Популярные запросы 900-5G190-2270-000 900-5G192-2571-000 900-5G192-2270-000 NANO120SE3AN BF24TFREDUPS M378A1K43CB2-CTD 900-5G132-2240-000 MMF404326 CONNECTOR-GX12-4 900-5G132-2560-000

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
IXFN150N15 MOSFET N-CH 150V 150A SOT227B IXYS	7,079	-	Запрос цены	-	HiPerFET™	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150 V	150A (Tc)	10V	12.5mOhm @ 75A, 10V	4V @ 8mA	360 nC @ 10 V	±20V	9100 pF @ 25 V	-	600W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Chassis Mount	SOT-227B
IXFH80N085 MOSFET N-CH 85V 80A TO247AD IXYS	3,818	-	Запрос цены	-	HiPerFET™	TO-247-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	85 V	80A (Tc)	10V	9mOhm @ 40A, 10V	4V @ 4mA	180 nC @ 10 V	±20V	4800 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AD (IXFH)
APT1201R6BVFRG MOSFET N-CH 1200V 8A TO247 Microchip Technology	3,853	-	Запрос цены	Технический лист	POWER MOS V®	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1200 V	8A (Tc)	-	1.6Ohm @ 4A, 10V	4V @ 1mA	230 nC @ 10 V	-	3660 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	Through Hole	TO-247 [B]
IXFR30N110P MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247 IXYS	5,809	-	Запрос цены	-	HiPerFET™, Polar	TO-247-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1100 V	16A (Tc)	10V	400mOhm @ 15A, 10V	6.5V @ 1mA	235 nC @ 10 V	±30V	13600 pF @ 25 V	-	320W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	ISOPLUS247™
APT24M120L MOSFET N-CH 1200V 24A TO264 Microchip Technology	7,488	-	Запрос цены	Технический лист	POWER MOS 8™	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1200 V	24A (Tc)	10V	680mOhm @ 12A, 10V	5V @ 2.5mA	260 nC @ 10 V	±30V	8370 pF @ 25 V	-	1040W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-264 [L]
APT10086BVRG MOSFET N-CH 1000V 13A TO247 Microchip Technology	2,011	-	Запрос цены	Технический лист	POWER MOS V®	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1000 V	13A (Tc)	-	860mOhm @ 500mA, 10V	4V @ 1mA	275 nC @ 10 V	-	4440 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	Through Hole	TO-247 [B]
IXFN73N30Q MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B IXYS	9,595	-	Запрос цены	-	HiPerFET™, Q Class	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	300 V	73A (Tc)	10V	45mOhm @ 500mA, 10V	4V @ 4mA	195 nC @ 10 V	±30V	5400 pF @ 25 V	-	481W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Chassis Mount	SOT-227B
NTCR013N120M3S WAFER DIE onsemi	7,942	-	Запрос цены	Технический лист	-	Die	Tray	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	1200 V	-	18V	20mOhm @ 75A, 18V	4.4V @ 37mA	254 nC @ 18 V	-	5813 pF @ 800 V	-	-	-	-	-	Surface Mount	Die
NTCTR028N170M1 SIC MOS TNR 28MOHM 1700V M1 WAFE onsemi	8,924	-	Запрос цены	-	-	-	Tape & Reel (TR)	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IXFK34N80 MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA IXYS	2,797	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	800 V	34A (Tc)	10V	240mOhm @ 17A, 10V	5V @ 8mA	270 nC @ 10 V	±20V	7500 pF @ 25 V	-	560W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-264AA (IXFK)
APT66M60L MOSFET N-CH 600V 70A TO264 Microchip Technology	9,211	-	Запрос цены	Технический лист	POWER MOS 8™	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600 V	70A (Tc)	10V	190mOhm @ 33A, 10V	5V @ 2.5mA	330 nC @ 10 V	±30V	13190 pF @ 25 V	-	1135W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-264 [L]
APT8043BFLLG MOSFET N-CH 800V 20A TO247 Microchip Technology	3,667	-	Запрос цены	Технический лист	POWER MOS 7®	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	800 V	20A (Tc)	-	430mOhm @ 10A, 10V	5V @ 1mA	85 nC @ 10 V	-	2500 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	Through Hole	TO-247 [B]
IXFX130N65X3 DISCRETE MOSFET 130A 650V X3 PLU Littelfuse Inc.	4,700	-	Запрос цены	-	-	-	Tube	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IXFK130N65X3 DISCRETE MOSFET 130A 650V X3 TO2 Littelfuse Inc.	2,501	-	Запрос цены	-	-	-	Tube	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IXFB72N55Q2 MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264 IXYS	4,406	-	Запрос цены	-	HiPerFET™, Q2 Class	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	550 V	72A (Tc)	10V	72mOhm @ 500mA, 10V	5V @ 8mA	258 nC @ 10 V	±30V	10500 pF @ 25 V	-	890W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	PLUS264™
IXFL60N80P MOSFET N-CH 800V 40A ISOPLUS264 Littelfuse Inc.	4,526	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™, Polar	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	800 V	40A (Tc)	10V	150mOhm @ 30A, 10V	5V @ 8mA	250 nC @ 10 V	±30V	18000 pF @ 25 V	-	625W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	ISOPLUS264™
IXTN120N25 MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B IXYS	7,413	-	Запрос цены	-	MegaMOS™	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	250 V	120A (Tc)	-	20mOhm @ 500mA, 10V	4V @ 250µA	360 nC @ 10 V	-	7700 pF @ 25 V	-	730W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Chassis Mount	SOT-227B
IXFN20N120 MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B IXYS	5,487	-	Запрос цены	-	HiPerFET™	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1200 V	20A (Tc)	10V	750mOhm @ 500mA, 10V	4.5V @ 8mA	160 nC @ 10 V	±30V	7400 pF @ 25 V	-	780W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Chassis Mount	SOT-227B
IXFE24N100 MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B IXYS	3,196	-	Запрос цены	-	HiPerFET™	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1000 V	22A (Tc)	10V	390mOhm @ 12A, 10V	5V @ 8mA	250 nC @ 10 V	±20V	7000 pF @ 25 V	-	500W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Chassis Mount	SOT-227B
IXFN50N50 MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B IXYS	5,521	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	50A (Tc)	10V	90mOhm @ 500mA, 10V	4.5V @ 8mA	330 nC @ 10 V	±20V	9400 pF @ 25 V	-	600W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Chassis Mount	SOT-227B