Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
TPH3205WSBQA

TPH3205WSBQA

GANFET N-CH 650V 35A TO247-3

Transphorm

7,791
TPH3205WSBQA

Технический лист

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 35A (Tc) 10V 62mOhm @ 22A, 8V 2.6V @ 700µA 42 nC @ 8 V ±18V 2200 pF @ 400 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
SICW040N120Y-BP

SICW040N120Y-BP

MOSFET N-CH 1200V 63A TO247AB

Micro Commercial Co

9,293
SICW040N120Y-BP

Технический лист

- TO-247-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 63A (Tc) 20V 52mOhm @ 40A, 20V 3.5V @ 10mA 120 nC @ 20 V +25V, -10V 2225 pF @ 1000 V - 390W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AB
SICW040N120Y4-BP

SICW040N120Y4-BP

MOSFET N-CH 1200V 63A TO247-4

Micro Commercial Co

5,092
SICW040N120Y4-BP

Технический лист

- TO-247-4 Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 63A (Tc) 20V 52mOhm @ 40A, 20V 3.5V @ 10mA 120 nC @ 20 V +25V, -10V 2225 pF @ 1000 V - 390W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
UJ4SC075010L8S

UJ4SC075010L8S

750V/10MO,SICFET,G4,TOLL

Qorvo

3,583
UJ4SC075010L8S

Технический лист

- 8-PowerSFN Bulk Active N-Channel, Depletion Mode SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 106A (Tc) 12V 14.2mOhm @ 60A, 12V 5.5V @ 10mA 75 nC @ 15 V ±20V 3245 pF @ 400 V - 556W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TOLL
APT8065SVRG

APT8065SVRG

MOSFET N-CH 800V 13A D3PAK

Microchip Technology

8,638
APT8065SVRG

Технический лист

POWER MOS V® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 13A (Tc) - 650mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 225 nC @ 10 V - 3700 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount D3PAK
APT6029SLLG

APT6029SLLG

MOSFET N-CH 600V 21A D3PAK

Microchip Technology

6,442
APT6029SLLG

Технический лист

POWER MOS 7® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Tc) - 290mOhm @ 10.5A, 10V 5V @ 1mA 65 nC @ 10 V - 2615 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount D3PAK
IXTT38N30L2HV

IXTT38N30L2HV

MOSFET N-CH 300V 38A TO268HV

Littelfuse Inc.

4,297
IXTT38N30L2HV

Технический лист

Linear L2™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 38A (Tc) 10V 100mOhm @ 19A, 10V 4.5V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 7200 pF @ 25 V - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXTT)
IXTH10N100D

IXTH10N100D

MOSFET N-CH 1000V 10A TO247

Littelfuse Inc.

8,159
IXTH10N100D

Технический лист

Depletion TO-247-3 Tube Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 10A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±30V 2500 pF @ 25 V - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
IXFX55N50

IXFX55N50

MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3

IXYS

9,906
IXFX55N50

Технический лист

HiPerFET™ TO-247-3 Variant Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 55A (Tc) 10V 80mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 8mA 330 nC @ 10 V ±20V 9400 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
APT20M34BLLG

APT20M34BLLG

MOSFET N-CH 200V 74A TO247

Microchip Technology

7,053
APT20M34BLLG

Технический лист

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 74A (Tc) - 34mOhm @ 37A, 10V 5V @ 1mA 60 nC @ 10 V - 3660 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]
APT5014BFLLG

APT5014BFLLG

MOSFET N-CH 500V 35A TO247

Microchip Technology

3,547
APT5014BFLLG

Технический лист

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 35A (Tc) - 140mOhm @ 17.5A, 10V 5V @ 1mA 72 nC @ 10 V - 3261 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]
IXFR50N50

IXFR50N50

MOSFET N-CH 500V 43A ISOPLUS247

IXYS

2,576

-

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 43A (Tc) 10V 100mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 8mA 330 nC @ 10 V ±20V 9400 pF @ 25 V - 400W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
IXFK55N50

IXFK55N50

MOSFET N-CH 500V 55A TO264AA

IXYS

8,242
IXFK55N50

Технический лист

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 55A (Tc) 10V 90mOhm @ 27.5A, 10V 4.5V @ 8mA 330 nC @ 10 V ±20V 9400 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
IXFX32N90P

IXFX32N90P

MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247-3

Littelfuse Inc.

7,480
IXFX32N90P

Технический лист

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 32A (Tc) 10V 300mOhm @ 16A, 10V 6.5V @ 1mA 215 nC @ 10 V ±30V 10600 pF @ 25 V - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
APT41M80L

APT41M80L

MOSFET N-CH 800V 43A TO264

Microchip Technology

2,677
APT41M80L

Технический лист

POWER MOS 8™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 43A (Tc) 10V 210mOhm @ 20A, 10V 5V @ 2.5mA 260 nC @ 10 V ±30V 8070 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 [L]
IXFX120N60X3

IXFX120N60X3

DISCRETE MOSFET 120A 600V X3 PLU

Littelfuse Inc.

4,944

-

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
APT10M19SVFRG

APT10M19SVFRG

MOSFET N-CH 100V 75A D3PAK

Microchip Technology

6,690
APT10M19SVFRG

Технический лист

POWER MOS V® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 75A (Tc) - 19mOhm @ 37.5A, 10V 4V @ 1mA 300 nC @ 10 V - 6120 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount D3PAK
APT6025BLLG

APT6025BLLG

MOSFET N-CH 600V 24A TO247

Microchip Technology

8,617
APT6025BLLG

Технический лист

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) - 250mOhm @ 12A, 10V 5V @ 1mA 65 nC @ 10 V - 2910 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]
APT53N60SC6

APT53N60SC6

MOSFET N-CH 600V 53A D3PAK

Microsemi Corporation

5,016

-

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 53A (Tc) 10V 70mOhm @ 25.8A, 10V 3.5V @ 1.72mA 154 nC @ 10 V ±20V 4020 pF @ 25 V - 417W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
IXFE44N50Q

IXFE44N50Q

MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B

IXYS

5,231

-

HiPerFET™, Q Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 39A (Tc) 10V 120mOhm @ 22A, 10V 4V @ 4mA 190 nC @ 10 V ±20V 7000 pF @ 25 V - 400W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.