Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IRFZ44VZ

IRFZ44VZ

MOSFET N-CH 60V 57A TO220AB

Infineon Technologies

3,162
IRFZ44VZ

Технический лист

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 57A (Tc) 10V 12mOhm @ 34A, 10V 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V 1690 pF @ 25 V - 92W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFZ44VZS

IRFZ44VZS

MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK

Infineon Technologies

4,963
IRFZ44VZS

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 57A (Tc) 10V 12mOhm @ 34A, 10V 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V 1690 pF @ 25 V - 92W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF2807ZS

IRF2807ZS

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

Infineon Technologies

5,332
IRF2807ZS

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 75A (Tc) 10V 9.4mOhm @ 53A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 3270 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF1010EZS

IRF1010EZS

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

Infineon Technologies

9,771
IRF1010EZS

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 75A (Tc) 10V 8.5mOhm @ 51A, 10V 4V @ 100µA 86 nC @ 10 V ±20V 2810 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFZ46ZL

IRFZ46ZL

MOSFET N-CH 55V 51A TO262

Infineon Technologies

6,857
IRFZ46ZL

Технический лист

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 51A (Tc) 10V 13.6mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±20V 1460 pF @ 25 V - 82W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IPD13N03LA G

IPD13N03LA G

MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3

Infineon Technologies

2,976
IPD13N03LA G

Технический лист

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 12.8mOhm @ 30A, 10V 2V @ 20µA 8.3 nC @ 5 V ±20V 1043 pF @ 15 V - 46W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
SPD07N60C3BTMA1

SPD07N60C3BTMA1

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3

Infineon Technologies

8,307
SPD07N60C3BTMA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V 3.9V @ 350µA 27 nC @ 10 V ±20V 790 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
IPD04N03LA G

IPD04N03LA G

MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3

Infineon Technologies

6,609
IPD04N03LA G

Технический лист

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 3.8mOhm @ 50A, 10V 2V @ 80µA 41 nC @ 5 V ±20V 5199 pF @ 15 V - 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
SPB07N60C3ATMA1

SPB07N60C3ATMA1

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263-3

Infineon Technologies

6,123
SPB07N60C3ATMA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V 3.9V @ 350µA 27 nC @ 10 V ±20V 790 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
SPD04N50C3BTMA1

SPD04N50C3BTMA1

MOSFET N-CH 560V 4.5A TO252-3

Infineon Technologies

8,787
SPD04N50C3BTMA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 560 V 4.5A (Tc) 10V 950mOhm @ 2.8A, 10V 3.9V @ 200µA 22 nC @ 10 V ±20V 470 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
SPD06N80C3BTMA1

SPD06N80C3BTMA1

MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3

Infineon Technologies

7,568
SPD06N80C3BTMA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6A (Ta) 10V 900mOhm @ 3.8A, 10V 3.9V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V 785 pF @ 100 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
SPD03N50C3BTMA1

SPD03N50C3BTMA1

MOSFET N-CH 560V 3.2A TO252-3

Infineon Technologies

9,481
SPD03N50C3BTMA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 560 V 3.2A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V 3.9V @ 135µA 15 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
SPD03N60C3BTMA1

SPD03N60C3BTMA1

MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK

Infineon Technologies

6,700
SPD03N60C3BTMA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 3.2A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V 3.9V @ 135µA 17 nC @ 10 V ±20V 400 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
SPD02N60C3BTMA1

SPD02N60C3BTMA1

MOSFET N-CH 650V 1.8A TO252-3

Infineon Technologies

3,057
SPD02N60C3BTMA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 1.8A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.1A, 10V 3.9V @ 80µA 12.5 nC @ 10 V ±20V 200 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
IPD05N03LA G

IPD05N03LA G

MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3

Infineon Technologies

9,187
IPD05N03LA G

Технический лист

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 5.1mOhm @ 30A, 10V 2V @ 50µA 25 nC @ 5 V ±20V 3110 pF @ 15 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
IPD09N03LA G

IPD09N03LA G

MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3

Infineon Technologies

2,764
IPD09N03LA G

Технический лист

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 8.6mOhm @ 30A, 10V 2V @ 20µA 13 nC @ 5 V ±20V 1642 pF @ 15 V - 63W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
BSS223PW L6327

BSS223PW L6327

MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3

Infineon Technologies

8,259
BSS223PW L6327

Технический лист

OptiMOS™ SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 390mA (Ta) 2.5V, 4.5V 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V 1.2V @ 1.5µA 0.62 nC @ 4.5 V ±12V 56 pF @ 15 V - 250mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT323
BSS209PW

BSS209PW

MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3

Infineon Technologies

7,005
BSS209PW

Технический лист

OptiMOS™ SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 580mA (Ta) 2.5V, 4.5V 550mOhm @ 580mA, 4.5V 1.2V @ 3.5µA 1.38 nC @ 4.5 V ±12V 89.9 pF @ 15 V - 520mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT323
BSS83PE6327

BSS83PE6327

MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3

Infineon Technologies

8,250
BSS83PE6327

Технический лист

SIPMOS® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 330mA (Ta) 4.5V, 10V 2Ohm @ 330mA, 10V 2V @ 80µA 3.57 nC @ 10 V ±20V 78 pF @ 25 V - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-SOT23
BSS670S2L

BSS670S2L

MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3

Infineon Technologies

2,232
BSS670S2L

Технический лист

OptiMOS™ TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 540mA (Ta) 4.5V, 10V 650mOhm @ 270mA, 10V 2V @ 2.7µA 2.26 nC @ 10 V ±20V 75 pF @ 25 V - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT23

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.