Популярные запросы 900-5G190-2270-000 900-5G192-2571-000 900-5G192-2270-000 NANO120SE3AN BF24TFREDUPS M378A1K43CB2-CTD 900-5G132-2240-000 MMF404326 CONNECTOR-GX12-4 900-5G132-2560-000

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
APT1201R4SFLLG MOSFET N-CH 1200V 9A D3PAK Microchip Technology	6,540	-	Запрос цены	Технический лист	POWER MOS 7®	TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1200 V	9A (Tc)	-	1.4Ohm @ 4.5A, 10V	5V @ 1mA	120 nC @ 10 V	-	2500 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	Surface Mount	D3PAK
APT6013B2LLG MOSFET N-CH 600V 43A T-MAX Microchip Technology	9,543	-	Запрос цены	Технический лист	POWER MOS 7®	TO-247-3 Variant	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600 V	43A (Tc)	-	130mOhm @ 21.5A, 10V	5V @ 2.5mA	130 nC @ 10 V	-	5630 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	Through Hole	T-MAX™ [B2]
APT6013LLLG MOSFET N-CH 600V 43A TO264 Microchip Technology	2,093	-	Запрос цены	Технический лист	POWER MOS 7®	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600 V	43A (Tc)	10V	130mOhm @ 21.5A, 10V	5V @ 2.5mA	130 nC @ 10 V	±30V	5630 pF @ 25 V	-	565W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-264 [L]
GA10SICP12-263 TRANS SJT 1200V 25A D2PAK GeneSiC Semiconductor	3,835	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA	Tube	Active	-	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)	1200 V	25A (Tc)	-	100mOhm @ 10A	-	-	-	1403 pF @ 800 V	-	170W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-263-7
APT5510JFLL MOSFET N-CH 550V 44A ISOTOP Microsemi Corporation	2,900	-	Запрос цены	Технический лист	POWER MOS 7®	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	550 V	44A (Tc)	10V	100mOhm @ 22A, 10V	5V @ 2.5mA	124 nC @ 10 V	±30V	5823 pF @ 25 V	-	463W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Chassis Mount	ISOTOP®
SCTH50N120-7 SICFET N-CH 1200V 65A H2PAK-7 STMicroelectronics	8,993	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	1200 V	65A	20V	69mOhm @ 40A, 20V	5.1V @ 1mA	122 nC @ 20 V	+22V, -10V	1900 pF @ 400 V	-	270W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	H2PAK-7
IXTR210P10T MOSFET P-CH 100V 195A ISOPLUS247 Littelfuse Inc.	2,266	-	Запрос цены	Технический лист	TrenchP™	TO-247-3	Tube	Active	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	195A (Tc)	10V	8mOhm @ 105A, 10V	4.5V @ 250µA	740 nC @ 10 V	±15V	69500 pF @ 25 V	-	595W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	ISOPLUS247™
IXTT4N150HV-TRL MOSFET N-CH 1500V 4A TO268HV Littelfuse Inc.	6,354	-	Запрос цены	-	-	TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1500 V	4A (Tc)	10V	6Ohm @ 2A, 10V	5V @ 250µA	44.5 nC @ 10 V	±30V	1576 pF @ 25 V	-	280W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-268HV (IXTT)
IXFL40N110P MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264 IXYS	6,970	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™, Polar	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1100 V	21A (Tc)	10V	280mOhm @ 20A, 10V	6.5V @ 1mA	310 nC @ 10 V	±30V	19000 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	Through Hole	ISOPLUS264™
APT12080LVRG MOSFET N-CH 1200V 16A TO264 Microchip Technology	5,789	-	Запрос цены	-	POWER MOS V®	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1200 V	16A (Tc)	10V	800mOhm @ 8A, 10V	4V @ 2.5mA	485 nC @ 10 V	±30V	7800 pF @ 25 V	-	520W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-264 (L)
SCT30N120H SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2 STMicroelectronics	6,036	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	1200 V	40A (Tc)	20V	100mOhm @ 20A, 20V	3.5V @ 1mA	105 nC @ 20 V	+25V, -10V	1700 pF @ 400 V	-	270W (Tc)	-55°C ~ 200°C (TJ)	-	-	Surface Mount	H2PAK-2
STE110NS20FD MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP STMicroelectronics	2,812	-	Запрос цены	Технический лист	MESH OVERLAY™	ISOTOP	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	110A (Tc)	10V	24mOhm @ 50A, 10V	4V @ 250µA	504 nC @ 10 V	±20V	7900 pF @ 25 V	-	500W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Chassis Mount	ISOTOP®
IXFN120N60X3 DISCRETE MOSFET 120A 600V X3 SOT Littelfuse Inc.	9,951	-	Запрос цены	-	-	-	Tube	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
APT56F60B2 MOSFET N-CH 600V 60A T-MAX Microchip Technology	7,323	-	Запрос цены	Технический лист	POWER MOS 8™	TO-247-3 Variant	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600 V	60A (Tc)	10V	110mOhm @ 28A, 10V	5V @ 2.5mA	280 nC @ 10 V	±30V	11300 pF @ 25 V	-	1040W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	T-MAX™ [B2]
GS66516T-TR GS66516T-TR Infineon Technologies Canada Inc.	4,762	-	Запрос цены	-	-	4-SMD, No Lead	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	650 V	60A (Tc)	6V	32mOhm @ 18A, 6V	1.3V @ 14mA	12.1 nC @ 6 V	+7V, -10V	520 pF @ 400 V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	-
IXFN340N06 MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B IXYS	7,843	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Not For New Designs	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	340A (Tc)	10V	3mOhm @ 100A, 10V	4V @ 8mA	600 nC @ 10 V	±20V	16800 pF @ 25 V	-	700W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Chassis Mount	SOT-227B
IXFR26N100P MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247 Littelfuse Inc.	6,926	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™, Polar	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1000 V	15A (Tc)	10V	430mOhm @ 13A, 10V	6.5V @ 1mA	197 nC @ 10 V	±30V	11900 pF @ 25 V	-	290W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	ISOPLUS247™
APT10050LVFRG MOSFET N-CH 1000V 21A TO264 Microchip Technology	9,103	-	Запрос цены	Технический лист	POWER MOS V®	TO-264-3, TO-264AA	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1000 V	21A (Tc)	-	500mOhm @ 500mA, 10V	4V @ 2.5mA	500 nC @ 10 V	-	7900 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	Through Hole	TO-264 [L]
APT10050B2VFRG MOSFET N-CH 1000V 21A T-MAX Microchip Technology	6,737	-	Запрос цены	Технический лист	POWER MOS V®	TO-247-3 Variant	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1000 V	21A (Tc)	-	500mOhm @ 500mA, 10V	4V @ 2.5mA	500 nC @ 10 V	-	7900 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	Through Hole	T-MAX™ [B2]
IXFN72N55Q2 MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B IXYS	4,377	-	Запрос цены	-	HiPerFET™, Q2 Class	SOT-227-4, miniBLOC	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	550 V	72A (Tc)	10V	72mOhm @ 500mA, 10V	5V @ 8mA	258 nC @ 10 V	±30V	10500 pF @ 25 V	-	890W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Chassis Mount	SOT-227B