Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
DMG8880LK3-13

DMG8880LK3-13

MOSFET N-CH 30V 11A TO252

Diodes Incorporated

3,720
DMG8880LK3-13

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 7.5mOhm @ 11.6A, 10V 2.3V @ 250µA 27.6 nC @ 10 V ±20V 1289 pF @ 15 V - 1.68W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
STW16N65M5

STW16N65M5

MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3

STMicroelectronics

8,887
STW16N65M5

Технический лист

MDmesh™ V TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 279mOhm @ 6A, 10V 5V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±25V 1250 pF @ 100 V - 90W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IPA60R450E6XKSA1

IPA60R450E6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-FP

Infineon Technologies

7,277
IPA60R450E6XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.2A (Tc) 10V 450mOhm @ 3.4A, 10V 3.5V @ 280µA 28 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 100 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
IPA60R520E6XKSA1

IPA60R520E6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP

Infineon Technologies

7,725
IPA60R520E6XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8.1A (Tc) 10V 520mOhm @ 2.8A, 10V 3.5V @ 230µA 23.4 nC @ 10 V ±20V 512 pF @ 100 V - 29W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
IPA60R750E6XKSA1

IPA60R750E6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-FP

Infineon Technologies

6,793
IPA60R750E6XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5.7A (Tc) 10V 750mOhm @ 2A, 10V 3.5V @ 170µA 17.2 nC @ 10 V ±20V 373 pF @ 100 V - 27W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
IPD60R450E6BTMA1

IPD60R450E6BTMA1

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3

Infineon Technologies

8,792
IPD60R450E6BTMA1

Технический лист

CoolMOS™ E6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.2A (Tc) 10V 450mOhm @ 3.4A, 10V 3.5V @ 280µA 28 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 100 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPD60R600E6

IPD60R600E6

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

Infineon Technologies

5,582
IPD60R600E6

Технический лист

CoolMOS™ E6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.4A, 10V 3.5V @ 200µA 20.5 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 100 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPD60R750E6BTMA1

IPD60R750E6BTMA1

MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3

Infineon Technologies

7,535
IPD60R750E6BTMA1

Технический лист

CoolMOS™ E6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5.7A (Tc) 10V 750mOhm @ 2A, 10V 3.5V @ 170µA 17.2 nC @ 10 V ±20V 373 pF @ 100 V - 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPP60R450E6XKSA1

IPP60R450E6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-3

Infineon Technologies

2,929
IPP60R450E6XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.2A (Tc) 10V 450mOhm @ 3.4A, 10V 3.5V @ 280µA 28 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 100 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IPP60R520E6XKSA1

IPP60R520E6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3

Infineon Technologies

6,039
IPP60R520E6XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8.1A (Tc) 10V 520mOhm @ 2.8A, 10V 3.5V @ 230µA 23.4 nC @ 10 V ±20V 512 pF @ 100 V - 66W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IPP60R600E6XKSA1

IPP60R600E6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3

Infineon Technologies

3,408
IPP60R600E6XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.4A, 10V 3.5V @ 200µA 20.5 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 100 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IPP60R750E6XKSA1

IPP60R750E6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-3

Infineon Technologies

4,925
IPP60R750E6XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5.7A (Tc) 10V 750mOhm @ 2A, 10V 3.5V @ 170µA 17.2 nC @ 10 V ±20V 373 pF @ 100 V - 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IPP65R280E6XKSA1

IPP65R280E6XKSA1

MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3

Infineon Technologies

4,400
IPP65R280E6XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 13.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 4.4A, 10V 3.5V @ 440µA 45 nC @ 10 V ±20V 950 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IPP65R380E6XKSA1

IPP65R380E6XKSA1

MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-3

Infineon Technologies

5,227
IPP65R380E6XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10.6A (Tc) 10V 380mOhm @ 3.2A, 10V 3.5V @ 320µA 39 nC @ 10 V ±20V 710 pF @ 100 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IPW60R280E6FKSA1

IPW60R280E6FKSA1

MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3

Infineon Technologies

2,933
IPW60R280E6FKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 6.5A, 10V 3.5V @ 430µA 43 nC @ 10 V ±20V 950 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
IRLR6225PBF

IRLR6225PBF

MOSFET N-CH 20V 100A DPAK

Infineon Technologies

4,987
IRLR6225PBF

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 100A (Tc) 2.5V, 4.5V 4mOhm @ 21A, 4.5V 1.1V @ 50µA 72 nC @ 4.5 V ±12V 3770 pF @ 10 V - 63W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
SI1072X-T1-GE3

SI1072X-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V SC89-6

Vishay Siliconix

6,136
SI1072X-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.3A (Ta) 4.5V, 10V 93mOhm @ 1.3A, 10V 3V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 280 pF @ 15 V - 236mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
IPD60R1K4C6

IPD60R1K4C6

MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3

Infineon Technologies

5,718
IPD60R1K4C6

Технический лист

CoolMOS™ C6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.2A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 1.1A, 10V 3.5V @ 90µA 9.4 nC @ 10 V ±20V 200 pF @ 100 V - 28.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPD60R2K0C6BTMA1

IPD60R2K0C6BTMA1

MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3

Infineon Technologies

8,184
IPD60R2K0C6BTMA1

Технический лист

CoolMOS™ C6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2.4A (Tc) 10V 2Ohm @ 760mA, 10V 3.5V @ 60µA 6.7 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 100 V - 22.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
BUK754R0-40C,127

BUK754R0-40C,127

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB

Nexperia USA Inc.

5,765
BUK754R0-40C,127

Технический лист

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 4mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 97 nC @ 10 V ±20V 5708 pF @ 25 V - 203W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.