Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IXTX660N04T4

IXTX660N04T4

DISC MSFT NCHTRENCHGATE-GEN4 TO-

IXYS

6,343

-

Trench TO-247-3 Variant Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - Through Hole PLUS247™-3
IXFX24N90Q

IXFX24N90Q

MOSFET N-CH 900V 24A PLUS247-3

IXYS

8,878

-

HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Variant Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 24A (Tc) 10V 450mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 4mA 170 nC @ 10 V ±20V 5900 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXFH70N30Q3

IXFH70N30Q3

MOSFET N-CH 300V 70A TO247AD

Littelfuse Inc.

7,362
IXFH70N30Q3

Технический лист

HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 70A (Tc) 10V 54mOhm @ 35A, 10V 6.5V @ 4mA 98 nC @ 10 V ±20V 4735 pF @ 25 V - 830W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IRFP31N50L

IRFP31N50L

MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3

Vishay Siliconix

8,178

-

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 31A (Tc) 10V 180mOhm @ 19A, 10V 5V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±30V 5000 pF @ 25 V - 460W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IXFX90N60X

IXFX90N60X

MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247-3

IXYS

8,802
IXFX90N60X

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X TO-247-3 Variant Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 90A (Tc) 10V 38mOhm @ 45A, 10V 4.5V @ 8mA 210 nC @ 10 V ±30V 8500 pF @ 25 V - 1100W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXFK36N60

IXFK36N60

MOSFET N-CH 600V 36A TO264AA

IXYS

9,479
IXFK36N60

Технический лист

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 36A (Tc) 10V 180mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 8mA 325 nC @ 25 V ±20V 9000 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
IXFT150N20T

IXFT150N20T

MOSFET N-CH 200V 150A TO268

Littelfuse Inc.

2,990
IXFT150N20T

Технический лист

HiPerFET™, Trench TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 150A (Tc) 10V 15mOhm @ 75A, 10V 5V @ 4mA 177 nC @ 10 V ±20V 11700 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXFT94N30T

IXFT94N30T

MOSFET N-CH 300V 94A TO268

Littelfuse Inc.

8,512
IXFT94N30T

Технический лист

HiPerFET™, Trench TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 94A (Tc) 10V 36mOhm @ 47A, 10V 5V @ 4mA 190 nC @ 10 V ±20V 11400 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXFT320N10T2-TRL

IXFT320N10T2-TRL

MOSFET N-CH 100V 320A TO268

Littelfuse Inc.

7,591

-

HiPerFET™, TrenchT2™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 320A (Tc) 10V 3.5mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 430 nC @ 10 V ±20V 26000 pF @ 25 V - 1000W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-268
IXFK48N55

IXFK48N55

MOSFET N-CH 550V 48A TO264AA

IXYS

2,419

-

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 48A (Tc) 10V 110mOhm @ 24A, 10V 4.5V @ 8mA 330 nC @ 10 V ±20V 8900 pF @ 25 V - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
IXTT40N50L2-TRL

IXTT40N50L2-TRL

MOSFET N-CH 500V 40A TO268

Littelfuse Inc.

3,321

-

Linear L2™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 40A (Tc) 10V 170mOhm @ 20A, 10V 4.5V @ 250µA 320 nC @ 10 V ±20V 10400 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268
IXTH10P50

IXTH10P50

MOSFET P-CH 500V 10A TO247

IXYS

7,351
IXTH10P50

Технический лист

- TO-247-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 10A (Tc) 10V 900mOhm @ 5A, 10V 5V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 4700 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
APT20M45BVFRG

APT20M45BVFRG

MOSFET N-CH 200V 56A TO247

Microchip Technology

8,790
APT20M45BVFRG

Технический лист

POWER MOS V® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 56A (Tc) 10V 45mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 195 nC @ 10 V ±30V 4860 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
UF4SC120030B7SSR

UF4SC120030B7SSR

1200V/30MO,SICFET,G4,TO263-7

Qorvo

3,896
UF4SC120030B7SSR

Технический лист

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Bulk Active P-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 56A (Tj) 12V 39mOhm @ 20A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1450 pF @ 800 V - 341W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7L
UJ4C075033L8SSB

UJ4C075033L8SSB

750V/33MO,SICFET,G4,TOLL

Qorvo

7,114
UJ4C075033L8SSB

Технический лист

- 8-PowerSFN Bulk Active P-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 44A (Tj) 12V 41mOhm @ 230A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1400 pF @ 400 V - 205W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TOLL
IXFB120N50P2

IXFB120N50P2

MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264

IXYS

5,883
IXFB120N50P2

Технический лист

HiPerFET™, PolarHV™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 120A (Tc) 10V 43mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 300 nC @ 10 V ±30V 19000 pF @ 25 V - 1890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS264™
APT6017B2LLG

APT6017B2LLG

MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX

Microsemi Corporation

6,073

-

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 35A (Tc) 10V 170mOhm @ 17.5A, 10V 5V @ 2.5mA 100 nC @ 10 V ±30V 4500 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
IXFX26N90

IXFX26N90

MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247

IXYS

2,718
IXFX26N90

Технический лист

HiPerFET™ TO-247-3 Variant Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 26A (Tc) 10V 300mOhm @ 13A, 10V 5V @ 8mA 240 nC @ 10 V ±20V 10800 pF @ 25 V - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXFR25N90

IXFR25N90

MOSFET N-CH 900V 25A ISOPLUS247

IXYS

9,370

-

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 25A (Tc) - - - - - - - - - - - Through Hole ISOPLUS247™
APT1201R6BVRG

APT1201R6BVRG

MOSFET N-CH 1200V 8A TO-247

Microchip Technology

4,698

-

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.