Популярные запросы MMF404326 CONNECTOR-GX12-4 900-5G132-2560-000 900-5G190-2570-000 900-5G132-2260-000 FT100-950 9,5/4,8 tr 2101504-1 900-5G132-2540-000 MRFE6VS25GNR1 900-5G133-2250-000

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
IRLR120TRL MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK Vishay Siliconix	6,530	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	7.7A (Tc)	4V, 5V	270mOhm @ 4.6A, 5V	2V @ 250µA	12 nC @ 5 V	±10V	490 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	DPAK
IRLR2703TRL MOSFET N-CH 30V 23A DPAK Infineon Technologies	2,355	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	23A (Tc)	4V, 10V	45mOhm @ 14A, 10V	1V @ 250µA	15 nC @ 4.5 V	±16V	450 pF @ 25 V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRLR2705TR MOSFET N-CH 55V 28A DPAK Infineon Technologies	6,187	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	28A (Tc)	4V, 10V	40mOhm @ 17A, 10V	2V @ 250µA	25 nC @ 5 V	±16V	880 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRLR3410TRR MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Infineon Technologies	5,871	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	17A (Tc)	4V, 10V	105mOhm @ 10A, 10V	2V @ 250µA	34 nC @ 5 V	±16V	800 pF @ 25 V	-	79W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRLR8503TRL MOSFET N-CH 30V 44A DPAK Infineon Technologies	8,792	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	44A (Tc)	4.5V, 10V	16mOhm @ 15A, 10V	3V @ 250µA	20 nC @ 5 V	±20V	1650 pF @ 25 V	-	62W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRLU024 MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA Vishay Siliconix	8,347	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	14A (Tc)	4V, 5V	100mOhm @ 8.4A, 5V	2V @ 250µA	18 nC @ 5 V	±10V	870 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-251AA
IRLU110 MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA Vishay Siliconix	5,358	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	4.3A (Tc)	4V, 5V	540mOhm @ 2.6A, 5V	2V @ 250µA	6.1 nC @ 5 V	±10V	250 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-251AA
IRLZ34STRL MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK Vishay Siliconix	7,753	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	30A (Tc)	4V, 5V	50mOhm @ 18A, 5V	2V @ 250µA	35 nC @ 5 V	±10V	1600 pF @ 25 V	-	3.7W (Ta), 88W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-263 (D2PAK)
IRF7534D1TR MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8 Infineon Technologies	4,691	-	Запрос цены	Технический лист	FETKY™	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Tape & Reel (TR)	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	4.3A (Ta)	2.5V, 4.5V	55mOhm @ 4.3A, 4.5V	1.2V @ 250µA	15 nC @ 5 V	±12V	1066 pF @ 10 V	Schottky Diode (Isolated)	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	Micro8™
ZXM66P03N8TA MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO Diodes Incorporated	6,198	-	Запрос цены	Технический лист	-	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Tape & Reel (TR)	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	6.25A (Ta)	4.5V, 10V	25mOhm @ 5.6A, 10V	1V @ 250µA	36 nC @ 5 V	±20V	1979 pF @ 25 V	-	1.56W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	8-SO
ZXMN2A02X8TA MOSFET N-CH 20V 6.2A 8MSOP Diodes Incorporated	6,916	-	Запрос цены	Технический лист	-	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	6.2A (Ta)	2.5V, 4.5V	20mOhm @ 11A, 4.5V	700mV @ 250µA (Min)	18.6 nC @ 4.5 V	±20V	1900 pF @ 10 V	-	1.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	8-MSOP
IRFU220N MOSFET N-CH 200V 5A IPAK Infineon Technologies	5,985	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	5A (Tc)	10V	600mOhm @ 2.9A, 10V	4V @ 250µA	23 nC @ 10 V	±20V	300 pF @ 25 V	-	43W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	IPAK (TO-251AA)
SSH22N50A MOSFET N-CH 500V 22A TO3P onsemi	7,179	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-3P-3, SC-65-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	22A (Tc)	10V	250mOhm @ 11A, 10V	4V @ 250µA	236 nC @ 10 V	±30V	5120 pF @ 25 V	-	278W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-3P
2SK353900L MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI3-G1 Panasonic Electronic Components	7,939	-	Запрос цены	Технический лист	-	SC-70, SOT-323	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	50 V	100mA (Ta)	2.5V, 4V	15Ohm @ 10mA, 2.5V	1.5V @ 1µA	-	±7V	12 pF @ 3 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	SMini3-G1
2SK122800L MOSFET N-CH 50V 50MA MINI3-G1 Panasonic Electronic Components	8,161	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	50 V	50mA (Ta)	2.5V	50Ohm @ 10mA, 2.5V	1.1V @ 100µA	-	10V	4.5 pF @ 5 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	Mini3-G1
IXFH20N80Q MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD IXYS	6,989	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™	TO-247-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	800 V	20A (Tc)	10V	420mOhm @ 10A, 10V	4.5V @ 4mA	200 nC @ 10 V	±20V	5100 pF @ 25 V	-	360W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AD (IXFH)
IXFH26N60Q MOSFET N-CH 600V 26A TO247AD IXYS	8,460	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™	TO-247-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600 V	26A (Tc)	10V	250mOhm @ 13A, 10V	4.5V @ 4mA	200 nC @ 10 V	±20V	5100 pF @ 25 V	-	360W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AD (IXFH)
IXFH80N20Q MOSFET N-CH 200V 80A TO247AD IXYS	3,333	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™	TO-247-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	80A (Tc)	10V	28mOhm @ 500mA, 10V	4V @ 4mA	180 nC @ 10 V	±20V	4600 pF @ 25 V	-	360W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AD (IXFH)
IXFK120N20 MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA IXYS	5,285	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	120A (Tc)	10V	17mOhm @ 60A, 10V	4V @ 8mA	300 nC @ 10 V	±20V	9100 pF @ 25 V	-	560W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-264AA (IXFK)
IXFK27N80 MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA IXYS	6,429	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	800 V	27A (Tc)	10V	300mOhm @ 13.5A, 10V	4.5V @ 8mA	400 nC @ 10 V	±20V	9740 pF @ 25 V	-	500W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-264AA (IXFK)