Популярные запросы 900-5G132-2540-000 MRFE6VS25GNR1 900-5G133-2250-000 900-5G133-2550-000 900-5G133-2240-000 900-5G195-2250-000 FSI-130-10-LM-D-M-AD-P-TR MBRB1040-TP XC6220B33BPR-G XC6220B28BPR-G

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
IRFS33N15DPBF MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK Infineon Technologies	2,707	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150 V	33A (Tc)	10V	56mOhm @ 20A, 10V	5.5V @ 250µA	90 nC @ 10 V	±30V	2020 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 170W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRF3704SPBF MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK Infineon Technologies	7,838	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	77A (Tc)	4.5V, 10V	9mOhm @ 15A, 10V	3V @ 250µA	19 nC @ 4.5 V	±20V	1996 pF @ 10 V	-	87W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRLR3802PBF MOSFET N-CH 12V 84A DPAK Infineon Technologies	5,068	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12 V	84A (Tc)	2.8V, 4.5V	8.5mOhm @ 15A, 4.5V	1.9V @ 250µA	41 nC @ 5 V	±12V	2490 pF @ 6 V	-	88W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRL2910SPBF MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK Infineon Technologies	7,829	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	55A (Tc)	4V, 10V	26mOhm @ 29A, 10V	2V @ 250µA	140 nC @ 5 V	±16V	3700 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRLR3715PBF MOSFET N-CH 20V 54A DPAK Infineon Technologies	5,939	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	54A (Tc)	4.5V, 10V	14mOhm @ 26A, 10V	3V @ 250µA	17 nC @ 4.5 V	±20V	1060 pF @ 10 V	-	3.8W (Ta), 71W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRFS31N20DPBF MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Infineon Technologies	4,209	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	31A (Tc)	10V	82mOhm @ 18A, 10V	5.5V @ 250µA	107 nC @ 10 V	±30V	2370 pF @ 25 V	-	3.1W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRL3102SPBF MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK Infineon Technologies	9,229	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	61A (Tc)	4.5V, 7V	13mOhm @ 37A, 7V	700mV @ 250µA (Min)	58 nC @ 4.5 V	±10V	2500 pF @ 15 V	-	89W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRF3708SPBF MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK Infineon Technologies	7,518	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	62A (Tc)	2.8V, 10V	12mOhm @ 15A, 10V	2V @ 250µA	24 nC @ 4.5 V	±12V	2417 pF @ 15 V	-	87W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRF3708PBF MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB Infineon Technologies	7,904	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	62A (Tc)	2.8V, 10V	12mOhm @ 15A, 10V	2V @ 250µA	24 nC @ 4.5 V	±12V	2417 pF @ 15 V	-	87W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRLU2703PBF MOSFET N-CH 30V 23A IPAK Infineon Technologies	6,965	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	23A (Tc)	4.5V, 10V	45mOhm @ 14A, 10V	1V @ 250µA	15 nC @ 4.5 V	±16V	450 pF @ 25 V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	IPAK (TO-251AA)
IRL3705NSPBF MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK Infineon Technologies	9,116	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	89A (Tc)	4V, 10V	10mOhm @ 46A, 10V	2V @ 250µA	98 nC @ 5 V	±16V	3600 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 170W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRLU2905PBF MOSFET N-CH 55V 42A IPAK Infineon Technologies	6,686	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	42A (Tc)	-	27mOhm @ 25A, 10V	2V @ 250µA	48 nC @ 5 V	-	1700 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	Through Hole	IPAK
IRFZ44ZSPBF MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Infineon Technologies	4,081	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	51A (Tc)	10V	13.9mOhm @ 31A, 10V	4V @ 250µA	43 nC @ 10 V	±20V	1420 pF @ 25 V	-	80W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRL3103LPBF MOSFET N-CH 30V 64A TO262 Infineon Technologies	6,347	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	64A (Tc)	4.5V, 10V	12mOhm @ 34A, 10V	1V @ 250µA	33 nC @ 4.5 V	±16V	1650 pF @ 25 V	-	94W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-262
IRFR3411PBF MOSFET N-CH 100V 32A DPAK Infineon Technologies	9,494	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	32A (Tc)	10V	44mOhm @ 16A, 10V	4V @ 250µA	71 nC @ 10 V	±20V	1960 pF @ 25 V	-	130W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRFIZ24EPBF MOSFET N-CH 60V 14A TO220AB FP Infineon Technologies	2,427	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3 Full Pack	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	14A (Tc)	10V	71mOhm @ 7.8A, 10V	4V @ 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	370 pF @ 25 V	-	29W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB Full-Pak
IRL2703SPBF MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK Infineon Technologies	5,657	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	24A (Tc)	4.5V, 10V	40mOhm @ 14A, 10V	1V @ 250µA	15 nC @ 4.5 V	±16V	450 pF @ 25 V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRFR15N20DPBF MOSFET N-CH 200V 17A DPAK Infineon Technologies	3,002	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	17A (Tc)	10V	165mOhm @ 10A, 10V	5.5V @ 250µA	41 nC @ 10 V	±30V	910 pF @ 25 V	-	3W (Ta), 140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRFL4105PBF MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 Infineon Technologies	4,041	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-261-4, TO-261AA	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	3.7A (Ta)	10V	45mOhm @ 3.7A, 10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	660 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	SOT-223
IRLU3915PBF MOSFET N-CH 55V 30A IPAK Infineon Technologies	9,198	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	30A (Tc)	5V, 10V	14mOhm @ 30A, 10V	3V @ 250µA	92 nC @ 10 V	±16V	1870 pF @ 25 V	-	120W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	IPAK (TO-251AA)