Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
FDMC7570S

FDMC7570S

MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33

onsemi

533
FDMC7570S

Технический лист

PowerTrench®, SyncFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 27A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 2mOhm @ 27A, 10V 3V @ 1mA 68 nC @ 10 V ±20V 4410 pF @ 13 V - 2.3W (Ta), 59W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power33
STL25N60M2-EP

STL25N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 16A PWRFLAT HV

STMicroelectronics

2,947
STL25N60M2-EP

Технический лист

MDmesh™ M2-EP 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Tc) 10V 205mOhm @ 8A, 10V 4.75V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±25V 1090 pF @ 100 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
STU7N105K5

STU7N105K5

MOSFET N-CH 1050V 4A IPAK

STMicroelectronics

1,303
STU7N105K5

Технический лист

SuperMESH5™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1050 V 4A (Tc) 10V 2Ohm @ 2A, 10V 5V @ 100µA 17 nC @ 10 V ±30V 380 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251)
STP18N55M5

STP18N55M5

MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB

STMicroelectronics

849
STP18N55M5

Технический лист

MDmesh™ V TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 16A (Tc) 10V 192mOhm @ 8A, 10V 5V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±25V 1260 pF @ 100 V - 110W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IRFI9Z34GPBF

IRFI9Z34GPBF

MOSFET P-CH 60V 12A TO220-3

Vishay Siliconix

254
IRFI9Z34GPBF

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 12A (Tc) 10V 140mOhm @ 7.2A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
R6013VND3TL1

R6013VND3TL1

600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH

Rohm Semiconductor

2,306
R6013VND3TL1

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V, 15V 300mOhm @ 3A, 15V 6.5V @ 500µA 21 nC @ 10 V ±30V 900 pF @ 100 V - 131W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
CSD18502Q5BT

CSD18502Q5BT

MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

Texas Instruments

1,253
CSD18502Q5BT

Технический лист

NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Ta) 4.5V, 10V 2.3mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 33 nC @ 4.5 V ±20V 5070 pF @ 20 V - 3.2W (Ta), 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
IRFB3207PBF

IRFB3207PBF

MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB

Infineon Technologies

930
IRFB3207PBF

Технический лист

HEXFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 170A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 7600 pF @ 50 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
PSMN5R6-100BS,118

PSMN5R6-100BS,118

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

Nexperia USA Inc.

2,676
PSMN5R6-100BS,118

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 10V 5.6mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 141 nC @ 10 V ±20V 8061 pF @ 50 V - 306W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
STL260N4LF7

STL260N4LF7

N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.

STMicroelectronics

2,666
STL260N4LF7

Технический лист

STripFET™ F7 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 1.1mOhm @ 25A, 10V 2.5V @ 250µA 42 nC @ 4.5 V ±20V 6000 pF @ 25 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
TK190U65Z,RQ

TK190U65Z,RQ

DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ

Toshiba Semiconductor and Storage

1,022
TK190U65Z,RQ

Технический лист

DTMOSVI 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Ta) 10V 190mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 610µA 25 nC @ 10 V ±30V 1370 pF @ 300 V - 130W (Tc) 150°C - - Surface Mount TOLL
SQJQ144AER-T1_GE3

SQJQ144AER-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

Vishay Siliconix

328
SQJQ144AER-T1_GE3

Технический лист

TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 8 x 8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 575A (Tc) 10V 0.9mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 145 nC @ 10 V ±20V 9020 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
IPB039N10N3GATMA1

IPB039N10N3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Infineon Technologies

29,577
IPB039N10N3GATMA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 160A (Tc) 6V, 10V 3.9mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 160µA 117 nC @ 10 V ±20V 8410 pF @ 50 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7
FDMC012N03

FDMC012N03

MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33

onsemi

1,097
FDMC012N03

Технический лист

PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Ta), 185A (Tc) 4.5V, 10V 1.23mOhm @ 35A, 10V 2V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±12V 8183 pF @ 15 V - 2.3W (Ta), 64W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power33
STP28N60M2

STP28N60M2

MOSFET N-CH 600V 24A TO220

STMicroelectronics

833
STP28N60M2

Технический лист

MDmesh™ II Plus TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 10V 150mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±25V 1370 pF @ 100 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
STF14N80K5

STF14N80K5

MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP

STMicroelectronics

600
STF14N80K5

Технический лист

MDmesh™ K5 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 12A (Tc) 10V 445mOhm @ 6A, 10V 5V @ 100µA 22 nC @ 10 V ±30V 620 pF @ 100 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
IRFB3206GPBF

IRFB3206GPBF

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

Infineon Technologies

522
IRFB3206GPBF

Технический лист

HEXFET® TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 3mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V 6540 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
R8002CND3FRATL

R8002CND3FRATL

MOSFET N-CH 800V 2A TO252

Rohm Semiconductor

7,196
R8002CND3FRATL

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2A (Tc) 10V 4.3Ohm @ 1A, 10V 5.5V @ 1mA 12.1 nC @ 10 V ±30V 240 pF @ 25 V - 69W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252
STP10NM60N

STP10NM60N

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB

STMicroelectronics

1,502
STP10NM60N

Технический лист

MDmesh™ II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 550mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±25V 540 pF @ 50 V - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
RJK0653DPB-00#J5

RJK0653DPB-00#J5

MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK

Renesas Electronics Corporation

4,907
RJK0653DPB-00#J5

Технический лист

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 45A (Ta) 4.5V, 10V 4.8mOhm @ 22.5A, 10V 2.5V @ 1mA 42 nC @ 4.5 V ±20V 6100 pF @ 10 V - 65W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
Total 36322 Record«Prev1... 7576777879808182...1817Next»

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.