Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.
EASTECH Electronics

Доступно 24/7 по

+86 13632816717
EASTECH Electronics EASTECH Electronics

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
AOL1414

AOL1414

MOSFET N-CH 30V 14A/85A ULTRASO8

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

4,104
AOL1414

Технический лист

- 3-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta), 85A (Tc) 4.5V, 10V 6.5mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 24 nC @ 4.5 V ±12V 2520 pF @ 15 V - 2.08W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount UltraSO-8™
AOL1426

AOL1426

MOSFET N-CH 30V 10A/46A ULTRASO8

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

7,876
AOL1426

Технический лист

- 3-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta), 46A (Tc) 4.5V, 10V 10.5mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 28 nC @ 10 V ±12V 1452 pF @ 15 V - 2W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount UltraSO-8™
AOL1432

AOL1432

MOSFET N-CH 25V 12A/44A ULTRASO8

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

9,071
AOL1432

Технический лист

- 3-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 12A (Ta), 44A (Tc) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 30A, 10V 3V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V 1716 pF @ 12.5 V - 2W (Ta), 30W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount UltraSO-8™
AOT460

AOT460

MOSFET N-CH 60V 85A TO220

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

3,725
AOT460

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 85A (Tc) 10V 7.5mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 88 nC @ 10 V ±20V 4560 pF @ 30 V - 268W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
AOT462

AOT462

MOSFET N-CH 60V 70A TO220

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

5,413
AOT462

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 70A (Tc) 10V 18mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 30 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
STV250N55F3

STV250N55F3

MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO

STMicroelectronics

5,892
STV250N55F3

Технический лист

STripFET™ III PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 200A (Tc) 10V 2.2mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 6800 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 10-PowerSO
STV270N4F3

STV270N4F3

MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO

STMicroelectronics

3,221
STV270N4F3

Технический лист

STripFET™ III PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 270A (Tc) 10V 1.5mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 7500 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 10-PowerSO
FDD6796

FDD6796

MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK

onsemi

4,430
FDD6796

Технический лист

PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 20A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 5.7mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V 2315 pF @ 13 V - 3.7W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
FDD6780

FDD6780

MOSFET N-CH 25V 16.5A/30A DPAK

onsemi

2,486
FDD6780

Технический лист

PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 16.5A (Ta), 30A (Tc) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 16.5A, 10V 3V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 1590 pF @ 13 V - 3.7W (Ta), 32.6W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
TK15A60U(STA4,Q,M)

TK15A60U(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

5,141
TK15A60U(STA4,Q,M)

Технический лист

DTMOSII TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Ta) 10V 300mOhm @ 7.5A, 10V 5V @ 1mA 17 nC @ 10 V ±30V 950 pF @ 10 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
TK20A60U(Q,M)

TK20A60U(Q,M)

MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

8,246
TK20A60U(Q,M)

Технический лист

DTMOSII TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Ta) 10V 190mOhm @ 10A, 10V 5V @ 1mA 27 nC @ 10 V ±30V 1470 pF @ 10 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
TPC6109-H(TE85L,FM

TPC6109-H(TE85L,FM

MOSFET P-CH 30V 5A VS-6

Toshiba Semiconductor and Storage

7,807
TPC6109-H(TE85L,FM

Технический лист

U-MOSIII-H SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5A (Ta) 4.5V, 10V 59mOhm @ 2.5A, 10V 1.2V @ 200µA 12.3 nC @ 10 V ±20V 490 pF @ 10 V - 700mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
IRF1018ESLPBF

IRF1018ESLPBF

MOSFET N-CH 60V 79A TO262

Infineon Technologies

4,297
IRF1018ESLPBF

Технический лист

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 79A (Tc) 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V 4V @ 100µA 69 nC @ 10 V ±20V 2290 pF @ 50 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
64-2105PBF

64-2105PBF

MOSFET N-CH 40V 75A TO262

Infineon Technologies

4,064
64-2105PBF

Технический лист

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 4340 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFP4410ZPBF

IRFP4410ZPBF

MOSFET N-CH 100V 97A TO247AC

Infineon Technologies

5,431
IRFP4410ZPBF

Технический лист

HEXFET® TO-247-3 Bag Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 97A (Tc) 10V 9mOhm @ 58A, 10V 4V @ 150µA 120 nC @ 10 V ±20V 4820 pF @ 50 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRFS4410ZPBF

IRFS4410ZPBF

MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK

Infineon Technologies

4,964
IRFS4410ZPBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 97A (Tc) 10V 9mOhm @ 58A, 10V 4V @ 150µA 120 nC @ 10 V ±20V 4820 pF @ 50 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFSL3607PBF

IRFSL3607PBF

MOSFET N-CH 75V 80A TO262

Infineon Technologies

6,527
IRFSL3607PBF

Технический лист

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 80A (Tc) 10V 9mOhm @ 46A, 10V 4V @ 100µA 84 nC @ 10 V ±20V 3070 pF @ 50 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFSL3806PBF

IRFSL3806PBF

MOSFET N-CH 60V 43A TO262

Infineon Technologies

7,745
IRFSL3806PBF

Технический лист

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 43A (Tc) 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V 4V @ 50µA 30 nC @ 10 V ±20V 1150 pF @ 50 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFSL4227PBF

IRFSL4227PBF

MOSFET N-CH 200V 62A TO262

Infineon Technologies

9,142
IRFSL4227PBF

Технический лист

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 62A (Tc) 10V 26mOhm @ 46A, 10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±30V 4600 pF @ 25 V - 330W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFSL4310ZPBF

IRFSL4310ZPBF

MOSFET N-CH 100V 120A TO262

Infineon Technologies

4,474
IRFSL4310ZPBF

Технический лист

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 6mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V 6860 pF @ 50 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.