Популярные запросы 80149-3223 TRR-58-G/P 900-5G153-2270-000 940-54242-0006-000 900-13448-0020-000 AK-3232L SJ61A6 LM2596SX-ADJ/J7002158 900-5G190-2270-000 RTX2001AJC-8

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
IRFI630GPBF MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3 Vishay Siliconix	1,615	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	5.9A (Tc)	10V	400mOhm @ 3.5A, 10V	4V @ 250µA	43 nC @ 10 V	±20V	800 pF @ 25 V	-	35W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220-3
STW6N95K5 MOSFET N-CH 950V 9A TO247-3 STMicroelectronics	858	-	Запрос цены	Технический лист	SuperMESH5™	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	950 V	9A (Tc)	10V	1.25Ohm @ 3A, 10V	5V @ 100µA	13 nC @ 10 V	±30V	450 pF @ 100 V	-	90W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247-3
IRFBF30PBF MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB Vishay Siliconix	637	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	900 V	3.6A (Tc)	10V	3.7Ohm @ 2.2A, 10V	4V @ 250µA	78 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
STW7N90K5 MOSFET N-CH 900V 7A TO247-3 STMicroelectronics	553	-	Запрос цены	Технический лист	MDmesh™ K5	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	900 V	7A (Tc)	10V	-	5V @ 100µA	-	±30V	-	-	110W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247-3
IRLZ44PBF-BE3 MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB Vishay Siliconix	542	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	50A (Tc)	-	28mOhm @ 31A, 5V	2V @ 250µA	66 nC @ 5 V	±10V	3300 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
IPA60R160P7XKSA1 MOSFET N-CH 600V 20A TO220 Infineon Technologies	154	-	Запрос цены	Технический лист	CoolMOS™ P7	TO-220-3 Full Pack	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600 V	20A (Tc)	10V	160mOhm @ 6.3A, 10V	4V @ 350µA	31 nC @ 10 V	±20V	1317 pF @ 400 V	-	26W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	PG-TO220 Full Pack
SIHB17N80AE-GE3 MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK Vishay Siliconix	983	-	Запрос цены	Технический лист	E	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	800 V	15A (Tc)	10V	290mOhm @ 8.5A, 10V	4V @ 250µA	62 nC @ 10 V	±30V	1260 pF @ 100 V	-	179W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-263 (D2PAK)
IPB70N10S312ATMA1 MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 Infineon Technologies	459	-	Запрос цены	Технический лист	OptiMOS™	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	70A (Tc)	10V	11.3mOhm @ 70A, 10V	4V @ 83µA	66 nC @ 10 V	±20V	4355 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	PG-TO263-3-2
IXTA1R4N100P MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263 Littelfuse Inc.	112	-	Запрос цены	Технический лист	Polar	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1000 V	1.4A (Tc)	10V	11Ohm @ 500mA, 10V	4.5V @ 50µA	17.8 nC @ 10 V	±20V	450 pF @ 25 V	-	63W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-263AA
AUIRF540Z MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB Infineon Technologies	2,814	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	36A (Tc)	10V	26.5mOhm @ 22A, 10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1770 pF @ 25 V	-	92W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
TK10P60W,RVQ MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	2,496	-	Запрос цены	Технический лист	DTMOSIV	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600 V	9.7A (Ta)	10V	430mOhm @ 4.9A, 10V	3.7V @ 500µA	20 nC @ 10 V	±30V	700 pF @ 300 V	-	80W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	DPAK
STP24N60M2 MOSFET N-CH 600V 18A TO220 STMicroelectronics	1,003	-	Запрос цены	Технический лист	MDmesh™ II Plus	TO-220-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600 V	18A (Tc)	10V	190mOhm @ 9A, 10V	4V @ 250µA	29 nC @ 10 V	±25V	1060 pF @ 100 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220
STF18NM60N MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP STMicroelectronics	914	-	Запрос цены	Технический лист	MDmesh™ II	TO-220-3 Full Pack	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600 V	13A (Tc)	10V	285mOhm @ 6.5A, 10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±25V	1000 pF @ 50 V	-	30W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220FP
IPA60R170CFD7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 8A TO220 Infineon Technologies	212	-	Запрос цены	Технический лист	CoolMOS™ CFD7	TO-220-3 Full Pack	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	650 V	8A (Tc)	10V	170mOhm @ 6A, 10V	4.5V @ 300µA	28 nC @ 10 V	±20V	1199 pF @ 400 V	-	26W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	PG-TO220-FP
IPP60R170CFD7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3 Infineon Technologies	117	-	Запрос цены	Технический лист	CoolMOS™ CFD7	TO-220-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	650 V	14A (Tc)	10V	170mOhm @ 6A, 10V	4.5V @ 300µA	28 nC @ 10 V	±20V	1199 pF @ 400 V	-	75W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	PG-TO220-3
SIHB12N65E-GE3 MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK Vishay Siliconix	875	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	650 V	12A (Tc)	10V	380mOhm @ 6A, 10V	4V @ 250µA	70 nC @ 10 V	±30V	1224 pF @ 100 V	-	156W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-263 (D2PAK)
FDMS3672 MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP onsemi	10,459	-	Запрос цены	Технический лист	UltraFET™	8-PowerWDFN	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	7.4A (Ta), 22A (Tc)	6V, 10V	23mOhm @ 7.4A, 10V	4V @ 250µA	44 nC @ 10 V	±20V	2680 pF @ 50 V	-	2.5W (Ta), 78W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	8-MLP (5x6), Power56
SIHP20N50E-GE3 MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB Vishay Siliconix	848	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	19A (Tc)	10V	184mOhm @ 10A, 10V	4V @ 250µA	92 nC @ 10 V	±30V	1640 pF @ 100 V	-	179W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
TSM9ND50CI MOSFET N-CH 500V 9A ITO220 Taiwan Semiconductor Corporation	3,869	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	9A (Tc)	10V	900mOhm @ 2.3A, 10V	3.8V @ 250µA	24.5 nC @ 10 V	±30V	1116 pF @ 50 V	-	50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	ITO-220
IRF9540STRLPBF MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK Vishay Siliconix	2,592	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Active	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	19A (Tc)	10V	200mOhm @ 11A, 10V	4V @ 250µA	61 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 25 V	-	3.7W (Ta), 150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-263 (D2PAK)