Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
FCPF360N65S3R0L-F154

FCPF360N65S3R0L-F154

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

onsemi

640
FCPF360N65S3R0L-F154

Технический лист

SuperFET® III TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tj) 10V 360mOhm @ 5A, 10V 4.5V @ 200µA 18 nC @ 10 V ±30V 730 pF @ 400 V - 27W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
STL8N80K5

STL8N80K5

MOSFET N-CH 800V 4.5A POWERFLAT

STMicroelectronics

2,485
STL8N80K5

Технический лист

SuperMESH5™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.5A (Tc) 10V 950mOhm @ 3A, 10V 5V @ 100µA 16.5 nC @ 10 V ±30V 450 pF @ 100 V - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
R6020KNX

R6020KNX

MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

Rohm Semiconductor

268
R6020KNX

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Bulk Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 196mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 1mA 40 nC @ 10 V ±20V 1550 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
STF27N60M2-EP

STF27N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP

STMicroelectronics

123
STF27N60M2-EP

Технический лист

MDmesh™ M2-EP TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 163mOhm @ 10A, 10V 4.75V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±25V 1320 pF @ 100 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
SPA11N80C3XKSA2

SPA11N80C3XKSA2

MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3

Infineon Technologies

189
SPA11N80C3XKSA2

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 11A (Tc) 10V 450mOhm @ 7.1A, 10V 3.9V @ 680µA 85 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
FDMS2D5N08C

FDMS2D5N08C

MOSFET N-CH 80V 166A POWER56

onsemi

2,651
FDMS2D5N08C

Технический лист

PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 166A (Tc) 6V, 10V 2.7mOhm @ 68A, 10V 4V @ 380µA 84 nC @ 10 V ±20V 6240 pF @ 40 V - 138W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power56
STB28N60M2

STB28N60M2

MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK

STMicroelectronics

913
STB28N60M2

Технический лист

MDmesh™ II Plus TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 22A (Tc) 10V 150mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±25V 1440 pF @ 100 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STB85NF55LT4

STB85NF55LT4

MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

STMicroelectronics

344
STB85NF55LT4

Технический лист

STripFET™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 5V, 10V 8mOhm @ 40A, 10V 2.5V @ 250µA 110 nC @ 5 V ±15V 4050 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
STF28N60M2

STF28N60M2

MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP

STMicroelectronics

127
STF28N60M2

Технический лист

MDmesh™ II Plus TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 10V 150mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±25V 1370 pF @ 100 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
STP7NK80ZFP

STP7NK80ZFP

MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP

STMicroelectronics

783
STP7NK80ZFP

Технический лист

SuperMESH™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 5.2A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 2.6A, 10V 4.5V @ 100µA 56 nC @ 10 V ±30V 1138 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
IPP65R190CFDXKSA2

IPP65R190CFDXKSA2

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3

Infineon Technologies

1,391
IPP65R190CFDXKSA2

Технический лист

CoolMOS™ CFD2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17.5A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.3A, 10V 4.5V @ 700µA 68 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 100 V - 151W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
SUP10250E-GE3

SUP10250E-GE3

MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB

Vishay Siliconix

130
SUP10250E-GE3

Технический лист

ThunderFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 63A (Tc) 7.5V, 10V - 4V @ 250µA 88 nC @ 10 V ±20V - - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IXTY1R6N100D2

IXTY1R6N100D2

MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252

Littelfuse Inc.

6,135
IXTY1R6N100D2

Технический лист

Depletion TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 1.6A (Tc) - 10Ohm @ 800mA, 0V - 27 nC @ 5 V ±20V 645 pF @ 25 V - 100W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
AONS66966

AONS66966

MOSFET N-CH 100V 31.3A/100A 8DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

5,135
AONS66966

Технический лист

AlphaSGT™ 8-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 31.3A (Ta), 100A (Tc) 6V, 10V 3.6mOhm @ 20A, 10V 3.6V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 5325 pF @ 50 V - 6.2W (Ta), 215W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
SQJQ186ER-T1_GE3

SQJQ186ER-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

Vishay Siliconix

1,890
SQJQ186ER-T1_GE3

Технический лист

TrenchFET® Gen IV 8-PowerSMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 329A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 185 nC @ 10 V ±20V 10552 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
SQD50P04-13L_GE3

SQD50P04-13L_GE3

MOSFET P-CH 40V 50A TO252

Vishay Siliconix

1,866
SQD50P04-13L_GE3

Технический лист

TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 13mOhm @ 17A, 10V 2.5V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V 3590 pF @ 20 V - 3W (Ta), 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
R6030KNXC7G

R6030KNXC7G

600V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

Rohm Semiconductor

830
R6030KNXC7G

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 130mOhm @ 14.5A, 10V 5V @ 1mA 56 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 25 V - 86W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
RSJ400N10FRATL

RSJ400N10FRATL

MOSFET N-CH 100V 40A LPTS

Rohm Semiconductor

414
RSJ400N10FRATL

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 40A (Tc) 4V, 10V 27mOhm @ 40A, 10V 2.5V @ 1mA 90 nC @ 10 V ±20V 3600 pF @ 25 V - 1.35W (Ta), 50W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LPTS
FDMS8320LDC

FDMS8320LDC

MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56

onsemi

4,414
FDMS8320LDC

Технический лист

Dual Cool™, PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 44A (Ta), 130A (Tc) 4.5V, 10V 1.1mOhm @ 44A, 10V 3V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 11635 pF @ 20 V - 3.2W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
R6009JNJGTL

R6009JNJGTL

MOSFET N-CH 600V 9A LPTS

Rohm Semiconductor

3,000
R6009JNJGTL

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 15V 585mOhm @ 4.5A, 15V 7V @ 1.38mA 22 nC @ 15 V ±30V 645 pF @ 100 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
Total 36322 Record«Prev1... 7677787980818283...1817Next»

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.