Популярные запросы 900-5G132-2540-000 MRFE6VS25GNR1 900-5G133-2250-000 900-5G133-2550-000 900-5G133-2240-000 900-5G195-2250-000 FSI-130-10-LM-D-M-AD-P-TR MBRB1040-TP XC6220B33BPR-G XC6220B28BPR-G

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
IRFZ44NSPBF MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK Infineon Technologies	4,117	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	49A (Tc)	10V	17.5mOhm @ 25A, 10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1470 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 94W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRFR3708PBF MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Infineon Technologies	2,118	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	61A (Tc)	2.8V, 10V	12.5mOhm @ 15A, 10V	2V @ 250µA	24 nC @ 4.5 V	±12V	2417 pF @ 15 V	-	87W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRFZ44NLPBF MOSFET N-CH 55V 49A TO262 Infineon Technologies	4,238	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	49A (Tc)	10V	17.5mOhm @ 25A, 10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1470 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 94W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-262
IRFZ48NLPBF MOSFET N-CH 55V 64A TO262 Infineon Technologies	4,839	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	64A (Tc)	10V	14mOhm @ 32A, 10V	4V @ 250µA	81 nC @ 10 V	±20V	1970 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 130W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-262
IRF3710LPBF MOSFET N-CH 100V 57A TO262 Infineon Technologies	9,479	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	57A (Tc)	10V	23mOhm @ 28A, 10V	4V @ 250µA	130 nC @ 10 V	±20V	3130 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-262
IRFU3303PBF MOSFET N-CH 30V 33A IPAK Infineon Technologies	6,880	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	33A (Tc)	10V	31mOhm @ 18A, 10V	4V @ 250µA	29 nC @ 10 V	±20V	750 pF @ 25 V	-	57W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	IPAK (TO-251AA)
IRFI1010NPBF MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB FP Infineon Technologies	3,961	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3 Full Pack	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	49A (Tc)	10V	12mOhm @ 26A, 10V	4V @ 250µA	130 nC @ 10 V	±20V	2900 pF @ 25 V	-	58W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB Full-Pak
IRF1010EZSPBF MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Infineon Technologies	5,167	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	75A (Tc)	10V	8.5mOhm @ 51A, 10V	4V @ 100µA	86 nC @ 10 V	±20V	2810 pF @ 25 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRL3103PBF MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB Infineon Technologies	3,954	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	64A (Tc)	4.5V, 10V	12mOhm @ 34A, 10V	1V @ 250µA	33 nC @ 4.5 V	±16V	1650 pF @ 25 V	-	94W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRFZ48NSPBF MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK Infineon Technologies	2,267	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	64A (Tc)	10V	14mOhm @ 32A, 10V	4V @ 250µA	81 nC @ 10 V	±20V	1970 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 130W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRFIB41N15DPBF MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB FP Infineon Technologies	5,473	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3 Full Pack	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150 V	41A (Tc)	10V	45mOhm @ 25A, 10V	5.5V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	2520 pF @ 25 V	-	48W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB Full-Pak
IRFR12N25DPBF MOSFET N-CH 250V 14A DPAK Infineon Technologies	2,565	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	250 V	14A (Tc)	10V	260mOhm @ 8.4A, 10V	5V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±30V	810 pF @ 25 V	-	144W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRLIZ44NPBF MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB FP Infineon Technologies	2,407	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3 Full Pack	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	30A (Tc)	4V, 10V	22mOhm @ 17A, 10V	2V @ 250µA	48 nC @ 5 V	±16V	1700 pF @ 25 V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB Full-Pak
IRFIZ48VPBF MOSFET N-CH 60V 39A TO220AB FP Infineon Technologies	2,341	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3 Full Pack	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	39A (Tc)	10V	12mOhm @ 43A, 10V	4V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	1985 pF @ 25 V	-	43W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB Full-Pak
IRLI540NPBF MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP Infineon Technologies	2,484	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3 Full Pack	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	23A (Tc)	4V, 10V	44mOhm @ 12A, 10V	2V @ 250µA	74 nC @ 5 V	±16V	1800 pF @ 25 V	-	54W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB Full-Pak
IRFP048NPBF MOSFET N-CH 55V 64A TO247AC Infineon Technologies	3,397	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-247-3	Bag	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	64A (Tc)	10V	16mOhm @ 37A, 10V	4V @ 250µA	89 nC @ 10 V	±20V	1900 pF @ 25 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AC
IRFZ46ZPBF MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB Infineon Technologies	7,534	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	51A (Tc)	10V	13.6mOhm @ 31A, 10V	4V @ 250µA	46 nC @ 10 V	±20V	1460 pF @ 25 V	-	82W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRFP044NPBF MOSFET N-CH 55V 53A TO247AC Infineon Technologies	9,480	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-247-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	53A (Tc)	10V	20mOhm @ 29A, 10V	4V @ 250µA	61 nC @ 10 V	±20V	1500 pF @ 25 V	-	120W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AC
IRL3502PBF MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB Infineon Technologies	6,796	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	110A (Tc)	4.5V, 7V	7mOhm @ 64A, 7V	700mV @ 250µA (Min)	110 nC @ 4.5 V	±10V	4700 pF @ 15 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRLI520NPBF MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB FP Infineon Technologies	3,543	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3 Full Pack	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	8.1A (Tc)	4V, 10V	180mOhm @ 6A, 10V	2V @ 250µA	20 nC @ 5 V	±16V	440 pF @ 25 V	-	30W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB Full-Pak