Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
FMD80-0045PS

FMD80-0045PS

MOSFET N-CH 55V 150A I4PAC

IXYS

9,379

-

- i4-Pac™-5 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 150A (Tc) 10V 4.9mOhm @ 110A, 10V 4V @ 1mA 86 nC @ 10 V ±20V - - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
IRFPS37N50A

IRFPS37N50A

MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247

Vishay Siliconix

6,801

-

- TO-274AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 36A (Tc) 10V 130mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±30V 5579 pF @ 25 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
IXTH16N10D2

IXTH16N10D2

MOSFET N-CH 100V 16A TO247

IXYS

3,868
IXTH16N10D2

Технический лист

Depletion TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 100 V 16A (Tc) 0V 64mOhm @ 8A, 0V - 225 nC @ 5 V ±20V 5700 pF @ 25 V - 830W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
IXFK90N60X

IXFK90N60X

MOSFET N-CH 600V 90A TO264

IXYS

4,938
IXFK90N60X

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 90A (Tc) 10V 38mOhm @ 45A, 10V 4.5V @ 8mA 210 nC @ 10 V ±30V 8500 pF @ 25 V - 1100W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA
APT6030BVRG

APT6030BVRG

MOSFET N-CH 600V 21A TO247

Microchip Technology

3,087
APT6030BVRG

Технический лист

POWER MOS V® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Tc) - 300mOhm @ 10.5A, 10V 4V @ 1mA 150 nC @ 10 V - 3750 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]
IXFK44N60

IXFK44N60

MOSFET N-CH 600V 44A TO264AA

IXYS

6,620
IXFK44N60

Технический лист

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 44A (Tc) 10V 130mOhm @ 22A, 10V 4.5V @ 8mA 330 nC @ 10 V ±20V 8900 pF @ 25 V - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
APT5018SFLLG/TR

APT5018SFLLG/TR

MOSFET N-CH 500V 27A D3PAK

Microchip Technology

5,840
APT5018SFLLG/TR

Технический лист

POWER MOS 7® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 27A (Tc) 10V 180mOhm @ 13.5A, 10V 5V @ 1mA 58 nC @ 10 V ±30V 2596 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
APT5014SLLG/TR

APT5014SLLG/TR

MOSFET N-CH 500V 35A TO247

Microsemi Corporation

7,342
APT5014SLLG/TR

Технический лист

POWER MOS 7® TO-247-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 35A (Tc) 10V 140mOhm @ 17.5A, 10V 5V @ 1mA 72 nC @ 10 V ±30V 3261 pF @ 25 V - 403W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
APT34M60B

APT34M60B

MOSFET N-CH 600V 36A TO247

Microchip Technology

9,189
APT34M60B

Технический лист

POWER MOS 8™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 36A (Tc) 10V 190mOhm @ 17A, 10V 5V @ 1mA 165 nC @ 10 V ±30V 6640 pF @ 25 V - 624W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
APT75M50B2

APT75M50B2

MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX

Microchip Technology

5,919
APT75M50B2

Технический лист

- TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 75A (Tc) 10V 75mOhm @ 37A, 10V 5V @ 2.5mA 290 nC @ 10 V ±30V 11600 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™
IXFX88N20Q

IXFX88N20Q

MOSFET N-CH 200V 88A PLUS247-3

IXYS

8,028

-

HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Variant Box Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 88A (Tc) 10V 30mOhm @ 44A, 10V 4V @ 4mA 146 nC @ 10 V ±30V 4150 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXTT10N100D2

IXTT10N100D2

MOSFET N-CH 1000V 10A TO268

Littelfuse Inc.

4,383
IXTT10N100D2

Технический лист

Depletion TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 10A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 5A, 10V - 200 nC @ 5 V ±20V 5320 pF @ 25 V - 695W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IRLL2705TR

IRLL2705TR

MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223

Infineon Technologies

3,833
IRLL2705TR

Технический лист

- TO-261-4, TO-261AA Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 3.8A (Ta) - 40mOhm @ 3.8A, 10V 2V @ 250µA 48 nC @ 10 V - 870 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount SOT-223
APT5020SVFRG/TR

APT5020SVFRG/TR

MOSFET N-CH 500V 26A D3PAK

Microchip Technology

4,017
APT5020SVFRG/TR

Технический лист

POWER MOS V® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 26A (Tc) 10V 200mOhm @ 13A, 10V 4V @ 1mA 225 nC @ 10 V ±30V 4440 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Vishay Siliconix

6,585
SIHS90N65E-E3

Технический лист

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 87A (Tc) 10V 29mOhm @ 45A, 10V 4V @ 250µA 591 nC @ 10 V ±30V 11826 pF @ 100 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
STWA68N60M6

STWA68N60M6

MOSFET N-CH 600V 63A TO247

STMicroelectronics

3
STWA68N60M6

Технический лист

MDmesh™ M6 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 63A (Tc) 10V 41mOhm @ 31.5A, 10V 4.75V @ 250µA 106 nC @ 10 V ±25V 4360 pF @ 100 V - 390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 Long Leads
IXFK25N90

IXFK25N90

MOSFET N-CH 900V 25A TO264AA

IXYS

2,873
IXFK25N90

Технический лист

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 25A (Tc) 10V 330mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 240 nC @ 10 V ±20V 10800 pF @ 25 V - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
APT43M60B2

APT43M60B2

MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

Microchip Technology

8,612
APT43M60B2

Технический лист

POWER MOS 8™ TO-247-3 Variant Tube Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 45A (Tc) 10V 150mOhm @ 21A, 10V 5V @ 2.5mA 215 nC @ 10 V ±30V 8590 pF @ 25 V - 780W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
IXFK50N50

IXFK50N50

MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA

IXYS

8,442
IXFK50N50

Технический лист

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 50A (Tc) 10V 80mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 8mA 330 nC @ 10 V ±20V 9400 pF @ 25 V - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
IXFK24N90Q

IXFK24N90Q

MOSFET N-CH 900V 24A TO264AA

IXYS

6,375

-

HiPerFET™, Q Class TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 24A (Tc) 10V 450mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 4mA 170 nC @ 10 V ±20V 5900 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.