Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IRFZ24

IRFZ24

MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB

Vishay Siliconix

8,551
IRFZ24

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17A (Tc) 10V 100mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 640 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFZ14

IRFZ14

MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB

Vishay Siliconix

3,859

-

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10A (Tc) 10V 200mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 25 V - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFBC20

IRFBC20

MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB

Vishay Siliconix

7,642
IRFBC20

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2.2A (Tc) 10V 4.4Ohm @ 1.3A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFBC30

IRFBC30

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB

Vishay Siliconix

8,634
IRFBC30

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.6A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V 660 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF9Z10

IRF9Z10

MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB

Vishay Siliconix

2,242
IRF9Z10

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 6.7A (Tc) 10V 500mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF9Z34

IRF9Z34

MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB

Vishay Siliconix

7,310
IRF9Z34

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 18A (Tc) 10V 140mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
ZVP2120A

ZVP2120A

MOSFET P-CH 200V 120MA TO92-3

Diodes Incorporated

3,825
ZVP2120A

Технический лист

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 120mA (Ta) 10V 25Ohm @ 150mA, 10V 3.5V @ 1mA - ±20V 100 pF @ 25 V - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92
ZVP4105A

ZVP4105A

MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3

Diodes Incorporated

3,194
ZVP4105A

Технический лист

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 175mA (Ta) 5V 10Ohm @ 100mA, 5V 2V @ 1mA - ±20V 40 pF @ 25 V - 625mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92
IRFI840G

IRFI840G

MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3

Vishay Siliconix

2,498
IRFI840G

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4.6A (Tc) 10V 850mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRFP240

IRFP240

MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3

Vishay Siliconix

8,907

-

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 20A (Tc) 10V 180mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRFP264

IRFP264

MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3

Vishay Siliconix

3,041

-

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 38A (Tc) 10V 75mOhm @ 23A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 5400 pF @ 25 V - 280W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRFP360

IRFP360

MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3

Vishay Siliconix

2,485

-

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 23A (Tc) 10V 200mOhm @ 14A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 280W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRFP440

IRFP440

MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3

Vishay Siliconix

9,302

-

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8.8A (Tc) 10V 850mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRFP450

IRFP450

MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3

Vishay Siliconix

5,058
IRFP450

Технический лист

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 14A (Tc) 10V 400mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRFP460

IRFP460

MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3

Vishay Siliconix

3,382
IRFP460

Технический лист

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) 10V 270mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 4200 pF @ 25 V - 280W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRFPE50

IRFPE50

MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3

Vishay Siliconix

7,737
IRFPE50

Технический лист

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 7.8A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 4.7A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 3100 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRFPF50

IRFPF50

MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3

Vishay Siliconix

2,542
IRFPF50

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 6.7A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRFP9240

IRFP9240

MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3

Vishay Siliconix

3,496

-

- TO-247-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 12A (Tc) 10V 500mOhm @ 7.2A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRFBE30

IRFBE30

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB

Vishay Siliconix

7,855
IRFBE30

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.1A (Tc) 10V 3Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFBF20

IRFBF20

MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB

Vishay Siliconix

2,790
IRFBF20

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 1.7A (Tc) 10V 8Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 490 pF @ 25 V - 54W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.