Популярные запросы 900-5G132-2540-000 MRFE6VS25GNR1 900-5G133-2250-000 900-5G133-2550-000 900-5G133-2240-000 900-5G195-2250-000 FSI-130-10-LM-D-M-AD-P-TR MBRB1040-TP XC6220B33BPR-G XC6220B28BPR-G

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
IRF840PBF MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB Infineon Technologies	8,489	-	Запрос цены	-	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	8A (Tc)	10V	850mOhm @ 4.8A, 10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRFB4710PBF MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB Infineon Technologies	9,800	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	75A (Tc)	10V	14mOhm @ 45A, 10V	5.5V @ 250µA	170 nC @ 10 V	±20V	6160 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRFP460PBF MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC Infineon Technologies	5,534	-	Запрос цены	-	HEXFET®	TO-247-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	20A (Tc)	10V	270mOhm @ 12A, 10V	4V @ 250µA	210 nC @ 10 V	±20V	4200 pF @ 25 V	-	280W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AC
IRFR6215PBF MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Infineon Technologies	4,272	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Discontinued	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150 V	13A (Tc)	10V	295mOhm @ 6.6A, 10V	4V @ 250µA	66 nC @ 10 V	±20V	860 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRFB11N50APBF MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB Infineon Technologies	2,758	-	Запрос цены	-	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	11A (Tc)	10V	520mOhm @ 6.6A, 10V	4V @ 250µA	52 nC @ 10 V	±30V	1423 pF @ 25 V	-	170W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRFR3707PBF MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Infineon Technologies	6,974	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	61A (Tc)	4.5V, 10V	13mOhm @ 15A, 10V	3V @ 250µA	19 nC @ 4.5 V	±20V	1990 pF @ 15 V	-	87W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRF1404SPBF MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Infineon Technologies	8,596	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40 V	162A (Tc)	10V	4mOhm @ 95A, 10V	4V @ 250µA	200 nC @ 10 V	±20V	7360 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRF3205LPBF MOSFET N-CH 55V 110A TO262 Infineon Technologies	4,059	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	110A (Tc)	10V	8mOhm @ 62A, 10V	4V @ 250µA	146 nC @ 10 V	±20V	3247 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-262
IRF3704PBF MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB Infineon Technologies	8,508	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	77A (Tc)	4.5V, 10V	9mOhm @ 15A, 10V	3V @ 250µA	19 nC @ 4.5 V	±20V	1996 pF @ 10 V	-	87W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRF530NSPBF MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK Infineon Technologies	4,363	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	17A (Tc)	10V	90mOhm @ 9A, 10V	4V @ 250µA	37 nC @ 10 V	±20V	920 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 70W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRF630NSPBF MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK Infineon Technologies	2,292	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	9.3A (Tc)	10V	300mOhm @ 5.4A, 10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	575 pF @ 25 V	-	82W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
IRFB31N20DPBF MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB Infineon Technologies	4,373	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	31A (Tc)	10V	82mOhm @ 18A, 10V	5.5V @ 250µA	107 nC @ 10 V	±30V	2370 pF @ 25 V	-	3.1W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRFB41N15DPBF MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB Infineon Technologies	4,988	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150 V	41A (Tc)	10V	45mOhm @ 25A, 10V	5.5V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±30V	2520 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRFR2407PBF MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Infineon Technologies	9,822	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Discontinued	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75 V	42A (Tc)	10V	26mOhm @ 25A, 10V	4V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	2400 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
IRFZ48VPBF MOSFET N-CH 60V 72A TO220AB Infineon Technologies	8,145	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	72A (Tc)	10V	12mOhm @ 43A, 10V	4V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	1985 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRL2203NPBF MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB Infineon Technologies	9,260	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	116A (Tc)	4.5V, 10V	7mOhm @ 60A, 10V	1V @ 250µA	60 nC @ 4.5 V	±16V	3290 pF @ 25 V	-	180W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRL3303PBF MOSFET N-CH 30V 38A TO220AB Infineon Technologies	3,865	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	38A (Tc)	4.5V, 10V	26mOhm @ 20A, 10V	1V @ 250µA	26 nC @ 4.5 V	±16V	870 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRL530NPBF MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB Infineon Technologies	5,546	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	17A (Tc)	4V, 10V	100mOhm @ 9A, 10V	2V @ 250µA	34 nC @ 5 V	±16V	800 pF @ 25 V	-	79W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IRFP4710PBF MOSFET N-CH 100V 72A TO247AC Infineon Technologies	6,134	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-247-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	72A (Tc)	10V	14mOhm @ 45A, 10V	5.5V @ 250µA	170 nC @ 10 V	±20V	6160 pF @ 25 V	-	190W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AC
IRFB59N10DPBF MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB Infineon Technologies	4,034	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	59A (Tc)	10V	25mOhm @ 35.4A, 10V	5.5V @ 250µA	114 nC @ 10 V	±30V	2450 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB