Популярные запросы 27111618001 900-5G147-2270-000 900-5G147-2250-000 900-5G153-2250-000 900-5G153-2270-000 MT41K128M16JT-125:K MT41K256M16TW-107:P TR 900-13448-0020-000 ABCD-80PR-090 BT-3G-S

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
AUIRFR5505 MOSFET P-CH 55V 18A DPAK Infineon Technologies	5,505	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	18A (Tc)	10V	110mOhm @ 9.6A, 10V	4V @ 250µA	32 nC @ 10 V	±20V	650 pF @ 25 V	-	57W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
AUIRFR5505TRL MOSFET P-CH 55V 18A DPAK Infineon Technologies	2,087	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Discontinued	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	18A (Tc)	10V	110mOhm @ 9.6A, 10V	4V @ 250µA	32 nC @ 10 V	±20V	650 pF @ 25 V	-	57W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
AUIRFR6215 MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Infineon Technologies	7,921	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	150 V	13A (Tc)	10V	295mOhm @ 6.6A, 10V	4V @ 250µA	66 nC @ 10 V	±20V	860 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
AUIRFS4310 MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Infineon Technologies	7,344	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	75A (Tc)	10V	7mOhm @ 75A, 10V	4V @ 250µA	250 nC @ 10 V	±20V	7670 pF @ 50 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
AUIRFS4610 MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK Infineon Technologies	2,956	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	73A (Tc)	10V	14mOhm @ 44A, 10V	4V @ 100µA	140 nC @ 10 V	±20V	3550 pF @ 50 V	-	190W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
AUIRFSL4310 MOSFET N-CH 100V 75A TO262 Infineon Technologies	6,752	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	75A (Tc)	-	7mOhm @ 75A, 10V	4V @ 250µA	250 nC @ 10 V	-	7670 pF @ 50 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-262
AUIRFU4104 MOSFET N-CH 40V 42A IPAK Infineon Technologies	6,891	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40 V	42A (Tc)	10V	5.5mOhm @ 42A, 10V	4V @ 250µA	89 nC @ 10 V	±20V	2950 pF @ 25 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	IPAK
AUIRFZ44VZS MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK Infineon Technologies	4,200	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	57A (Tc)	10V	12mOhm @ 34A, 10V	4V @ 250µA	65 nC @ 10 V	±20V	1690 pF @ 25 V	-	92W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
AUIRFZ44VZSTRL MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK Infineon Technologies	6,326	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	57A (Tc)	10V	12mOhm @ 34A, 10V	4V @ 250µA	65 nC @ 10 V	±20V	1690 pF @ 25 V	-	92W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
AUIRFZ44Z MOSFET N-CH 55V 51A TO220 Infineon Technologies	9,029	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	51A (Tc)	10V	13.9mOhm @ 31A, 10V	4V @ 250µA	43 nC @ 10 V	±20V	1420 pF @ 25 V	-	80W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220
AUIRFZ44ZS MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Infineon Technologies	8,170	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	51A (Tc)	10V	13.9mOhm @ 31A, 10V	4V @ 250µA	43 nC @ 10 V	±20V	1420 pF @ 25 V	-	80W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
AUIRFZ44ZSTRL MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Infineon Technologies	3,764	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	51A (Tc)	10V	13.9mOhm @ 31A, 10V	4V @ 250µA	43 nC @ 10 V	±20V	1420 pF @ 25 V	-	80W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
AUIRFZ48Z MOSFET N-CH 55V 61A TO220 Infineon Technologies	8,310	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	61A (Tc)	10V	11mOhm @ 37A, 10V	4V @ 250µA	64 nC @ 10 V	±20V	1720 pF @ 25 V	-	91W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220
AUIRFZ48ZS MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK Infineon Technologies	4,259	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	61A (Tc)	10V	11mOhm @ 37A, 10V	4V @ 250µA	64 nC @ 10 V	±20V	1720 pF @ 25 V	-	91W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
AUIRL1404Z MOSFET N-CH 40V 160A TO220 Infineon Technologies	2,366	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40 V	160A (Tc)	4.5V, 10V	3.1mOhm @ 75A, 10V	2.7V @ 250µA	110 nC @ 5 V	±16V	5080 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220
AUIRL1404ZL MOSFET N-CH 40V 160A TO262 Infineon Technologies	5,054	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40 V	160A (Tc)	4.5V, 10V	3.1mOhm @ 75A, 10V	2.7V @ 250µA	110 nC @ 5 V	±16V	5080 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-262
AUIRL1404ZS MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Infineon Technologies	8,171	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40 V	160A (Tc)	4.5V, 10V	3.1mOhm @ 75A, 10V	2.7V @ 250µA	110 nC @ 5 V	±16V	5080 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
AUIRL3705ZSTRL MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Infineon Technologies	7,694	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	75A (Tc)	-	8mOhm @ 52A, 10V	3V @ 250µA	60 nC @ 5 V	-	2880 pF @ 25 V	-	130W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
AUIRLR024N MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Infineon Technologies	3,959	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	17A (Tc)	4V, 10V	65mOhm @ 10A, 10V	2V @ 250µA	15 nC @ 5 V	±16V	480 pF @ 25 V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
AUIRLR024NTRL MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Infineon Technologies	2,711	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	17A (Tc)	4V, 10V	65mOhm @ 10A, 10V	2V @ 250µA	15 nC @ 5 V	±16V	480 pF @ 25 V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)