Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
SI7454DP-T1-E3

SI7454DP-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

6,664
SI7454DP-T1-E3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 5A (Ta) 6V, 10V 34mOhm @ 7.8A, 10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V - - 1.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
PMPB09R5TPX

PMPB09R5TPX

SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE

Nexperia USA Inc.

3,000
PMPB09R5TPX

Технический лист

TrenchMOS™ 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 10.5A (Ta) 1.8V, 4.5V 11.5mOhm @ 10.5A, 4.5V 1V @ 250µA 29 nC @ 4.5 V ±12V 1730 pF @ 10 V - 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN2020M-6
IRF510

IRF510

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB

Vishay Siliconix

4,208
IRF510

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 5.6A (Tc) 10V 540mOhm @ 3.4A, 10V 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF9510

IRF9510

MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB

Vishay Siliconix

6,857
IRF9510

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 2.4A, 10V 4V @ 250µA 8.7 nC @ 10 V ±20V 200 pF @ 25 V - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF840

IRF840

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

Vishay Siliconix

3,663
IRF840

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFD110

IRFD110

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Vishay Siliconix

3,745
IRFD110

Технический лист

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1A (Ta) 10V 540mOhm @ 600mA, 10V 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
IRFD9113

IRFD9113

MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP

Vishay Siliconix

5,738

-

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 600mA (Ta) - 1.6Ohm @ 300mA, 10V - 15 nC @ 15 V - 250 pF @ 25 V - - - - - Through Hole 4-HVMDIP
IRFD9110

IRFD9110

MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP

Vishay Siliconix

7,453
IRFD9110

Технический лист

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 700mA (Ta) 10V 1.2Ohm @ 420mA, 10V 4V @ 250µA 8.7 nC @ 10 V ±20V 200 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
IRFD9120

IRFD9120

MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP

Vishay Siliconix

2,052
IRFD9120

Технический лист

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1A (Ta) 10V 600mOhm @ 600mA, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 390 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
IRF9630

IRF9630

MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB

Vishay Siliconix

9,901
IRF9630

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 6.5A (Tc) 10V 800mOhm @ 3.9A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF610

IRF610

MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB

Vishay Siliconix

9,351
IRF610

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.3A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF530

IRF530

MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB

Vishay Siliconix

7,053
IRF530

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 14A (Tc) 10V 160mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 670 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF620

IRF620

MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB

Vishay Siliconix

5,210
IRF620

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5.2A (Tc) 10V 800mOhm @ 3.1A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 260 pF @ 25 V - 50W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF730

IRF730

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB

Vishay Siliconix

2,891
IRF730

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 5.5A (Tc) 10V 1Ohm @ 3.3A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF740

IRF740

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB

Vishay Siliconix

4,826
IRF740

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 10A (Tc) 10V 550mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF820

IRF820

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB

Vishay Siliconix

5,456
IRF820

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 2.5A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V 360 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF830

IRF830

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB

Vishay Siliconix

2,803
IRF830

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4.5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.7A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 610 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF720

IRF720

MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB

Vishay Siliconix

3,649
IRF720

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 3.3A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 410 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF710

IRF710

MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB

Vishay Siliconix

7,837
IRF710

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 2A (Tc) 10V 3.6Ohm @ 1.2A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF9640

IRF9640

MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB

Vishay Siliconix

2,237
IRF9640

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 11A (Tc) 10V 500mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.