Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IXFN36N60

IXFN36N60

MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B

IXYS

6,309
IXFN36N60

Технический лист

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 36A (Tc) 10V 180mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 8mA 325 nC @ 10 V ±20V 9000 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
APT8043SFLLG

APT8043SFLLG

MOSFET N-CH 800V 20A D3PAK

Microchip Technology

8,729
APT8043SFLLG

Технический лист

POWER MOS 7® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 20A (Tc) - 430mOhm @ 10A, 10V 5V @ 1mA 85 nC @ 10 V - 2500 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount D3PAK
FMD47-06KC5

FMD47-06KC5

MOSFET N-CH 600V 47A I4PAC

IXYS

6,717
FMD47-06KC5

Технический лист

CoolMOS™ ISOPLUSi5-PAK™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 45mOhm @ 44A, 10V 3.5V @ 3mA 190 nC @ 10 V ±20V 6800 pF @ 100 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
APT10086BVFRG

APT10086BVFRG

MOSFET N-CH 1000V 13A TO247

Microchip Technology

5,398
APT10086BVFRG

Технический лист

POWER MOS V® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 13A (Tc) - 860mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 275 nC @ 10 V - 4440 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]
IXKR25N80C

IXKR25N80C

MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247

IXYS

4,842
IXKR25N80C

Технический лист

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 25A (Tc) 10V 150mOhm @ 18A, 10V 4V @ 2mA 355 nC @ 10 V ±20V - - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
IXFN25N90

IXFN25N90

MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B

IXYS

6,016
IXFN25N90

Технический лист

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 25A (Tc) 10V 330mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 240 nC @ 10 V ±20V 10800 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
STE30NK90Z

STE30NK90Z

MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP

STMicroelectronics

5,554
STE30NK90Z

Технический лист

SuperMESH™ ISOTOP Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 28A (Tc) 10V 260mOhm @ 14A, 10V 4.5V @ 150µA 490 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 500W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
APT50M75B2LLG

APT50M75B2LLG

MOSFET N-CH 500V 57A T-MAX

Microchip Technology

7,723
APT50M75B2LLG

Технический лист

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 57A (Tc) 10V 75mOhm @ 28.5A, 10V 5V @ 2.5mA 125 nC @ 10 V ±30V 5590 pF @ 25 V - 570W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
APT50M75LLLG

APT50M75LLLG

MOSFET N-CH 500V 57A TO264

Microchip Technology

3,955
APT50M75LLLG

Технический лист

POWER MOS 7® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 57A (Tc) - 75mOhm @ 28.5A, 10V 5V @ 2.5mA 125 nC @ 10 V - 5590 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-264 [L]
IXFB70N60Q2

IXFB70N60Q2

MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264

IXYS

2,606
IXFB70N60Q2

Технический лист

HiPerFET™, Q2 Class TO-264-3, TO-264AA Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 70A (Tc) 10V 88mOhm @ 35A, 10V 5.5V @ 8mA 265 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS264™
IXFN55N50

IXFN55N50

MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B

Littelfuse Inc.

7,165
IXFN55N50

Технический лист

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 55A (Tc) 10V 90mOhm @ 27.5A, 10V 4.5V @ 8mA 330 nC @ 10 V ±20V 9400 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXFK30N100Q2

IXFK30N100Q2

MOSFET N-CH 1000V 30A TO264AA

IXYS

2,008
IXFK30N100Q2

Технический лист

HiPerFET™, Q2 Class TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 30A (Tc) 10V 400mOhm @ 15A, 10V 5V @ 8mA 186 nC @ 10 V ±30V 8200 pF @ 25 V - 735W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
APT6015LVRG

APT6015LVRG

MOSFET N-CH 600V 38A TO264

Microchip Technology

2,547
APT6015LVRG

Технический лист

POWER MOS V® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 38A (Tc) - 150mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 2.5mA 475 nC @ 10 V - 9000 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-264 [L]
APT20M20B2FLLG

APT20M20B2FLLG

MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX

Microchip Technology

4,709
APT20M20B2FLLG

Технический лист

POWER MOS V® TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 100A (Tc) - 20mOhm @ 50A, 10V 5V @ 2.5mA 110 nC @ 10 V - 6850 pF @ 25 V - - - - - Through Hole T-MAX™ [B2]
APT66F60L

APT66F60L

MOSFET N-CH 600V 70A TO264

Microchip Technology

5,907
APT66F60L

Технический лист

POWER MOS 8™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 70A (Tc) 10V 90mOhm @ 33A, 10V 5V @ 2.5mA 330 nC @ 10 V ±30V 13190 pF @ 25 V - 1135W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 [L]
IXTR120P20T

IXTR120P20T

MOSFET P-CH 200V 90A ISOPLUS247

Littelfuse Inc.

5,407
IXTR120P20T

Технический лист

TrenchP™ TO-247-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 90A (Tc) 10V 32mOhm @ 60A, 10V 4.5V @ 250µA 740 nC @ 10 V ±15V 73000 pF @ 25 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
APT30M36B2FLLG

APT30M36B2FLLG

MOSFET N-CH 300V 84A T-MAX

Microchip Technology

7,315
APT30M36B2FLLG

Технический лист

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 84A (Tc) - 36mOhm @ 42A, 10V 5V @ 2.5mA 115 nC @ 10 V - 6480 pF @ 25 V - - - - - Through Hole T-MAX™ [B2]
APT50M75LFLLG

APT50M75LFLLG

MOSFET N-CH 500V 57A TO264

Microchip Technology

2,353
APT50M75LFLLG

Технический лист

POWER MOS 7® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 57A (Tc) - 75mOhm @ 28.5A, 10V 5V @ 2.5mA 125 nC @ 10 V - 5590 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-264 [L]
APT48M80B2

APT48M80B2

MOSFET N-CH 800V 49A T-MAX

Microchip Technology

3,822
APT48M80B2

Технический лист

POWER MOS 8™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 49A (Tc) 10V 190mOhm @ 24A, 10V 5V @ 2.5mA 305 nC @ 10 V ±30V 9330 pF @ 25 V - 1135W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
SICW021N120P-BP

SICW021N120P-BP

SIC MOSFET,TO-247AB

Micro Commercial Co

2,051

-

- TO-247-3 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 100A (Tc) 18V 29.4mOhm @ 50A, 18V 4.5V @ 17mA 200 nC @ 18 V +22V, -10V 3741 pF @ 800 V - 469W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AB

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.