Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.
EASTECH Electronics

Доступно 24/7 по

+86 13632816717
EASTECH Electronics EASTECH Electronics

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IRFR3412TRLPBF

IRFR3412TRLPBF

MOSFET N-CH 100V 48A DPAK

Infineon Technologies

3,588
IRFR3412TRLPBF

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 48A (Tc) 10V 25mOhm @ 29A, 10V 5.5V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±20V 3430 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFR3412TRRPBF

IRFR3412TRRPBF

MOSFET N-CH 100V 48A DPAK

Infineon Technologies

4,061
IRFR3412TRRPBF

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 48A (Tc) 10V 25mOhm @ 29A, 10V 5.5V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±20V 3430 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFR4104TRRPBF

IRFR4104TRRPBF

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

Infineon Technologies

7,541
IRFR4104TRRPBF

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 42A (Tc) 10V 5.5mOhm @ 42A, 10V 4V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±20V 2950 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRLR2905TRRPBF

IRLR2905TRRPBF

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

Infineon Technologies

7,525
IRLR2905TRRPBF

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) 4V, 10V 27mOhm @ 25A, 10V 2V @ 250µA 48 nC @ 5 V ±16V 1700 pF @ 25 V - 110W (Tc) - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFR1205TRLPBF

IRFR1205TRLPBF

MOSFET N-CH 55V 44A DPAK

Infineon Technologies

4,999
IRFR1205TRLPBF

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 44A (Tc) 10V 27mOhm @ 26A, 10V 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFR3710ZTRRPBF

IRFR3710ZTRRPBF

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

Infineon Technologies

8,422
IRFR3710ZTRRPBF

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 42A (Tc) 10V 18mOhm @ 33A, 10V 4V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 2930 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
FDP26N40

FDP26N40

MOSFET N-CH 400V 26A TO220-3

onsemi

9,114
FDP26N40

Технический лист

UniFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 26A (Tc) 10V 160mOhm @ 13A, 10V 5V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±30V 3185 pF @ 25 V - 265W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
FDP5N50

FDP5N50

MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3

onsemi

2,306
FDP5N50

Технический лист

UniFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2.5A, 10V 5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±30V 640 pF @ 25 V - 85W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
MTM981400BBF

MTM981400BBF

MOSFET P-CH 40V 7A SO8-F1-B

Panasonic Electronic Components

6,186
MTM981400BBF

Технический лист

- 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 7A (Ta) 4.5V, 10V 25mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA - ±20V 2700 pF @ 10 V - 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SO8-F1-B
MTM761100LBF

MTM761100LBF

MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6

Panasonic Electronic Components

6,014
MTM761100LBF

Технический лист

- 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 4A (Ta) 1.8V, 4V 42mOhm @ 1A, 4V 1V @ 1mA - ±8V 1200 pF @ 10 V - 700mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount WSMini6-F1-B
MTM861270LBF

MTM861270LBF

MOSFET P-CH 20V 2A WSSMINI6-F1

Panasonic Electronic Components

9,510
MTM861270LBF

Технический лист

- 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2A (Ta) 1.8V, 4V 120mOhm @ 1A, 4V 1.1V @ 1mA - ±10V 300 pF @ 10 V - 540mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount WSSMini6-F1
MTM862270LBF

MTM862270LBF

MOSFET N-CH 20V 2.2A WSSMINI6-F1

Panasonic Electronic Components

3,510
MTM862270LBF

Технический лист

- 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.2A (Ta) 1.8V, 4V 105mOhm @ 1A, 4V 1.3V @ 1mA - ±10V 280 pF @ 10 V - 540mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount WSSMini6-F1
MTM761230LBF

MTM761230LBF

MOSFET P-CH 20V 3A WSMINI6

Panasonic Electronic Components

3,019
MTM761230LBF

Технический лист

- 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3A (Ta) 2.5V, 4V 55mOhm @ 1A, 4V 1.3V @ 1mA - ±10V 1000 pF @ 10 V - 700mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount WSMini6-F1-B
STB12NM60N-1

STB12NM60N-1

MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

STMicroelectronics

2,566
STB12NM60N-1

Технический лист

MDmesh™ II TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 410mOhm @ 5A, 10V 4V @ 250µA 30.5 nC @ 10 V ±25V 960 pF @ 50 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
STB15NM60N

STB15NM60N

MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK

STMicroelectronics

9,775
STB15NM60N

Технический лист

MDmesh™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 14A (Tc) 10V 299mOhm @ 7A, 10V 4V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±25V 1250 pF @ 50 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
STB50NF25

STB50NF25

MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK

STMicroelectronics

7,176
STB50NF25

Технический лист

STripFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 45A (Tc) 10V 69mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 68.2 nC @ 10 V ±20V 2670 pF @ 25 V - 160W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
STD60N3LH5

STD60N3LH5

MOSFET N-CH 30V 48A DPAK

STMicroelectronics

4,558
STD60N3LH5

Технический лист

STripFET™ V TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 48A (Tc) 5V, 10V 8mOhm @ 24A, 10V 3V @ 250µA 8.8 nC @ 5 V ±20V 1350 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
STD9NM50N-1

STD9NM50N-1

MOSFET N-CH 500V 5A IPAK

STMicroelectronics

7,261
STD9NM50N-1

Технический лист

MDmesh™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 10V 560mOhm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±25V 570 pF @ 50 V - 70W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
STF16NM50N

STF16NM50N

MOSFET N-CH 500V 15A TO220FP

STMicroelectronics

4,632
STF16NM50N

Технический лист

MDmesh™ II TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 15A (Tc) 10V 260mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±25V 1200 pF @ 50 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
STI16NM50N

STI16NM50N

MOSFET N-CH 500V 15A I2PAK

STMicroelectronics

7,379
STI16NM50N

Технический лист

MDmesh™ II TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 15A (Tc) 10V 260mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±25V 1200 pF @ 50 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.