Популярные запросы 900-5G132-2540-000 MRFE6VS25GNR1 900-5G133-2250-000 900-5G133-2550-000 900-5G133-2240-000 900-5G195-2250-000 FSI-130-10-LM-D-M-AD-P-TR MBRB1040-TP XC6220B33BPR-G XC6220B28BPR-G

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
IRF1503PBF MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB Infineon Technologies	3,325	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	75A (Tc)	10V	3.3mOhm @ 140A, 10V	4V @ 250µA	200 nC @ 10 V	±20V	5730 pF @ 25 V	-	330W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRFB23N20DPBF MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB Infineon Technologies	3,997	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	24A (Tc)	10V	100mOhm @ 14A, 10V	5.5V @ 250µA	86 nC @ 10 V	±30V	1960 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 170W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRLR024NPBF MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Infineon Technologies	8,013	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	17A (Tc)	4V, 10V	65mOhm @ 10A, 10V	2V @ 250µA	15 nC @ 5 V	±16V	480 pF @ 25 V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRLR8103VPBF MOSFET N-CH 30V 91A DPAK Infineon Technologies	2,071	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	91A (Tc)	4.5V, 10V	9mOhm @ 15A, 10V	3V @ 250µA	27 nC @ 5 V	±20V	2672 pF @ 16 V	-	115W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRL1404SPBF MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Infineon Technologies	8,319	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40 V	160A (Tc)	4.3V, 10V	4mOhm @ 95A, 10V	3V @ 250µA	140 nC @ 5 V	±20V	6600 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRFS41N15DPBF MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK Infineon Technologies	9,382	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150 V	41A (Tc)	10V	45mOhm @ 25A, 10V	5.5V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±30V	2520 pF @ 25 V	-	3.1W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRLR3103PBF MOSFET N-CH 30V 55A DPAK Infineon Technologies	3,953	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	55A (Tc)	4.5V, 10V	19mOhm @ 33A, 10V	1V @ 250µA	50 nC @ 4.5 V	±16V	1600 pF @ 25 V	-	107W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRL3705ZSPBF MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Infineon Technologies	5,620	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	75A (Tc)	4.5V, 10V	8mOhm @ 52A, 10V	3V @ 250µA	60 nC @ 5 V	±16V	2880 pF @ 25 V	-	130W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRLL024NPBF MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 Infineon Technologies	6,241	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-261-4, TO-261AA	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	3.1A (Ta)	4V, 10V	65mOhm @ 3.1A, 10V	2V @ 250µA	15.6 nC @ 5 V	±16V	510 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	SOT-223
IRL530NSPBF MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK Infineon Technologies	4,346	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	17A (Tc)	4V, 10V	100mOhm @ 9A, 10V	2V @ 250µA	34 nC @ 5 V	±20V	800 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 79W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRLR3714PBF MOSFET N-CH 20V 36A DPAK Infineon Technologies	9,008	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	36A (Tc)	4.5V, 10V	20mOhm @ 18A, 10V	3V @ 250µA	9.7 nC @ 4.5 V	±20V	670 pF @ 10 V	-	47W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRLR3105PBF MOSFET N-CH 55V 25A DPAK Infineon Technologies	6,002	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	25A (Tc)	5V, 10V	37mOhm @ 15A, 10V	3V @ 250µA	20 nC @ 5 V	±16V	710 pF @ 25 V	-	57W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRL3714LPBF MOSFET N-CH 20V 36A TO262 Infineon Technologies	8,986	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	36A (Tc)	4.5V, 10V	20mOhm @ 18A, 10V	3V @ 250µA	9.7 nC @ 4.5 V	±20V	670 pF @ 10 V	-	47W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-262
IRLU014NPBF MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK Infineon Technologies	8,926	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	10A (Tc)	4.5V, 10V	140mOhm @ 6A, 10V	1V @ 250µA	7.9 nC @ 5 V	±16V	265 pF @ 25 V	-	28W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	IPAK
IRL3102PBF MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB Infineon Technologies	7,673	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	61A (Tc)	4.5V, 7V	13mOhm @ 37A, 7V	700mV @ 250µA (Min)	58 nC @ 4.5 V	±10V	2500 pF @ 15 V	-	89W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRFP064VPBF MOSFET N-CH 60V 130A TO247AC Infineon Technologies	9,586	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-247-3	Bag	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	130A (Tc)	10V	5.5mOhm @ 78A, 10V	4V @ 250µA	260 nC @ 10 V	±20V	6760 pF @ 25 V	-	250W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AC
IRFZ48ZSPBF MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK Infineon Technologies	6,912	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	61A (Tc)	10V	11mOhm @ 37A, 10V	4V @ 250µA	64 nC @ 10 V	±20V	1720 pF @ 25 V	-	91W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRFR5410PBF MOSFET P-CH 100V 13A DPAK Infineon Technologies	3,803	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Discontinued	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	13A (Tc)	10V	205mOhm @ 7.8A, 10V	4V @ 250µA	58 nC @ 10 V	±20V	760 pF @ 25 V	-	66W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRL3715SPBF MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK Infineon Technologies	4,277	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	54A (Tc)	4.5V, 10V	14mOhm @ 26A, 10V	3V @ 250µA	17 nC @ 4.5 V	±20V	1060 pF @ 10 V	-	3.8W (Ta), 71W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRFU3504PBF MOSFET N-CH 40V 30A IPAK Infineon Technologies	7,979	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40 V	30A (Tc)	10V	9.2mOhm @ 30A, 10V	4V @ 250µA	71 nC @ 10 V	±20V	2150 pF @ 25 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	IPAK (TO-251AA)