Популярные запросы FT100-950 9,5/4,8 tr 2101504-1 900-5G132-2540-000 MRFE6VS25GNR1 900-5G133-2250-000 900-5G133-2550-000 900-5G133-2240-000 900-5G195-2250-000 FSI-130-10-LM-D-M-AD-P-TR MBRB1040-TP

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
IXFT32N50Q MOSFET N-CH 500V 32A TO268 IXYS	6,287	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™	TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	32A (Tc)	10V	160mOhm @ 16A, 10V	4.5V @ 4mA	190 nC @ 10 V	±20V	4925 pF @ 25 V	-	360W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-268AA
IXFT40N30Q MOSFET N-CH 300V 40A TO268 IXYS	2,152	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™	TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	300 V	40A (Tc)	10V	80mOhm @ 500mA, 10V	4V @ 4mA	140 nC @ 10 V	±20V	3100 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-268AA
IXFT52N30Q MOSFET N-CH 300V 52A TO268 IXYS	5,899	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™	TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	300 V	52A (Tc)	10V	60mOhm @ 500mA, 10V	4V @ 4mA	150 nC @ 10 V	±20V	5300 pF @ 25 V	-	360W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-268AA
IXFX90N20Q MOSFET N-CH 200V 90A PLUS247-3 IXYS	5,039	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™, Q Class	TO-247-3 Variant	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	90A (Tc)	10V	22mOhm @ 45A, 10V	4V @ 4mA	190 nC @ 10 V	±20V	6800 pF @ 25 V	-	500W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	PLUS247™-3
IRF7811WTR MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Infineon Technologies	5,498	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	14A (Ta)	4.5V	12mOhm @ 15A, 4.5V	1V @ 250µA	33 nC @ 5 V	±12V	2335 pF @ 16 V	-	3.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	8-SO
IRF7807VTR MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO Infineon Technologies	2,375	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	8.3A (Ta)	4.5V	25mOhm @ 7A, 4.5V	3V @ 250µA	14 nC @ 5 V	±20V	-	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	8-SO
IRF7807VD1 MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO Infineon Technologies	9,381	-	Запрос цены	Технический лист	FETKY™	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	8.3A (Ta)	4.5V	25mOhm @ 7A, 4.5V	3V @ 250µA	14 nC @ 4.5 V	±20V	-	Schottky Diode (Isolated)	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	8-SO
IRF7805ATR MOSFET N-CH 30V 13A 8SO Infineon Technologies	5,781	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	13A (Ta)	4.5V	11mOhm @ 7A, 4.5V	3V @ 250µA	31 nC @ 5 V	±12V	-	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	8-SO
IRF7420 MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO Infineon Technologies	6,761	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Tube	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12 V	11.5A (Tc)	1.8V, 4.5V	14mOhm @ 11.5A, 4.5V	900mV @ 250µA	38 nC @ 4.5 V	±8V	3529 pF @ 10 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	8-SO
IRF7453TR MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO Infineon Technologies	6,464	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	250 V	2.2A (Ta)	10V	230mOhm @ 1.3A, 10V	5.5V @ 250µA	38 nC @ 10 V	±30V	930 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	8-SO
IRF7477TR MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Infineon Technologies	2,038	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	14A (Ta)	4.5V, 10V	8.5mOhm @ 14A, 10V	2.5V @ 250µA	38 nC @ 4.5 V	±20V	2710 pF @ 15 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	8-SO
IRF5805TR MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6 Infineon Technologies	4,798	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Tape & Reel (TR)	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	3.8A (Ta)	4.5V, 10V	98mOhm @ 3.8A, 10V	2.5V @ 250µA	17 nC @ 10 V	±20V	511 pF @ 25 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	Micro6™(TSOP-6)
IRF5803D2 MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO Infineon Technologies	7,877	-	Запрос цены	Технический лист	FETKY™	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Tube	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40 V	3.4A (Ta)	4.5V, 10V	112mOhm @ 3.4A, 10V	3V @ 250µA	37 nC @ 10 V	±20V	1110 pF @ 25 V	Schottky Diode (Isolated)	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	8-SO
IRFU3709 MOSFET N-CH 30V 90A IPAK Infineon Technologies	6,993	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	90A (Tc)	4.5V, 10V	9mOhm @ 15A, 10V	3V @ 250µA	41 nC @ 4.5 V	±20V	2672 pF @ 16 V	-	120W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	IPAK (TO-251AA)
IRL3715S MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK Infineon Technologies	9,333	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	54A (Tc)	4.5V, 10V	14mOhm @ 26A, 10V	3V @ 250µA	17 nC @ 4.5 V	±20V	1060 pF @ 10 V	-	3.8W (Ta), 71W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRL3714S MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK Infineon Technologies	7,685	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	36A (Tc)	4.5V, 10V	20mOhm @ 18A, 10V	3V @ 250µA	9.7 nC @ 4.5 V	±20V	670 pF @ 10 V	-	47W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRLR3715 MOSFET N-CH 20V 54A DPAK Infineon Technologies	8,426	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	54A (Tc)	4.5V, 10V	14mOhm @ 26A, 10V	3V @ 250µA	17 nC @ 4.5 V	±20V	1060 pF @ 10 V	-	3.8W (Ta), 71W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRLR3714 MOSFET N-CH 20V 36A DPAK Infineon Technologies	9,077	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	36A (Tc)	4.5V, 10V	20mOhm @ 18A, 10V	3V @ 250µA	9.7 nC @ 4.5 V	±20V	670 pF @ 10 V	-	47W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRL3714L MOSFET N-CH 20V 36A TO262 Infineon Technologies	2,107	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	36A (Tc)	4.5V, 10V	20mOhm @ 18A, 10V	3V @ 250µA	9.7 nC @ 4.5 V	±20V	670 pF @ 10 V	-	47W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-262
IRFU3706 MOSFET N-CH 20V 75A IPAK Infineon Technologies	5,304	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	75A (Tc)	2.8V, 10V	9mOhm @ 15A, 10V	2V @ 250µA	35 nC @ 4.5 V	±12V	2410 pF @ 10 V	-	88W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	IPAK (TO-251AA)