Популярные запросы 2101504-1 900-5G132-2540-000 MRFE6VS25GNR1 900-5G133-2250-000 900-5G133-2550-000 900-5G133-2240-000 900-5G195-2250-000 FSI-130-10-LM-D-M-AD-P-TR MBRB1040-TP XC6220B33BPR-G

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
IRFBC30STRR MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK Vishay Siliconix	9,955	-	Запрос цены	-	-	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600 V	3.6A (Tc)	10V	2.2Ohm @ 2.2A, 10V	4V @ 250µA	31 nC @ 10 V	±20V	660 pF @ 25 V	-	3.1W (Ta), 74W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-263 (D2PAK)
IRFBC40LCS MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK Vishay Siliconix	6,106	-	Запрос цены	-	-	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600 V	6.2A (Tc)	10V	1.2Ohm @ 3.7A, 10V	4V @ 250µA	39 nC @ 10 V	±30V	1100 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-263 (D2PAK)
IRFBE20L MOSFET N-CH 800V 1.8A I2PAK Vishay Siliconix	6,664	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	800 V	1.8A (Tc)	10V	6.5Ohm @ 1.1A, 10V	4V @ 250µA	38 nC @ 10 V	±20V	530 pF @ 25 V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	I2PAK
IRFBE30STRL MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK Vishay Siliconix	5,005	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	800 V	4.1A (Tc)	10V	3Ohm @ 2.5A, 10V	4V @ 250µA	78 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-263 (D2PAK)
IRFBF30L MOSFET N-CH 900V 3.6A I2PAK Vishay Siliconix	3,033	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	900 V	3.6A (Tc)	10V	3.7Ohm @ 2.2A, 10V	4V @ 250µA	78 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	I2PAK
IRFI610G MOSFET N-CH 200V 2.6A TO220-3 Vishay Siliconix	6,149	-	Запрос цены	-	-	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	2.6A (Ta)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Through Hole	TO-220-3
IRFL024NTR MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 Infineon Technologies	3,648	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-261-4, TO-261AA	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	2.8A (Ta)	10V	75mOhm @ 2.8A, 10V	4V @ 250µA	18.3 nC @ 10 V	±20V	400 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	SOT-223
IRFR010TRR MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK Vishay Siliconix	5,792	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	50 V	8.2A (Tc)	10V	200mOhm @ 4.6A, 10V	4V @ 250µA	10 nC @ 10 V	±20V	250 pF @ 25 V	-	25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	DPAK
IRFR18N15DTRL MOSFET N-CH 150V 18A DPAK Infineon Technologies	8,019	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150 V	18A (Tc)	10V	125mOhm @ 11A, 10V	5.5V @ 250µA	43 nC @ 10 V	±30V	900 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRFR18N15DTRR MOSFET N-CH 150V 18A DPAK Infineon Technologies	4,717	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150 V	18A (Tc)	10V	125mOhm @ 11A, 10V	5.5V @ 250µA	43 nC @ 10 V	±30V	900 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRFR214TRL MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK Vishay Siliconix	5,531	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	250 V	2.2A (Tc)	10V	2Ohm @ 1.3A, 10V	4V @ 250µA	8.2 nC @ 10 V	±20V	140 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	DPAK
IRFR224TRR MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK Vishay Siliconix	3,505	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	250 V	3.8A (Tc)	10V	1.1Ohm @ 2.3A, 10V	4V @ 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	260 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	DPAK
IRFR9014NTR MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK Vishay Siliconix	6,931	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Active	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	5.1A (Tc)	10V	500mOhm @ 3.1A, 10V	4V @ 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	270 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	DPAK
IRFR9014NTRR MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK Vishay Siliconix	6,141	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Active	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	5.1A (Tc)	10V	500mOhm @ 3.1A, 10V	4V @ 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	270 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	DPAK
IRFR9014TRR MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK Vishay Siliconix	7,911	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Active	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	5.1A (Tc)	10V	500mOhm @ 3.1A, 10V	4V @ 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	270 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	DPAK
IRFR9120NTRR MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Infineon Technologies	3,134	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	6.6A (Tc)	10V	480mOhm @ 3.9A, 10V	4V @ 250µA	27 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	40W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRFR9210TRR MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK Vishay Siliconix	5,937	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Active	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	1.9A (Tc)	10V	3Ohm @ 1.1A, 10V	4V @ 250µA	8.9 nC @ 10 V	±20V	170 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	DPAK
IRFR9214TRR MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK Vishay Siliconix	2,285	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Active	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	250 V	2.7A (Tc)	10V	3Ohm @ 1.7A, 10V	4V @ 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	220 pF @ 25 V	-	50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	DPAK
IRFSL31N20DTRL MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK Vishay Siliconix	7,611	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	31A (Tc)	10V	82mOhm @ 18A, 10V	5.5V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±30V	2370 pF @ 25 V	-	3.1W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	I2PAK
IRFSL31N20DTRR MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK Vishay Siliconix	5,204	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	31A (Tc)	10V	82mOhm @ 18A, 10V	5.5V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±30V	2370 pF @ 25 V	-	3.1W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	I2PAK