Популярные запросы 2101504-1 900-5G132-2540-000 MRFE6VS25GNR1 900-5G133-2250-000 900-5G133-2550-000 900-5G133-2240-000 900-5G195-2250-000 FSI-130-10-LM-D-M-AD-P-TR MBRB1040-TP XC6220B33BPR-G

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
RFP40N10 MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3 onsemi	4,259	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	40A (Tc)	10V	40mOhm @ 40A, 10V	4V @ 250µA	300 nC @ 20 V	±20V	-	-	160W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220-3
IRF3000 MOSFET N-CH 300V 1.6A 8SO Infineon Technologies	4,080	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	300 V	1.6A (Ta)	10V	400mOhm @ 960mA, 10V	5V @ 250µA	33 nC @ 10 V	±30V	730 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	8-SO
IRF7476 MOSFET N-CH 12V 15A 8SO Infineon Technologies	5,626	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12 V	15A (Ta)	2.8V, 4.5V	8mOhm @ 15A, 4.5V	1.9V @ 250µA	40 nC @ 4.5 V	±12V	2550 pF @ 6 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	8-SO
IRL3716 MOSFET N-CH 20V 180A TO220AB Infineon Technologies	5,891	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	180A (Tc)	4.5V, 10V	4mOhm @ 90A, 10V	3V @ 250µA	79 nC @ 4.5 V	±20V	5090 pF @ 10 V	-	210W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IXTH20N60 MOSFET N-CH 600V 20A TO247 IXYS	2,576	-	Запрос цены	Технический лист	MegaMOS™	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600 V	20A (Tc)	10V	350mOhm @ 10A, 10V	4.5V @ 250µA	170 nC @ 10 V	±20V	4500 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247 (IXTH)
2SK0615 MOSFET N-CH 80V 500MA M-A1 Panasonic Electronic Components	9,207	-	Запрос цены	Технический лист	-	3-SIP	Bulk	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80 V	500mA (Ta)	10V	4Ohm @ 500mA, 10V	3.5V @ 1mA	-	20V	45 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Through Hole	M-A1
2SK060100L MOSFET N-CH 80V 500MA MINIP3-F1 Panasonic Electronic Components	4,309	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-243AA	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80 V	500mA (Ta)	10V	4Ohm @ 500mA, 10V	3.5V @ 1mA	-	20V	45 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	MiniP3-F1
2SK221100L MOSFET N-CH 30V 1A MINIP3-F1 Panasonic Electronic Components	7,926	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-243AA	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	1A (Ta)	4V, 10V	600mOhm @ 500mA, 10V	2V @ 1mA	-	±20V	87 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	MiniP3-F1
BSP123L6327HTSA1 MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4 Infineon Technologies	8,700	-	Запрос цены	Технический лист	SIPMOS®	TO-261-4, TO-261AA	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	370mA (Ta)	2.8V, 10V	6Ohm @ 370mA, 10V	1.8V @ 50µA	2.4 nC @ 10 V	±20V	70 pF @ 25 V	-	1.79W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	PG-SOT223-4
BSS123E6327 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Infineon Technologies	9,726	-	Запрос цены	Технический лист	SIPMOS®	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	170mA (Ta)	4.5V, 10V	6Ohm @ 170mA, 10V	1.8V @ 50µA	2.67 nC @ 10 V	±20V	69 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	PG-SOT23
BSS131E6327 MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Infineon Technologies	4,528	-	Запрос цены	Технический лист	SIPMOS®	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	240 V	110mA (Ta)	4.5V, 10V	14Ohm @ 100mA, 10V	1.8V @ 56µA	3.1 nC @ 10 V	±20V	77 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	PG-SOT23
SPP08P06PBKSA1 MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3 Infineon Technologies	7,464	-	Запрос цены	Технический лист	SIPMOS®	TO-220-3	Tube	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	8.8A (Tc)	10V	300mOhm @ 6.2A, 10V	4V @ 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	420 pF @ 25 V	-	42W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	PG-TO220-3
SPP18P06PHKSA1 MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3 Infineon Technologies	5,736	-	Запрос цены	Технический лист	SIPMOS®	TO-220-3	Tube	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	18.7A (Ta)	10V	130mOhm @ 13.2A, 10V	4V @ 1mA	28 nC @ 10 V	±20V	860 pF @ 25 V	-	81.1W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	PG-TO220-3
IRF1302S MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK Infineon Technologies	4,290	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	174A (Tc)	10V	4mOhm @ 104A, 10V	4V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	3600 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRFU3410 MOSFET N-CH 100V 31A IPAK Infineon Technologies	2,243	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	31A (Tc)	10V	39mOhm @ 18A, 10V	4V @ 250µA	56 nC @ 10 V	±20V	1690 pF @ 25 V	-	3W (Ta), 110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	IPAK (TO-251AA)
IRLU7833 MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK Infineon Technologies	4,342	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	140A (Tc)	4.5V, 10V	4.5mOhm @ 15A, 10V	2.3V @ 250µA	50 nC @ 4.5 V	±20V	4010 pF @ 15 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	IPAK
ZXM64P035L3 MOSFET P-CH 35V 3.3A/12A TO220-3 Diodes Incorporated	4,984	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3	Bulk	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	35 V	3.3A (Ta), 12A (Tc)	4.5V, 10V	75mOhm @ 2.4A, 10V	1V @ 250µA	46 nC @ 10 V	±20V	825 pF @ 25 V	-	1.5W (Ta), 20W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220-3
IRFR3711Z MOSFET N-CH 20V 93A DPAK Infineon Technologies	9,896	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	93A (Tc)	4.5V, 10V	5.7mOhm @ 15A, 10V	2.45V @ 250µA	27 nC @ 4.5 V	±20V	2160 pF @ 10 V	-	79W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
ZXM64N035GTA MOSFET N-CH 35V 4.8A/6.7A SOT223 Diodes Incorporated	8,527	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-261-4, TO-261AA	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	35 V	4.8A (Ta), 6.7A (Tc)	4.5V, 10V	50mOhm @ 3.7A, 10V	1V @ 250µA	27 nC @ 10 V	±20V	950 pF @ 25 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	SOT-223-3
IRF4104S MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Infineon Technologies	2,949	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40 V	75A (Tc)	10V	5.5mOhm @ 75A, 10V	4V @ 250µA	100 nC @ 10 V	±20V	3000 pF @ 25 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK