Популярные запросы 27111618001 900-5G147-2270-000 900-5G147-2250-000 900-5G153-2250-000 900-5G153-2270-000 MT41K128M16JT-125:K MT41K256M16TW-107:P TR 900-13448-0020-000 ABCD-80PR-090 BT-3G-S

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
AUIRF1324S-7P MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK Infineon Technologies	8,939	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	24 V	240A (Tc)	-	1mOhm @ 160A, 10V	4V @ 250µA	252 nC @ 10 V	-	7700 pF @ 19 V	-	-	-	-	-	Surface Mount	D2PAK (7-Lead)
AUIRF1324STRL MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK Infineon Technologies	3,400	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	24 V	195A (Tc)	10V	1.65mOhm @ 195A, 10V	4V @ 250µA	240 nC @ 10 V	±20V	7590 pF @ 24 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
AUIRF1404ZL MOSFET N-CH 40V 160A TO262 Infineon Technologies	4,182	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40 V	160A (Tc)	10V	3.7mOhm @ 75A, 10V	4V @ 250µA	150 nC @ 10 V	±20V	4340 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-262
AUIRF1404ZS MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Infineon Technologies	8,710	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40 V	160A (Tc)	10V	3.7mOhm @ 75A, 10V	4V @ 250µA	150 nC @ 10 V	±20V	4340 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
AUIRF1405ZS MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK Infineon Technologies	5,006	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	150A (Tc)	10V	4.9mOhm @ 75A, 10V	4V @ 250µA	180 nC @ 10 V	±20V	4780 pF @ 25 V	-	230W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
AUIRF2804 MOSFET N-CH 40V 195A TO220 Infineon Technologies	4,899	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40 V	195A (Tc)	10V	2.3mOhm @ 75A, 10V	4V @ 250µA	240 nC @ 10 V	±20V	6450 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220
AUIRF2804S MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Infineon Technologies	7,478	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40 V	195A (Tc)	10V	2mOhm @ 75A, 10V	4V @ 250µA	240 nC @ 10 V	±20V	6450 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
AUIRF2804S-7P MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Infineon Technologies	4,693	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40 V	240A (Tc)	10V	1.6mOhm @ 160A, 10V	4V @ 250µA	260 nC @ 10 V	±20V	6930 pF @ 25 V	-	330W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK (7-Lead)
AUIRF2907Z MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Infineon Technologies	7,031	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75 V	75A (Tc)	10V	4.5mOhm @ 75A, 10V	4V @ 250µA	270 nC @ 10 V	±20V	7500 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
AUIRF2907ZS7PTL MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK Infineon Technologies	3,077	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75 V	180A (Tc)	10V	3.8mOhm @ 110A, 10V	4V @ 250µA	260 nC @ 10 V	±20V	7580 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK (7-Lead)
AUIRF3205ZS MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Infineon Technologies	8,294	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	75A (Tc)	10V	6.5mOhm @ 66A, 10V	4V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	3450 pF @ 25 V	-	170W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
AUIRF3710Z MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB Infineon Technologies	6,237	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	59A (Tc)	10V	18mOhm @ 35A, 10V	4V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	2900 pF @ 25 V	-	160W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
AUIRF3710ZS MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Infineon Technologies	4,306	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	59A (Tc)	10V	18mOhm @ 35A, 10V	4V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	2900 pF @ 25 V	-	160W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	PG-TO263-3
AUIRF3805L-7P MOSFET N-CH 55V 160A TO262 Infineon Technologies	8,817	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-262-7	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	160A (Tc)	10V	2.6mOhm @ 140A, 10V	4V @ 250µA	200 nC @ 10 V	±20V	7820 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-262
AUIRF3805S MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK Infineon Technologies	5,167	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	160A (Tc)	10V	3.3mOhm @ 75A, 10V	4V @ 250µA	290 nC @ 10 V	±20V	7960 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
AUIRF3805S-7P MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK Infineon Technologies	5,387	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	160A (Tc)	10V	2.6mOhm @ 140A, 10V	4V @ 250µA	200 nC @ 10 V	±20V	7820 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK (7-Lead)
AUIRF4104S MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Infineon Technologies	9,432	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40 V	75A (Tc)	10V	5.5mOhm @ 75A, 10V	4V @ 250µA	100 nC @ 10 V	±20V	3000 pF @ 25 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
AUIRF4905 MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB Infineon Technologies	5,000	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	74A (Tc)	10V	20mOhm @ 38A, 10V	4V @ 250µA	180 nC @ 10 V	±20V	3400 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
AUIRF540ZS MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Infineon Technologies	2,704	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	36A (Tc)	10V	26.5mOhm @ 22A, 10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1770 pF @ 25 V	-	92W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	PG-TO263-3
AUIRF540ZSTRL MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Infineon Technologies	4,522	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	36A (Tc)	10V	26.5mOhm @ 22A, 10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1770 pF @ 25 V	-	92W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	PG-TO263-3