Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IRF3515S

IRF3515S

MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK

Infineon Technologies

6,795
IRF3515S

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 41A (Tc) 10V 45mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 250µA 107 nC @ 10 V ±30V 2260 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF540

IRF540

MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB

Vishay Siliconix

5,533
IRF540

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 28A (Tc) 10V 77mOhm @ 17A, 10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF644

IRF644

MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB

Vishay Siliconix

5,279
IRF644

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 14A (Tc) 10V 280mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF7321D2

IRF7321D2

MOSFET P-CH 30V 4.7A 8SO

Infineon Technologies

7,795
IRF7321D2

Технический лист

FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.7A (Ta) 4.5V, 10V 62mOhm @ 4.9A, 10V 1V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 710 pF @ 25 V Schottky Diode (Isolated) 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF734

IRF734

MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220AB

Vishay Siliconix

5,138
IRF734

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 450 V 4.9A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 2.9A, 10V 4V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 680 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF7353D1TR

IRF7353D1TR

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO

Infineon Technologies

8,306
IRF7353D1TR

Технический лист

FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.5A (Ta) 4.5V, 10V 32mOhm @ 5.8A, 10V 1V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V 650 pF @ 25 V Schottky Diode (Isolated) 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF740A

IRF740A

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB

Vishay Siliconix

8,118
IRF740A

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 10A (Tc) 10V 550mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±30V 1030 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF7455

IRF7455

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

Infineon Technologies

5,672
IRF7455

Технический лист

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 15A (Ta) 2.8V, 10V 7.5mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 56 nC @ 5 V ±12V 3480 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7603TR

IRF7603TR

MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8

Infineon Technologies

2,007
IRF7603TR

Технический лист

- 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.6A (Ta) - 35mOhm @ 3.7A, 10V 1V @ 250µA 27 nC @ 10 V - 520 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount Micro8™
IRF7604TR

IRF7604TR

MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8

Infineon Technologies

7,018
IRF7604TR

Технический лист

- 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.6A (Ta) - 90mOhm @ 2.4A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 20 nC @ 4.5 V - 590 pF @ 15 V - - - - - Surface Mount Micro8™
IRF7663TR

IRF7663TR

MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8

Infineon Technologies

3,071
IRF7663TR

Технический лист

- 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 8.2A (Ta) - 20mOhm @ 7A, 4.5V 1.2V @ 250µA 45 nC @ 5 V - 2520 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount Micro8™
IRF7807D1

IRF7807D1

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

Infineon Technologies

8,301
IRF7807D1

Технический лист

FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.3A (Ta) 4.5V 25mOhm @ 7A, 4.5V 1V @ 250µA 17 nC @ 5 V ±12V - Schottky Diode (Isolated) 2.5W (Tc) - - - Surface Mount 8-SO
IRF7811A

IRF7811A

MOSFET N-CH 28V 11A 8SO

Infineon Technologies

6,292
IRF7811A

Технический лист

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28 V 11A (Ta) 4.5V 10mOhm @ 11A, 10V 3V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V ±12V 1760 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF7811ATR

IRF7811ATR

MOSFET N-CH 28V 11A 8SO

Infineon Technologies

4,557
IRF7811ATR

Технический лист

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28 V 11A (Ta) 4.5V 10mOhm @ 11A, 10V 3V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V ±12V 1760 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF830A

IRF830A

MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB

Vishay Siliconix

9,909
IRF830A

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 3A, 10V 4.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±30V 620 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF840A

IRF840A

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

Vishay Siliconix

9,875
IRF840A

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 1018 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF840LC

IRF840LC

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

Vishay Siliconix

9,647
IRF840LC

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF9Z20

IRF9Z20

MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB

Vishay Siliconix

8,612
IRF9Z20

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 9.7A (Tc) 10V 280mOhm @ 5.6A, 10V 4V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 480 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF9Z30

IRF9Z30

MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB

Vishay Siliconix

4,118
IRF9Z30

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 18A (Tc) 10V 140mOhm @ 9.3A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 900 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFB11N50A

IRFB11N50A

MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB

Vishay Siliconix

8,756
IRFB11N50A

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 11A (Tc) 10V 520mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±30V 1423 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.