Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.
EASTECH Electronics

Доступно 24/7 по

+86 13632816717
EASTECH Electronics EASTECH Electronics

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IRF6215LPBF

IRF6215LPBF

MOSFET P-CH 150V 13A TO262

Infineon Technologies

6,672
IRF6215LPBF

Технический лист

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 13A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
AUXAKF1405ZS-7P

AUXAKF1405ZS-7P

MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

Infineon Technologies

8,822
AUXAKF1405ZS-7P

Технический лист

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 120A (Tc) 10V 4.9mOhm @ 88A, 10V 4V @ 150µA 230 nC @ 10 V ±20V 5360 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
IRFSL38N20DPBF

IRFSL38N20DPBF

MOSFET N-CH 200V 43A TO262

Infineon Technologies

6,095
IRFSL38N20DPBF

Технический лист

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 43A (Tc) - 54mOhm @ 26A, 10V 5V @ 250µA 91 nC @ 10 V - 2900 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-262
IRFR3806PBF

IRFR3806PBF

MOSFET N-CH 60V 43A DPAK

Infineon Technologies

2,010
IRFR3806PBF

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 43A (Tc) 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V 4V @ 50µA 30 nC @ 10 V ±20V 1150 pF @ 50 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFSL4310PBF

IRFSL4310PBF

MOSFET N-CH 100V 130A TO262

Infineon Technologies

5,765
IRFSL4310PBF

Технический лист

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 130A (Tc) 10V 7mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 250 nC @ 10 V ±20V 7670 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFR1018EPBF

IRFR1018EPBF

MOSFET N-CH 60V 56A DPAK

Infineon Technologies

4,795
IRFR1018EPBF

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 56A (Tc) 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V 4V @ 100µA 69 nC @ 10 V ±20V 2290 pF @ 50 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFS4229PBF

IRFS4229PBF

MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK

Infineon Technologies

4,680
IRFS4229PBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 45A (Tc) 10V 48mOhm @ 26A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V 4560 pF @ 25 V - 330W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFS3607PBF

IRFS3607PBF

MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK

Infineon Technologies

7,016
IRFS3607PBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 80A (Tc) 10V 9mOhm @ 46A, 10V 4V @ 100µA 84 nC @ 10 V ±20V 3070 pF @ 50 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRL3715STRLPBF

IRL3715STRLPBF

MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK

Infineon Technologies

3,039
IRL3715STRLPBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 54A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 26A, 10V 3V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1060 pF @ 10 V - 3.8W (Ta), 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF520NSTRLPBF

IRF520NSTRLPBF

MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

Infineon Technologies

8,147
IRF520NSTRLPBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.7A (Tc) 10V 200mOhm @ 5.7A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 330 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRL3102STRLPBF

IRL3102STRLPBF

MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK

Infineon Technologies

5,621
IRL3102STRLPBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 61A (Tc) 4.5V, 7V 13mOhm @ 37A, 7V 700mV @ 250µA (Min) 58 nC @ 4.5 V ±10V 2500 pF @ 15 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRL5602STRLPBF

IRL5602STRLPBF

MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

Infineon Technologies

9,663
IRL5602STRLPBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 24A (Tc) 2.5V, 4.5V 42mOhm @ 12A, 4.5V 1V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±8V 1460 pF @ 15 V - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF3707STRLPBF

IRF3707STRLPBF

MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK

Infineon Technologies

5,454
IRF3707STRLPBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 62A (Tc) 4.5V, 10V 12.5mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±20V 1990 pF @ 15 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF5800TRPBF

IRF5800TRPBF

MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6

Infineon Technologies

4,281
IRF5800TRPBF

Технический лист

HEXFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4A (Ta) 4.5V, 10V 85mOhm @ 4A, 10V 1V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 535 pF @ 25 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
IRLR4343TRPBF

IRLR4343TRPBF

MOSFET N-CH 55V 26A DPAK

Infineon Technologies

3,041
IRLR4343TRPBF

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 26A (Tc) 4.5V, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V 1V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V 740 pF @ 50 V - 79W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRF5804TRPBF

IRF5804TRPBF

MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6

Infineon Technologies

8,365
IRF5804TRPBF

Технический лист

HEXFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 2.5A (Ta) 4.5V, 10V 198mOhm @ 2.5A, 10V 3V @ 250µA 8.5 nC @ 10 V ±20V 680 pF @ 25 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
IRF3709STRLPBF

IRF3709STRLPBF

MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK

Infineon Technologies

6,703
IRF3709STRLPBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 41 nC @ 5 V ±20V 2672 pF @ 16 V - 3.1W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRL3502STRLPBF

IRL3502STRLPBF

MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK

Infineon Technologies

6,418
IRL3502STRLPBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 110A (Tc) 4.5V, 7V 7mOhm @ 64A, 7V 700mV @ 250µA (Min) 110 nC @ 4.5 V ±10V 4700 pF @ 15 V - 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF3315STRLPBF

IRF3315STRLPBF

MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

Infineon Technologies

9,984
IRF3315STRLPBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 21A (Tc) 10V 82mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFS17N20DTRLP

IRFS17N20DTRLP

MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK

Infineon Technologies

4,667
IRFS17N20DTRLP

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 16A (Tc) 10V 170mOhm @ 9.8A, 10V 5.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.