Популярные запросы 900-5G132-2540-000 MRFE6VS25GNR1 900-5G133-2250-000 900-5G133-2550-000 900-5G133-2240-000 900-5G195-2250-000 FSI-130-10-LM-D-M-AD-P-TR MBRB1040-TP XC6220B33BPR-G XC6220B28BPR-G

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
IRLR8503PBF MOSFET N-CH 30V 44A DPAK Infineon Technologies	9,376	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	44A (Tc)	4.5V, 10V	16mOhm @ 15A, 10V	3V @ 250µA	20 nC @ 5 V	±20V	1650 pF @ 25 V	-	62W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRLZ34NSPBF MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK Infineon Technologies	3,920	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	30A (Tc)	4V, 10V	35mOhm @ 16A, 10V	2V @ 250µA	25 nC @ 5 V	±16V	880 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRF1010ZSPBF MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Infineon Technologies	5,473	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	75A (Tc)	10V	7.5mOhm @ 75A, 10V	4V @ 250µA	95 nC @ 10 V	±20V	2840 pF @ 25 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRFZ44ESPBF MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK Infineon Technologies	5,606	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	48A (Tc)	10V	23mOhm @ 29A, 10V	4V @ 250µA	60 nC @ 10 V	±20V	1360 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRFZ34NSPBF MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK Infineon Technologies	9,610	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	29A (Tc)	10V	40mOhm @ 16A, 10V	4V @ 250µA	34 nC @ 10 V	±20V	700 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRL1004SPBF MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK Infineon Technologies	5,234	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40 V	130A (Tc)	4.5V, 10V	6.5mOhm @ 78A, 10V	1V @ 250µA	100 nC @ 4.5 V	±16V	5330 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRL2505SPBF MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK Infineon Technologies	3,338	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	104A (Tc)	4V, 10V	8mOhm @ 54A, 10V	2V @ 250µA	130 nC @ 5 V	±16V	5000 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRFS17N20DPBF MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK Infineon Technologies	6,991	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	16A (Tc)	10V	170mOhm @ 9.8A, 10V	5.5V @ 250µA	50 nC @ 10 V	±30V	1100 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRL3714PBF MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB Infineon Technologies	6,942	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	36A (Tc)	4.5V, 10V	20mOhm @ 18A, 10V	3V @ 250µA	9.7 nC @ 4.5 V	±20V	670 pF @ 10 V	-	47W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRLR014NPBF MOSFET N-CH 55V 10A DPAK Infineon Technologies	3,737	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	10A (Tc)	4.5V, 10V	140mOhm @ 6A, 10V	1V @ 250µA	7.9 nC @ 5 V	±16V	265 pF @ 25 V	-	28W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRL3302PBF MOSFET N-CH 20V 39A TO220AB Infineon Technologies	3,861	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	39A (Tc)	4.5V, 7V	20mOhm @ 23A, 7V	700mV @ 250µA (Min)	31 nC @ 4.5 V	±10V	1300 pF @ 15 V	-	57W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRFR3518PBF MOSFET N-CH 80V 38A DPAK Infineon Technologies	6,094	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80 V	38A (Tc)	10V	29mOhm @ 18A, 10V	4V @ 250µA	56 nC @ 10 V	±20V	1710 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRF3707SPBF MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK Infineon Technologies	8,885	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	62A (Tc)	4.5V, 10V	12.5mOhm @ 15A, 10V	3V @ 250µA	19 nC @ 4.5 V	±20V	1990 pF @ 15 V	-	87W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRF1503SPBF MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Infineon Technologies	8,146	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	75A (Tc)	10V	3.3mOhm @ 140A, 10V	4V @ 250µA	200 nC @ 10 V	±20V	5730 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRL3103SPBF MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK Infineon Technologies	4,075	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	64A (Tc)	4.5V, 10V	12mOhm @ 34A, 10V	1V @ 250µA	33 nC @ 4.5 V	±16V	1650 pF @ 25 V	-	94W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRFL024ZPBF MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 Infineon Technologies	9,938	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-261-4, TO-261AA	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	5.1A (Ta)	10V	57.5mOhm @ 3.1A, 10V	4V @ 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	340 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	SOT-223
IRLI530NPBF MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP Infineon Technologies	3,464	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3 Full Pack	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	12A (Tc)	4V, 10V	100mOhm @ 9A, 10V	2V @ 250µA	34 nC @ 5 V	±16V	800 pF @ 25 V	-	41W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB Full-Pak
IRLZ24NSPBF MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK Infineon Technologies	9,509	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	18A (Tc)	4V, 10V	60mOhm @ 11A, 10V	2V @ 250µA	15 nC @ 5 V	±16V	480 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRLZ34NLPBF MOSFET N-CH 55V 30A TO262 Infineon Technologies	3,152	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	30A (Tc)	4V, 10V	35mOhm @ 16A, 10V	2V @ 250µA	25 nC @ 5 V	±16V	880 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-262
IRFU9120NPBF MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK Infineon Technologies	9,232	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	6.6A (Tc)	10V	480mOhm @ 3.9A, 10V	4V @ 250µA	27 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	40W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	IPAK (TO-251AA)