Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IRF7342D2PBF

IRF7342D2PBF

MOSFET P-CH 55V 3.4A 8SO

Infineon Technologies

2,933
IRF7342D2PBF

Технический лист

FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 3.4A (Ta) 4.5V, 10V 105mOhm @ 3.4A, 10V 1V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 690 pF @ 25 V Schottky Diode (Isolated) 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
NTD18N06LG

NTD18N06LG

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

onsemi

7,258
NTD18N06LG

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 18A (Ta) 5V 65mOhm @ 9A, 5V 2V @ 250µA 22 nC @ 5 V ±15V 675 pF @ 25 V - 2.1W (Ta), 55W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
NTR4503NT3G

NTR4503NT3G

MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3

onsemi

9,490
NTR4503NT3G

Технический лист

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.5A (Ta) 4.5V, 10V 110mOhm @ 2.5A, 10V 3V @ 250µA 7 nC @ 10 V ±20V 250 pF @ 24 V - 420mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
NTD20N03L27G

NTD20N03L27G

MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

onsemi

7,677
NTD20N03L27G

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Ta) 4V, 5V 27mOhm @ 10A, 5V 2V @ 250µA 18.9 nC @ 10 V ±20V 1260 pF @ 25 V - 1.75W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
2SK3546J0L

2SK3546J0L

MOSFET N-CH 50V 100MA SSMINI3-F1

Panasonic Electronic Components

7,917
2SK3546J0L

Технический лист

- SC-89, SOT-490 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 100mA (Ta) 2.5V, 4V 12Ohm @ 10mA, 4V 1.5V @ 1µA - ±7V 12 pF @ 3 V - 125mW (Ta) 125°C (TJ) - - Surface Mount SSMini3-F1
IRFP4232PBF

IRFP4232PBF

MOSFET N-CH 250V 60A TO247AC

Infineon Technologies

6,555
IRFP4232PBF

Технический лист

HEXFET® TO-247-3 Bag Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 60A (Tc) 10V 35.7mOhm @ 42A, 10V 5V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 7290 pF @ 25 V - 430W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRF7495PBF

IRF7495PBF

MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO

Infineon Technologies

7,023
IRF7495PBF

Технический лист

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 7.3A (Ta) 10V 22mOhm @ 4.4A, 10V 4V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±20V 1530 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRFS4610PBF

IRFS4610PBF

MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK

Infineon Technologies

5,449
IRFS4610PBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 73A (Tc) 10V 14mOhm @ 44A, 10V 4V @ 100µA 140 nC @ 10 V ±20V 3550 pF @ 50 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFSL4610PBF

IRFSL4610PBF

MOSFET N-CH 100V 73A TO262

Infineon Technologies

4,179
IRFSL4610PBF

Технический лист

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 73A (Tc) 10V 14mOhm @ 44A, 10V 4V @ 100µA 140 nC @ 10 V ±20V 3550 pF @ 50 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRF7410PBF

IRF7410PBF

MOSFET P-CH 12V 16A 8SO

Infineon Technologies

2,547
IRF7410PBF

Технический лист

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 16A (Ta) 1.8V, 4.5V 7mOhm @ 16A, 4.5V 900mV @ 250µA 91 nC @ 4.5 V ±8V 8676 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
IRF7807ZPBF

IRF7807ZPBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

Infineon Technologies

6,199
IRF7807ZPBF

Технический лист

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 13.8mOhm @ 11A, 10V 2.25V @ 250µA 11 nC @ 4.5 V ±20V 770 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
NIF9N05CLT1

NIF9N05CLT1

MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223

onsemi

5,354
NIF9N05CLT1

Технический лист

- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 52 V 2.6A (Ta) 3V, 10V 125mOhm @ 2.6A, 10V 2.5V @ 100µA 7 nC @ 4.5 V ±15V 250 pF @ 35 V - 1.69W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223 (TO-261)
STS10PF30L

STS10PF30L

MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

STMicroelectronics

6,174
STS10PF30L

Технический лист

STripFET™ II 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 5A, 10V 1V @ 250µA 39 nC @ 4.5 V ±16V 2300 pF @ 25 V - 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
STW220NF75

STW220NF75

MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3

STMicroelectronics

4,810
STW220NF75

Технический лист

STripFET™ II TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 4.4mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 430 nC @ 10 V ±20V 12500 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
RDN100N20

RDN100N20

MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN

Rohm Semiconductor

3,527
RDN100N20

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 10A (Ta) 10V 360mOhm @ 5A, 10V 4V @ 1mA 30 nC @ 10 V ±30V 543 pF @ 10 V - 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FN
STS4DPFS30L

STS4DPFS30L

MOSFET P-CH 30V 5A 8SO

STMicroelectronics

9,205
STS4DPFS30L

Технический лист

STripFET™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5A (Tc) 4.5V, 10V 55mOhm @ 2.5A, 10V 2.5V @ 250µA 16 nC @ 5 V ±16V 1350 pF @ 25 V Schottky Diode (Isolated) 2.5W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
STP40NF12

STP40NF12

MOSFET N-CH 120V 40A TO220AB

STMicroelectronics

9,443
STP40NF12

Технический лист

STripFET™ II TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 40A (Tc) 10V 32mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 1880 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IRF530N,127

IRF530N,127

MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB

NXP USA Inc.

9,602
IRF530N,127

Технический лист

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 10V 110mOhm @ 9A, 10V 4V @ 1mA 40 nC @ 10 V ±20V 633 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF540,127

IRF540,127

MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB

NXP USA Inc.

9,681
IRF540,127

Технический лист

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 23A (Tc) 10V 77mOhm @ 17A, 10V 4V @ 1mA 65 nC @ 10 V ±20V 1187 pF @ 25 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF640,127

IRF640,127

MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB

NXP USA Inc.

9,601
IRF640,127

Технический лист

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 16A (Tc) 10V 180mOhm @ 8A, 10V 4V @ 1mA 63 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.