Популярные запросы FSI-130-10-LM-D-M-AD-P-TR MBRB1040-TP XC6220B33BPR-G XC6220B28BPR-G F14400 RTX2001AJC-8 GPU5V_80A 900-5G195-2250-000 MT53E1G32D2FW-046 IT:B CMPA601C025F

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
IRF3709ZSPBF MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK Infineon Technologies	7,670	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	87A (Tc)	4.5V, 10V	6.3mOhm @ 21A, 10V	2.25V @ 250µA	26 nC @ 4.5 V	±20V	2130 pF @ 15 V	-	79W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRF644NPBF MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB Vishay Siliconix	6,237	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	250 V	14A (Tc)	10V	240mOhm @ 8.4A, 10V	4V @ 250µA	54 nC @ 10 V	±20V	1060 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRL5602SPBF MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK Infineon Technologies	6,177	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	24A (Tc)	2.5V, 4.5V	42mOhm @ 12A, 4.5V	1V @ 250µA	44 nC @ 4.5 V	±8V	1460 pF @ 15 V	-	75W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRF6215SPBF MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK Infineon Technologies	2,175	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150 V	13A (Tc)	10V	290mOhm @ 6.6A, 10V	4V @ 250µA	66 nC @ 10 V	±20V	860 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRF644NSPBF MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK Vishay Siliconix	6,343	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	250 V	14A (Tc)	10V	240mOhm @ 8.4A, 10V	4V @ 250µA	54 nC @ 10 V	±20V	1060 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-263 (D2PAK)
IRF630NLPBF MOSFET N-CH 200V 9.3A TO262 Infineon Technologies	7,191	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	9.3A (Tc)	10V	300mOhm @ 5.4A, 10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	575 pF @ 25 V	-	82W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-262
IRLIB9343PBF MOSFET P-CH 55V 14A TO220AB FP Infineon Technologies	6,925	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3 Full Pack	Tube	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	14A (Tc)	4.5V, 10V	105mOhm @ 3.4A, 10V	1V @ 250µA	47 nC @ 10 V	±20V	660 pF @ 50 V	-	33W (Tc)	-40°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB Full-Pak
IRL3705ZLPBF MOSFET N-CH 55V 75A TO262 Infineon Technologies	3,052	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	75A (Tc)	4.5V, 10V	8mOhm @ 52A, 10V	3V @ 250µA	60 nC @ 5 V	±16V	2880 pF @ 25 V	-	130W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-262
IRF9530NSPBF MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK Infineon Technologies	8,487	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	14A (Tc)	10V	200mOhm @ 8.4A, 10V	4V @ 250µA	58 nC @ 10 V	±20V	760 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 79W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRF5305SPBF MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK Infineon Technologies	7,277	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	31A (Tc)	10V	60mOhm @ 16A, 10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRL7833SPBF MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK Infineon Technologies	8,926	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	150A (Tc)	4.5V, 10V	3.8mOhm @ 38A, 10V	2.3V @ 250µA	47 nC @ 4.5 V	±20V	4170 pF @ 15 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRF9Z34NLPBF MOSFET P-CH 55V 19A TO262 Infineon Technologies	4,801	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	19A (Tc)	10V	100mOhm @ 10A, 10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	620 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-262
IRF9Z34NSPBF MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Infineon Technologies	3,228	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	19A (Tc)	10V	100mOhm @ 10A, 10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	620 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRF3305PBF MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Infineon Technologies	7,736	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	75A (Tc)	10V	8mOhm @ 75A, 10V	4V @ 250µA	150 nC @ 10 V	±20V	3650 pF @ 25 V	-	330W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRFB4215PBF MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB Infineon Technologies	2,995	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	115A (Tc)	10V	9mOhm @ 54A, 10V	4V @ 250µA	170 nC @ 10 V	±20V	4080 pF @ 25 V	-	270W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRF3315SPBF MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK Infineon Technologies	5,770	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150 V	21A (Tc)	10V	82mOhm @ 12A, 10V	4V @ 250µA	95 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 94W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRL3502SPBF MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK Infineon Technologies	9,865	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	110A (Tc)	4.5V, 7V	7mOhm @ 64A, 7V	700mV @ 250µA (Min)	110 nC @ 4.5 V	±10V	4700 pF @ 15 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
64-2092PBF MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Infineon Technologies	6,013	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	75A (Tc)	10V	6.5mOhm @ 66A, 10V	4V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	3450 pF @ 25 V	-	170W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRF2807SPBF MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK Infineon Technologies	6,473	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75 V	82A (Tc)	10V	13mOhm @ 43A, 10V	4V @ 250µA	160 nC @ 10 V	±20V	3820 pF @ 25 V	-	230W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRLBA1304PPBF MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220 Infineon Technologies	4,324	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-273AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40 V	185A (Tc)	4.5V, 10V	4mOhm @ 110A, 10V	1V @ 250µA	140 nC @ 4.5 V	±16V	7660 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	SUPER-220™ (TO-273AA)