Популярные запросы MMF404326 CONNECTOR-GX12-4 900-5G132-2560-000 900-5G190-2570-000 900-5G132-2260-000 FT100-950 9,5/4,8 tr 2101504-1 900-5G132-2540-000 MRFE6VS25GNR1 900-5G133-2250-000

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
IRFBF30 MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB Vishay Siliconix	4,383	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	900 V	3.6A (Tc)	10V	3.7Ohm @ 2.2A, 10V	4V @ 250µA	78 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRFBG30 MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB Vishay Siliconix	3,547	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1000 V	3.1A (Tc)	10V	5Ohm @ 1.9A, 10V	4V @ 250µA	80 nC @ 10 V	±20V	980 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IXFH42N20 MOSFET N-CH 200V 42A TO247AD IXYS	2,585	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	42A (Tc)	10V	60mOhm @ 500mA, 10V	4V @ 4mA	220 nC @ 10 V	±20V	4400 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AD (IXFH)
IXFH58N20 MOSFET N-CH 200V 58A TO247AD IXYS	8,283	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	58A (Tc)	10V	40mOhm @ 29A, 10V	4V @ 4mA	220 nC @ 10 V	±20V	4400 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AD (IXFH)
IXFH40N30 MOSFET N-CH 300V 40A TO247AD IXYS	7,664	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	300 V	40A (Tc)	10V	85mOhm @ 500mA, 10V	4V @ 4mA	200 nC @ 10 V	±20V	4800 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AD (IXFH)
IXFH24N50 MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD IXYS	3,469	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	24A (Tc)	10V	230mOhm @ 12A, 10V	4V @ 4mA	160 nC @ 10 V	±20V	4200 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AD (IXFH)
IXFH20N60 MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD IXYS	8,356	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600 V	20A (Tc)	10V	350mOhm @ 10A, 10V	4.5V @ 4mA	170 nC @ 10 V	±20V	4500 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AD (IXFH)
IXFH11N80 MOSFET N-CH 800V 11A TO247AD IXYS	5,374	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	800 V	11A (Tc)	10V	950mOhm @ 500mA, 10V	4.5V @ 4mA	155 nC @ 10 V	±20V	4200 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AD (IXFH)
IXFH12N100 MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD IXYS	7,802	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1000 V	12A (Tc)	10V	1.05Ohm @ 6A, 10V	4.5V @ 4mA	155 nC @ 10 V	±20V	4000 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AD (IXFH)
IXFK73N30 MOSFET N-CH 300V 73A TO264AA IXYS	4,888	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	300 V	73A (Tc)	10V	45mOhm @ 500mA, 10V	4V @ 8mA	360 nC @ 10 V	±20V	9000 pF @ 25 V	-	500W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-264AA (IXFK)
NDS352P MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3 onsemi	7,035	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Tape & Reel (TR)	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	850mA (Ta)	4.5V, 10V	350mOhm @ 1A, 10V	2.5V @ 250µA	4 nC @ 5 V	±12V	125 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	SOT-23-3
NDS356P MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3 onsemi	2,511	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Tape & Reel (TR)	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	1.1A (Ta)	4.5V, 10V	210mOhm @ 1.3A, 10V	2.5V @ 250µA	5 nC @ 5 V	±12V	180 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	SOT-23-3
NDC651N MOSFET N-CH 30V 3.2A SUPERSOT6 onsemi	5,450	-	Запрос цены	Технический лист	-	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	3.2A (Ta)	4.5V, 10V	60mOhm @ 4A, 10V	3V @ 250µA	20 nC @ 10 V	20V	290 pF @ 15 V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	SuperSOT™-6
NDS9400A MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC onsemi	9,718	-	Запрос цены	Технический лист	-	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Tape & Reel (TR)	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	3.4A (Ta)	4.5V, 10V	130mOhm @ 1A, 10V	2.8V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 10 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	8-SOIC
NDP4060 MOSFET N-CH 60V 15A TO220-3 onsemi	6,242	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	15A (Tc)	10V	100mOhm @ 7.5A, 10V	4V @ 250µA	17 nC @ 10 V	±20V	450 pF @ 25 V	-	50W (Tc)	-65°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220-3
NDP4060L MOSFET N-CH 60V 15A TO220-3 onsemi	8,056	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	15A (Tc)	5V, 10V	80mOhm @ 15A, 10V	2V @ 250µA	17 nC @ 5 V	±16V	600 pF @ 25 V	-	50W (Tc)	-65°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220-3
NDP7050 MOSFET N-CH 50V 75A TO220-3 onsemi	3,552	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	50 V	75A (Tc)	10V	13mOhm @ 40A, 10V	4V @ 250µA	115 nC @ 10 V	±20V	3600 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-65°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220-3
94-2304 MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB Infineon Technologies	7,596	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	116A (Tc)	4.5V, 10V	7mOhm @ 60A, 10V	1V @ 250µA	60 nC @ 4.5 V	±16V	3290 pF @ 25 V	-	180W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
94-2310 MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK Infineon Technologies	9,321	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	17A (Tc)	4V, 10V	100mOhm @ 9A, 10V	2V @ 250µA	34 nC @ 5 V	±20V	800 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 79W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRLML2803TR MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 Infineon Technologies	5,819	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Cut Tape (CT)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	1.2A (Ta)	4.5V, 10V	250mOhm @ 910mA, 10V	1V @ 250µA	5 nC @ 10 V	±20V	85 pF @ 25 V	-	540mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Surface Mount	SOT-23-3 (TO-236)