Популярные запросы FSI-130-10-LM-D-M-AD-P-TR MBRB1040-TP XC6220B33BPR-G XC6220B28BPR-G F14400 RTX2001AJC-8 GPU5V_80A 900-5G195-2250-000 MT53E1G32D2FW-046 IT:B CMPA601C025F

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
IRLR3714ZPBF MOSFET N-CH 20V 37A DPAK Infineon Technologies	8,205	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	37A (Tc)	4.5V, 10V	15mOhm @ 15A, 10V	2.55V @ 250µA	7.1 nC @ 4.5 V	±20V	560 pF @ 10 V	-	35W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRFR3704ZPBF MOSFET N-CH 20V 60A DPAK Infineon Technologies	2,051	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	60A (Tc)	4.5V, 10V	8.4mOhm @ 15A, 10V	2.55V @ 250µA	14 nC @ 4.5 V	±20V	1190 pF @ 10 V	-	48W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRFR120ZPBF MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK Infineon Technologies	7,641	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	8.7A (Tc)	10V	190mOhm @ 5.2A, 10V	4V @ 250µA	10 nC @ 10 V	±20V	310 pF @ 25 V	-	35W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRLU024ZPBF MOSFET N-CH 55V 16A I-PAK Infineon Technologies	6,051	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	16A (Tc)	4.5V, 10V	58mOhm @ 9.6A, 10V	3V @ 250µA	9.9 nC @ 5 V	±16V	380 pF @ 25 V	-	35W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	IPAK
IRLU9343PBF MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK Infineon Technologies	5,333	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	20A (Tc)	-	105mOhm @ 3.4A, 10V	1V @ 250µA	47 nC @ 10 V	-	660 pF @ 50 V	-	-	-	-	-	Through Hole	IPAK
IRFU4105ZPBF MOSFET N-CH 55V 30A IPAK Infineon Technologies	6,513	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	30A (Tc)	10V	24.5mOhm @ 18A, 10V	4V @ 250µA	27 nC @ 10 V	±20V	740 pF @ 25 V	-	48W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	IPAK (TO-251AA)
IRLR024ZPBF MOSFET N-CH 55V 16A DPAK Infineon Technologies	6,565	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	16A (Tc)	4.5V, 10V	58mOhm @ 9.6A, 10V	3V @ 250µA	9.9 nC @ 5 V	±16V	380 pF @ 25 V	-	35W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRLR4343PBF MOSFET N-CH 55V 26A DPAK Infineon Technologies	3,287	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	26A (Tc)	4.5V, 10V	50mOhm @ 4.7A, 10V	1V @ 250µA	42 nC @ 10 V	±20V	740 pF @ 50 V	-	79W (Tc)	-40°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
64-4092PBF MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK Infineon Technologies	2,742	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	28A (Tc)	4V, 10V	40mOhm @ 17A, 10V	2V @ 250µA	25 nC @ 5 V	±16V	880 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	IPAK
IRFR2307ZPBF MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Infineon Technologies	9,850	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75 V	42A (Tc)	10V	16mOhm @ 32A, 10V	4V @ 100µA	75 nC @ 10 V	±20V	2190 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRLR2905ZPBF MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Infineon Technologies	7,022	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	42A (Tc)	4.5V, 10V	13.5mOhm @ 36A, 10V	3V @ 250µA	35 nC @ 5 V	±16V	1570 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRFR1010ZPBF MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Infineon Technologies	3,562	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	42A (Tc)	10V	7.5mOhm @ 42A, 10V	4V @ 100µA	95 nC @ 10 V	±20V	2840 pF @ 25 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRFU3710ZPBF MOSFET N-CH 100V 42A IPAK Infineon Technologies	2,746	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	42A (Tc)	10V	18mOhm @ 33A, 10V	4V @ 250µA	100 nC @ 10 V	±20V	2930 pF @ 25 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	IPAK (TO-251AA)
IRFU1010ZPBF MOSFET N-CH 55V 42A IPAK Infineon Technologies	9,044	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	42A (Tc)	10V	7.5mOhm @ 42A, 10V	4V @ 100µA	95 nC @ 10 V	±20V	2840 pF @ 25 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	IPAK (TO-251AA)
IRLR3705ZPBF MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Infineon Technologies	2,981	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	42A (Tc)	4.5V, 10V	8mOhm @ 42A, 10V	3V @ 250µA	66 nC @ 5 V	±16V	2900 pF @ 25 V	-	130W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRLU2905ZPBF MOSFET N-CH 55V 42A IPAK Infineon Technologies	9,773	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	42A (Tc)	4.5V, 10V	13.5mOhm @ 36A, 10V	3V @ 250µA	35 nC @ 5 V	±16V	1570 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	IPAK (TO-251AA)
IRLR3715ZTRPBF MOSFET N-CH 20V 49A DPAK Infineon Technologies	5,922	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	49A (Tc)	4.5V, 10V	11mOhm @ 15A, 10V	2.55V @ 250µA	11 nC @ 4.5 V	±20V	810 pF @ 10 V	-	40W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRFR3704TRPBF MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Infineon Technologies	6,294	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	75A (Tc)	10V	9.5mOhm @ 15A, 10V	3V @ 250µA	19 nC @ 4.5 V	±20V	1996 pF @ 10 V	-	90W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRFR3706TRPBF MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Infineon Technologies	3,704	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	75A (Tc)	2.8V, 10V	9mOhm @ 15A, 10V	2V @ 250µA	35 nC @ 4.5 V	±12V	2410 pF @ 10 V	-	88W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRLR3303TRPBF MOSFET N-CH 30V 35A DPAK Infineon Technologies	5,639	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	35A (Tc)	4.5V, 10V	31mOhm @ 21A, 10V	1V @ 250µA	26 nC @ 4.5 V	±16V	870 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)