Популярные запросы 900-5G190-2270-000 900-5G192-2571-000 900-5G192-2270-000 NANO120SE3AN BF24TFREDUPS M378A1K43CB2-CTD 900-5G132-2240-000 MMF404326 CONNECTOR-GX12-4 900-5G132-2560-000

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
IXTN21N100 MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B IXYS	6,694	-	Запрос цены	-	MegaMOS™	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1000 V	21A (Tc)	10V	550mOhm @ 500mA, 10V	4.5V @ 500µA	250 nC @ 10 V	±20V	8400 pF @ 25 V	-	520W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Chassis Mount	SOT-227B
APT1201R4BFLLG MOSFET N-CH 1200V 9A TO247 Microchip Technology	4,027	-	Запрос цены	Технический лист	POWER MOS 7®	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1200 V	9A (Tc)	10V	1.5Ohm @ 4.5A, 10V	5V @ 1mA	75 nC @ 10 V	±30V	2030 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247 [B]
IXFK24N100F MOSFET N-CH 1000V 24A TO264 IXYS	6,052	-	Запрос цены	-	HiPerRF™	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1000 V	24A (Tc)	10V	390mOhm @ 12A, 10V	5.5V @ 8mA	195 nC @ 10 V	±20V	6600 pF @ 25 V	-	560W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-264AA
IXFB52N90P MOSFET N-CH 900V 52A PLUS264 Littelfuse Inc.	8,178	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™, Polar	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	900 V	52A (Tc)	10V	160mOhm @ 26A, 10V	6.5V @ 1mA	308 nC @ 10 V	±30V	19000 pF @ 25 V	-	1250W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	PLUS264™
IXFE48N50QD2 MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B IXYS	4,737	-	Запрос цены	-	HiPerFET™	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	41A (Tc)	10V	110mOhm @ 24A, 10V	4V @ 4mA	190 nC @ 10 V	±20V	8000 pF @ 25 V	-	400W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Chassis Mount	SOT-227B
IXFE48N50QD3 MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B IXYS	5,150	-	Запрос цены	-	HiPerFET™	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	41A (Tc)	10V	110mOhm @ 24A, 10V	4V @ 4mA	190 nC @ 10 V	±20V	8000 pF @ 25 V	-	400W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Chassis Mount	SOT-227B
SCTWA70N120G2V-4 DISCRETE STMicroelectronics	9,541	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-247-4	Bulk	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1200 V	91A (Tc)	18V	30mOhm @ 50A, 18V	4.9V @ 1mA	150 nC @ 18 V	+22V, -10V	3540 pF @ 800 V	-	547W	-55°C ~ 200°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247-4
APT8030LVRG MOSFET N-CH 800V 27A TO264 Microchip Technology	6,255	-	Запрос цены	Технический лист	POWER MOS V®	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	800 V	27A (Tc)	-	300mOhm @ 500mA, 10V	4V @ 2.5mA	510 nC @ 10 V	-	7900 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	Through Hole	TO-264 [L]
APT34F100B2 MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX Microchip Technology	8,652	-	Запрос цены	Технический лист	POWER MOS 8™	TO-247-3 Variant	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1000 V	35A (Tc)	10V	380mOhm @ 18A, 10V	5V @ 2.5mA	305 nC @ 10 V	±30V	9835 pF @ 25 V	-	1135W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	T-MAX™ [B2]
APT34F100L MOSFET N-CH 1000V 35A TO264 Microchip Technology	6,495	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1000 V	35A (Tc)	10V	400mOhm @ 18A, 10V	5V @ 2.5mA	305 nC @ 10 V	±30V	9835 pF @ 25 V	-	1135W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-264 [L]
IXFL30N120P MOSFET N-CH 1200V 18A I5PAK IXYS	4,520	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™, Polar	ISOPLUSi5-PAK™	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1200 V	18A (Tc)	10V	380mOhm @ 15A, 10V	6.5V @ 1mA	310 nC @ 10 V	±30V	19000 pF @ 25 V	-	357W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	ISOPLUSi5-Pak™
IXFE44N50QD2 MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B IXYS	9,114	-	Запрос цены	-	HiPerFET™	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	39A (Tc)	10V	120mOhm @ 22A, 10V	4V @ 4mA	190 nC @ 10 V	±20V	8000 pF @ 25 V	-	400W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Chassis Mount	SOT-227B
IXFE44N50QD3 MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B IXYS	6,011	-	Запрос цены	-	HiPerFET™	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	39A (Tc)	10V	120mOhm @ 22A, 10V	4V @ 4mA	190 nC @ 10 V	±20V	8000 pF @ 25 V	-	400W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Chassis Mount	SOT-227B
IXTF6N200P3 MOSFET N-CH 2000V 4A I4PAC IXYS	8,712	-	Запрос цены	Технический лист	Polar P3™	ISOPLUSi5-PAK™	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	2000 V	4A (Tc)	10V	4.2Ohm @ 3A, 10V	5V @ 250µA	143 nC @ 10 V	±20V	3700 pF @ 25 V	-	215W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	ISOPLUS i4-PAC™
APT50M75B2FLLG MOSFET N-CH 500V 57A T-MAX Microchip Technology	7,531	-	Запрос цены	Технический лист	POWER MOS 7®	TO-247-3 Variant	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	57A (Tc)	-	75mOhm @ 28.5A, 10V	5V @ 2.5mA	125 nC @ 10 V	-	5590 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	Through Hole	T-MAX™ [B2]
APT84F50B2 MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX Microchip Technology	9,517	-	Запрос цены	Технический лист	POWER MOS 8™	TO-247-3 Variant	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	84A (Tc)	10V	65mOhm @ 42A, 10V	5V @ 2.5mA	340 nC @ 10 V	±30V	13500 pF @ 25 V	-	1135W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	T-MAX™ [B2]
APT10M09LVFRG MOSFET N-CH 100V 100A TO264 Microchip Technology	6,995	-	Запрос цены	Технический лист	POWER MOS V®	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	100A (Tc)	-	9mOhm @ 50A, 10V	4V @ 2.5mA	350 nC @ 10 V	-	9875 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	Through Hole	TO-264 [L]
APT10078SLLG MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK Microchip Technology	4,423	-	Запрос цены	Технический лист	POWER MOS 7®	TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1000 V	14A (Tc)	10V	780mOhm @ 7A, 10V	5V @ 1mA	95 nC @ 10 V	±30V	2525 pF @ 25 V	-	403W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D3PAK
APT8030LVFRG MOSFET N-CH 800V 27A TO264 Microchip Technology	7,131	-	Запрос цены	Технический лист	POWER MOS V®	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	800 V	27A (Tc)	-	300mOhm @ 500mA, 10V	4V @ 2.5mA	510 nC @ 10 V	-	7900 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	Through Hole	TO-264 [L]
STE139N65M5 MOSFET N-CH 650V 130A ISOTOP STMicroelectronics	4,387	-	Запрос цены	-	MDmesh™	ISOTOP	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	650 V	130A (Tc)	10V	17mOhm @ 65A, 10V	5V @ 250µA	363 nC @ 10 V	±25V	15600 pF @ 100 V	-	672W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Chassis Mount	ISOTOP