Популярные запросы 900-5G190-2270-000 900-5G192-2571-000 900-5G192-2270-000 NANO120SE3AN BF24TFREDUPS M378A1K43CB2-CTD 900-5G132-2240-000 MMF404326 CONNECTOR-GX12-4 900-5G132-2560-000

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
IRFP064 MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3 Vishay Siliconix	7,948	-	Запрос цены	-	-	TO-247-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	70A (Tc)	10V	9mOhm @ 78A, 10V	4V @ 250µA	190 nC @ 10 V	±20V	7400 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AC
IRFP150 MOSFET N-CH 100V 41A TO247-3 Vishay Siliconix	8,664	-	Запрос цены	-	-	TO-247-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	41A (Tc)	10V	55mOhm @ 25A, 10V	4V @ 250µA	140 nC @ 10 V	±20V	2800 pF @ 25 V	-	230W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AC
IRFP254 MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3 Vishay Siliconix	9,479	-	Запрос цены	-	-	TO-247-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	250 V	23A (Tc)	10V	140mOhm @ 14A, 10V	4V @ 250µA	140 nC @ 10 V	±20V	2700 pF @ 25 V	-	190W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AC
IRFP354 MOSFET N-CH 450V 14A TO247-3 Vishay Siliconix	3,401	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	450 V	14A (Tc)	10V	350mOhm @ 8.4A, 10V	4V @ 250µA	160 nC @ 10 V	±20V	2700 pF @ 25 V	-	190W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AC
IRFP448 MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3 Vishay Siliconix	2,570	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-247-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	11A (Tc)	10V	600mOhm @ 6.6A, 10V	4V @ 250µA	84 nC @ 10 V	±20V	1900 pF @ 25 V	-	180W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AC
IRFP450A MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 Vishay Siliconix	8,646	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-247-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	14A (Tc)	10V	400mOhm @ 8.4A, 10V	4V @ 250µA	64 nC @ 10 V	±30V	2038 pF @ 25 V	-	190W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AC
IRFP460A MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Vishay Siliconix	9,522	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-247-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	20A (Tc)	10V	270mOhm @ 12A, 10V	4V @ 250µA	105 nC @ 10 V	±30V	3100 pF @ 25 V	-	280W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AC
IRFPC40 MOSFET N-CH 600V 6.8A TO247-3 Vishay Siliconix	3,673	-	Запрос цены	-	-	TO-247-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600 V	6.8A (Tc)	10V	1.2Ohm @ 4.1A, 10V	4V @ 250µA	60 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AC
IRFPC60 MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3 Vishay Siliconix	3,800	-	Запрос цены	-	-	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600 V	16A (Tc)	10V	400mOhm @ 9.6A, 10V	4V @ 250µA	210 nC @ 10 V	±20V	3900 pF @ 25 V	-	280W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AC
IRFR3303TR MOSFET N-CH 30V 33A DPAK Infineon Technologies	5,982	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	33A (Tc)	10V	31mOhm @ 18A, 10V	4V @ 250µA	29 nC @ 10 V	±20V	750 pF @ 25 V	-	57W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRFU9120N MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK Infineon Technologies	8,508	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	6.6A (Tc)	10V	480mOhm @ 3.9A, 10V	4V @ 250µA	27 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	40W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	IPAK (TO-251AA)
IRFZ30 MOSFET N-CH 50V 30A TO220AB Vishay Siliconix	6,597	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	50 V	30A (Tc)	10V	50mOhm @ 16A, 10V	4V @ 250µA	30 nC @ 10 V	±20V	1600 pF @ 25 V	-	74W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRFZ34 MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB Vishay Siliconix	5,462	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	30A (Tc)	10V	50mOhm @ 18A, 10V	4V @ 250µA	46 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	88W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRFZ40 MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB Vishay Siliconix	5,518	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	50A (Tc)	10V	28mOhm @ 31A, 10V	4V @ 250µA	67 nC @ 10 V	±20V	1900 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRL2505S MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK Infineon Technologies	9,206	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	104A (Tc)	4V, 10V	8mOhm @ 54A, 10V	2V @ 250µA	130 nC @ 5 V	±16V	5000 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRL3103STRL MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK Infineon Technologies	3,475	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	64A (Tc)	4.5V, 10V	12mOhm @ 34A, 10V	1V @ 250µA	33 nC @ 4.5 V	±16V	1650 pF @ 25 V	-	94W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRL3302S MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK Infineon Technologies	3,757	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	39A (Tc)	4.5V, 7V	20mOhm @ 23A, 7V	700mV @ 250µA (Min)	31 nC @ 4.5 V	±10V	1300 pF @ 15 V	-	57W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRL540NSTRL MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Infineon Technologies	6,361	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Cut Tape (CT)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	36A (Tc)	-	44mOhm @ 18A, 10V	2V @ 250µA	74 nC @ 5 V	-	1800 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRL620 MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB Vishay Siliconix	2,536	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	5.2A (Tc)	4V, 5V	800mOhm @ 3.1A, 5V	2V @ 250µA	16 nC @ 5 V	±10V	360 pF @ 25 V	-	50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRL630 MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB Vishay Siliconix	7,597	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	9A (Tc)	4V, 5V	400mOhm @ 5.4A, 5V	2V @ 250µA	40 nC @ 10 V	±10V	1100 pF @ 25 V	-	74W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB