Популярные запросы MMF404326 CONNECTOR-GX12-4 900-5G132-2560-000 900-5G190-2570-000 900-5G132-2260-000 FT100-950 9,5/4,8 tr 2101504-1 900-5G132-2540-000 MRFE6VS25GNR1 900-5G133-2250-000

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
IRFB9N60A MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB Vishay Siliconix	5,427	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600 V	9.2A (Tc)	10V	750mOhm @ 5.5A, 10V	4V @ 250µA	49 nC @ 10 V	±30V	1400 pF @ 25 V	-	170W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRFBC30A MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB Vishay Siliconix	6,865	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600 V	3.6A (Tc)	10V	2.2Ohm @ 2.2A, 10V	4.5V @ 250µA	23 nC @ 10 V	±30V	510 pF @ 25 V	-	74W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRFBC40 MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB Vishay Siliconix	8,045	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600 V	6.2A (Tc)	10V	1.2Ohm @ 3.7A, 10V	4V @ 250µA	60 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRFD024 MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP Vishay Siliconix	9,631	-	Запрос цены	Технический лист	-	4-DIP (0.300", 7.62mm)	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	2.5A (Ta)	10V	100mOhm @ 1.5A, 10V	4V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	640 pF @ 25 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	4-HVMDIP
IRFD224 MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP Vishay Siliconix	6,019	-	Запрос цены	Технический лист	-	4-DIP (0.300", 7.62mm)	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	250 V	630mA (Ta)	10V	1.1Ohm @ 380mA, 10V	4V @ 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	260 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	4-HVMDIP
IRFD9010 MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP Vishay Siliconix	7,203	-	Запрос цены	Технический лист	-	4-DIP (0.300", 7.62mm)	Tube	Active	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	50 V	1.1A (Tc)	10V	500mOhm @ 580mA, 10V	4V @ 250µA	11 nC @ 10 V	±20V	240 pF @ 25 V	-	1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	4-HVMDIP
IRFD9024 MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP Vishay Siliconix	7,957	-	Запрос цены	Технический лист	-	4-DIP (0.300", 7.62mm)	Tube	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	1.6A (Ta)	10V	280mOhm @ 960mA, 10V	4V @ 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	570 pF @ 25 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	4-HVMDIP
IRFI510G MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220-3 Vishay Siliconix	8,180	-	Запрос цены	-	-	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	4.5A (Tc)	10V	540mOhm @ 2.7A, 10V	4V @ 250µA	8.3 nC @ 10 V	±20V	180 pF @ 25 V	-	27W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220-3
IRFI540G MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3 Vishay Siliconix	7,026	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	17A (Tc)	10V	77mOhm @ 10A, 10V	4V @ 250µA	72 nC @ 10 V	±20V	1700 pF @ 25 V	-	48W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220-3
IRFI640G MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3 Vishay Siliconix	8,594	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	9.8A (Tc)	10V	180mOhm @ 5.9A, 10V	4V @ 250µA	70 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	40W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220-3
IRFI644G MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3 Vishay Siliconix	3,890	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	250 V	7.9A (Tc)	10V	280mOhm @ 4.7A, 10V	4V @ 250µA	68 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	40W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220-3
IRFI720G MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220-3 Vishay Siliconix	7,669	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	400 V	2.6A (Tc)	10V	1.8Ohm @ 1.6A, 10V	4V @ 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	410 pF @ 25 V	-	30W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220-3
IRFI820G MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3 Vishay Siliconix	8,677	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	2.1A (Tc)	10V	3Ohm @ 1.3A, 10V	4V @ 250µA	24 nC @ 10 V	±20V	360 pF @ 25 V	-	30W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220-3
IRFI9530G MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220-3 Vishay Siliconix	2,377	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Tube	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	7.7A (Tc)	10V	300mOhm @ 4.6A, 10V	4V @ 250µA	38 nC @ 10 V	±20V	860 pF @ 25 V	-	42W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220-3
IRFI9540G MOSFET P-CH 100V 11A TO220-3 Vishay Siliconix	7,855	-	Запрос цены	-	-	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Tube	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	11A (Tc)	10V	200mOhm @ 6.6A, 10V	4V @ 250µA	61 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 25 V	-	48W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220-3
IRFI9Z34G MOSFET P-CH 60V 12A TO220-3 Vishay Siliconix	6,144	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Tube	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	12A (Tc)	10V	140mOhm @ 7.2A, 10V	4V @ 250µA	34 nC @ 10 V	±20V	1100 pF @ 25 V	-	42W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220-3
IRFIB5N65A MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3 Vishay Siliconix	5,156	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	650 V	5.1A (Tc)	10V	930mOhm @ 3.1A, 10V	4V @ 250µA	48 nC @ 10 V	±30V	1417 pF @ 25 V	-	60W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220-3
IRFIBC30G MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3 Vishay Siliconix	5,350	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600 V	2.5A (Tc)	10V	2.2Ohm @ 1.5A, 10V	4V @ 250µA	31 nC @ 10 V	±20V	660 pF @ 25 V	-	35W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220-3
IRFIBC40G MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3 Vishay Siliconix	9,282	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600 V	3.5A (Tc)	10V	1.2Ohm @ 2.1A, 10V	4V @ 250µA	60 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	40W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220-3
IRFP054 MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3 Vishay Siliconix	4,358	-	Запрос цены	-	-	TO-247-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	70A (Tc)	10V	14mOhm @ 54A, 10V	4V @ 250µA	160 nC @ 10 V	±20V	4500 pF @ 25 V	-	230W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AC