные запросы 2101504-1 900-5G132-2540-000 MRFE6VS25GNR1 900-5G133-2250-000 900-5G133-2550-000 900-5G133-2240-000 900-5G195-2250-000 FSI-130-10-LM-D-M-AD-P-TR MBRB1040-TP XC6220B33BPR-G

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
IRF7324D1TR MOSFET P-CH 20V 2.2A 8SO Infineon Technologies	4,679	-	Запрос цены	Технический лист	FETKY™	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Tape & Reel (TR)	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	2.2A (Ta)	2.7V, 4.5V	270mOhm @ 1.2A, 4.5V	700mV @ 250µA (Min)	7.8 nC @ 4.5 V	±12V	260 pF @ 15 V	Schottky Diode (Isolated)	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	8-SO
IRF7402TR MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO Infineon Technologies	8,557	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	6.8A (Ta)	2.7V, 4.5V	35mOhm @ 4.1A, 4.5V	700mV @ 250µA (Min)	22 nC @ 4.5 V	±12V	650 pF @ 15 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	8-SO
IRF740LCL MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK Vishay Siliconix	2,746	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	400 V	10A (Tc)	10V	550mOhm @ 6A, 10V	4V @ 250µA	39 nC @ 10 V	±30V	1100 pF @ 25 V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	I2PAK
IRF740LCSTRL MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK Vishay Siliconix	2,060	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	400 V	10A (Tc)	10V	550mOhm @ 6A, 10V	4V @ 250µA	39 nC @ 10 V	±30V	1100 pF @ 25 V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-263 (D2PAK)
IRF7452TR MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO Infineon Technologies	8,065	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	4.5A (Ta)	10V	60mOhm @ 2.7A, 10V	5.5V @ 250µA	50 nC @ 10 V	±30V	930 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	8-SO
IRF7463TR MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Infineon Technologies	8,143	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	14A (Ta)	2.7V, 10V	8mOhm @ 14A, 10V	2V @ 250µA	51 nC @ 4.5 V	±12V	3150 pF @ 15 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	8-SO
IRF7466TR MOSFET N-CH 30V 11A 8SO Infineon Technologies	6,520	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	11A (Ta)	4.5V, 10V	12.5mOhm @ 11A, 10V	3V @ 250µA	23 nC @ 4.5 V	±20V	2100 pF @ 15 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	8-SO
IRF7467TR MOSFET N-CH 30V 11A 8SO Infineon Technologies	6,172	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	11A (Ta)	2.8V, 10V	12mOhm @ 11A, 10V	2V @ 250µA	32 nC @ 4.5 V	±12V	2530 pF @ 15 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	8-SO
IRF820ASTRR MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Vishay Siliconix	9,301	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	2.5A (Tc)	10V	3Ohm @ 1.5A, 10V	4.5V @ 250µA	17 nC @ 10 V	±30V	340 pF @ 25 V	-	50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-263 (D2PAK)
IRF9510L MOSFET P-CH 100V 4A I2PAK Vishay Siliconix	9,991	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Active	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	4A (Tc)	10V	1.2Ohm @ 2.4A, 10V	4V @ 250µA	8.7 nC @ 10 V	±20V	200 pF @ 25 V	-	-	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	I2PAK
IRF9520L MOSFET P-CH 100V 6.8A I2PAK Vishay Siliconix	4,051	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Active	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	6.8A (Tc)	10V	600mOhm @ 4.1A, 10V	4V @ 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	390 pF @ 25 V	-	-	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	I2PAK
IRF9520NSTRL MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK Infineon Technologies	4,285	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	6.8A (Tc)	10V	480mOhm @ 4A, 10V	4V @ 250µA	27 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 48W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRF9530L MOSFET P-CH 100V 12A I2PAK Vishay Siliconix	7,270	-	Запрос цены	-	-	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Active	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	12A (Tc)	10V	300mOhm @ 7.2A, 10V	4V @ 250µA	38 nC @ 10 V	±20V	860 pF @ 25 V	-	-	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	I2PAK
IRF9540L MOSFET P-CH 100V 19A I2PAK Vishay Siliconix	5,494	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Active	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	19A (Tc)	10V	200mOhm @ 11A, 10V	4V @ 250µA	61 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 25 V	-	-	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	I2PAK
IRF9540STRR MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK Vishay Siliconix	3,664	-	Запрос цены	-	-	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Active	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	19A (Tc)	10V	200mOhm @ 11A, 10V	4V @ 250µA	61 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 25 V	-	3.7W (Ta), 150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-263 (D2PAK)
IRF9610STRL MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK Vishay Siliconix	7,837	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Active	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	1.8A (Tc)	10V	3Ohm @ 900mA, 10V	4V @ 250µA	11 nC @ 10 V	±20V	170 pF @ 25 V	-	3W (Ta), 20W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-263 (D2PAK)
IRF9610STRR MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK Vishay Siliconix	2,194	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Active	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	1.8A (Tc)	10V	3Ohm @ 900mA, 10V	4V @ 250µA	11 nC @ 10 V	±20V	170 pF @ 25 V	-	3W (Ta), 20W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-263 (D2PAK)
IRF9620L MOSFET P-CH 200V 3.5A I2PAK Vishay Siliconix	9,461	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Active	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	3.5A (Tc)	10V	1.5Ohm @ 1.5A, 10V	4V @ 250µA	22 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	I2PAK
IRF9Z24NSTRR MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK Infineon Technologies	6,721	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	12A (Tc)	10V	175mOhm @ 7.2A, 10V	4V @ 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRF9Z34NSTRR MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Infineon Technologies	3,224	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	19A (Tc)	10V	100mOhm @ 10A, 10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	620 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK