Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
FDS3170N7

FDS3170N7

MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO

onsemi

9,832
FDS3170N7

Технический лист

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.7A (Ta) 6V, 10V 26mOhm @ 6.7A, 10V 4V @ 250µA 77 nC @ 10 V ±20V 2714 pF @ 50 V - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO FLMP
FDS4070N7

FDS4070N7

MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO

onsemi

6,879
FDS4070N7

Технический лист

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 15.3A (Ta) 10V 7mOhm @ 15.3A, 10V 5V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V 2819 pF @ 20 V - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO FLMP
FDS4072N7

FDS4072N7

MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO

onsemi

2,899
FDS4072N7

Технический лист

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 12.4A (Ta) 4.5V, 10V 9mOhm @ 13.7A, 10V 3V @ 250µA 46 nC @ 4.5 V ±12V 4299 pF @ 20 V - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO FLMP
FDS4080N7

FDS4080N7

MOSFET N-CH 40V 13A 8SO

onsemi

7,860
FDS4080N7

Технический лист

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 13A (Ta) 10V 10mOhm @ 13A, 10V 5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 20 V - 3.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO FLMP
FDS7082N3

FDS7082N3

MOSFET N-CH 30V 17.5A 8SO

onsemi

4,604
FDS7082N3

Технический лист

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 17.5A (Ta) 4.5V, 10V 6mOhm @ 17.5A, 10V 3V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±20V 2271 pF @ 15 V - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO FLMP
FDS7088N3

FDS7088N3

MOSFET N-CH 30V 21A 8SO

onsemi

5,439
FDS7088N3

Технический лист

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 21A (Ta) 4.5V, 10V 4mOhm @ 21A, 10V 3V @ 250µA 48 nC @ 5 V ±20V 3845 pF @ 15 V - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO FLMP
IRF1010NSTRRPBF

IRF1010NSTRRPBF

MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK

Infineon Technologies

3,383
IRF1010NSTRRPBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 85A (Tc) 10V 11mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 3210 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF1404STRRPBF

IRF1404STRRPBF

MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK

Infineon Technologies

6,599
IRF1404STRRPBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 162A (Tc) 10V 4mOhm @ 95A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 7360 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF1405STRRPBF

IRF1405STRRPBF

MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK

Infineon Technologies

4,846
IRF1405STRRPBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 131A (Tc) 10V 5.3mOhm @ 101A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 5480 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF3205STRRPBF

IRF3205STRRPBF

MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK

Infineon Technologies

2,434
IRF3205STRRPBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A (Tc) 10V 8mOhm @ 62A, 10V 4V @ 250µA 146 nC @ 10 V ±20V 3247 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF3205ZSTRRPBF

IRF3205ZSTRRPBF

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Infineon Technologies

3,633
IRF3205ZSTRRPBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 6.5mOhm @ 66A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 3450 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF3415STRRPBF

IRF3415STRRPBF

MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK

Infineon Technologies

8,864
IRF3415STRRPBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 43A (Tc) 10V 42mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF3704STRLPBF

IRF3704STRLPBF

MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK

Infineon Technologies

7,419
IRF3704STRLPBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 77A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±20V 1996 pF @ 10 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF3710STRRPBF

IRF3710STRRPBF

MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

Infineon Technologies

8,504
IRF3710STRRPBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 57A (Tc) 10V 23mOhm @ 28A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 3130 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF3711STRRPBF

IRF3711STRRPBF

MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK

Infineon Technologies

2,263
IRF3711STRRPBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 110A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±20V 2980 pF @ 10 V - 3.1W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF3717PBF

IRF3717PBF

MOSFET N-CH 20V 20A 8SO

Infineon Technologies

7,805
IRF3717PBF

Технический лист

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 20A (Ta) 4.5V, 10V 4.4mOhm @ 20A, 10V 2.45V @ 250µA 33 nC @ 4.5 V ±20V 2890 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF530NSTRRPBF

IRF530NSTRRPBF

MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

Infineon Technologies

6,238
IRF530NSTRRPBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Discontinued N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 10V 90mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±20V 920 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 70W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF630NSTRRPBF

IRF630NSTRRPBF

MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Infineon Technologies

5,773
IRF630NSTRRPBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Discontinued N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9.3A (Tc) 10V 300mOhm @ 5.4A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 575 pF @ 25 V - 82W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF644NSTRLPBF

IRF644NSTRLPBF

MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK

Vishay Siliconix

8,152
IRF644NSTRLPBF

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 14A (Tc) 10V 240mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V 1060 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRF7233PBF

IRF7233PBF

MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO

Infineon Technologies

5,440
IRF7233PBF

Технический лист

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 9.5A (Ta) 2.5V, 4.5V 20mOhm @ 9.5A, 4.5V 600mV @ 250µA (Min) 74 nC @ 5 V ±12V 6000 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.