Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IXTQ30N50P

IXTQ30N50P

MOSFET N-CH 500V 30A TO3P

Littelfuse Inc.

4,949
IXTQ30N50P

Технический лист

Polar TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 30A (Tc) 10V 200mOhm @ 15A, 10V 5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±30V 4150 pF @ 25 V - 460W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
IXFH80N10

IXFH80N10

MOSFET N-CH 100V 80A TO247AD

IXYS

2,336

-

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 80A (Tc) 10V 12.5mOhm @ 40A, 10V 4V @ 4mA 180 nC @ 10 V ±20V 4800 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFH22N55

IXFH22N55

MOSFET N-CH 550V 22A TO247AD

IXYS

2,834
IXFH22N55

Технический лист

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 22A (Tc) 10V 270mOhm @ 11A, 10V 4.5V @ 4mA 170 nC @ 10 V ±20V 4200 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXTC75N10

IXTC75N10

MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220

IXYS

5,161
IXTC75N10

Технический лист

MegaMOS™ ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 72A (Tc) 10V 20mOhm @ 37.5A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS220™
SIHG61N65EF-GE3

SIHG61N65EF-GE3

MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC

Vishay Siliconix

7,304
SIHG61N65EF-GE3

Технический лист

E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 64A (Tc) 10V 47mOhm @ 30.5A, 10V 4V @ 250µA 371 nC @ 10 V ±30V 7407 pF @ 100 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
SIHW61N65EF-GE3

SIHW61N65EF-GE3

MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD

Vishay Siliconix

3,037
SIHW61N65EF-GE3

Технический лист

E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 64A (Tc) 10V 47mOhm @ 30.5A, 10V 4V @ 250µA 371 nC @ 10 V ±30V 7407 pF @ 100 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
R6020FNX

R6020FNX

MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

Rohm Semiconductor

7,272
R6020FNX

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 250mOhm @ 10A, 10V 5V @ 1mA 65 nC @ 10 V ±30V 2040 pF @ 25 V - 50W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
APT5020SVRG

APT5020SVRG

MOSFET N-CH 500V 26A D3PAK

Microsemi Corporation

9,251

-

POWER MOS V® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 26A (Tc) 10V 200mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 225 nC @ 10 V - 4440 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount D3PAK
IRFP350LC

IRFP350LC

MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3

Vishay Siliconix

6,441

-

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 16A (Tc) 10V 300mOhm @ 9.6A, 10V 4V @ 250µA 76 nC @ 10 V ±30V 2200 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IXFR24N80P

IXFR24N80P

MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247

Littelfuse Inc.

2,449
IXFR24N80P

Технический лист

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 13A (Tc) 10V 420mOhm @ 12A, 10V 5V @ 4mA 105 nC @ 10 V ±30V 7200 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
IRLMS5703TR

IRLMS5703TR

MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP

Infineon Technologies

6,925
IRLMS5703TR

Технический лист

- SOT-23-6 Cut Tape (CT) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 2.3A (Ta) - 200mOhm @ 1.6A, 10V 1V @ 250µA 11 nC @ 10 V - 170 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount Micro6™(SOT23-6)
WNSCM80120WQ

WNSCM80120WQ

WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARK

WeEn Semiconductors

9,278

-

- TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 42A (Ta) 20V 98mOhm @ 20A, 20V 4.5V @ 6mA 59 nC @ 20 V +25V, -10V 1350 pF @ 1000 V - 230W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
WNSCM80120RQ

WNSCM80120RQ

WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MA

WeEn Semiconductors

7,616

-

- TO-247-4 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 45A (Ta) 20V 98mOhm @ 20A, 20V 4.5V @ 6mA 59 nC @ 20 V +25V, -10V 1350 pF @ 1000 V - 270W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
IXTK128N15

IXTK128N15

MOSFET N-CH 150V 128A TO264

IXYS

8,246

-

MegaMOS™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 128A (Tc) 10V 15mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 6000 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXTK)
IXTK80N25

IXTK80N25

MOSFET N-CH 250V 80A TO264

IXYS

8,384

-

MegaMOS™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 80A (Tc) 10V 33mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 6000 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXTK)
IGT60R190D1SATMA1

IGT60R190D1SATMA1

GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF

Infineon Technologies

7,183
IGT60R190D1SATMA1

Технический лист

CoolGaN™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 12.5A (Tc) - - 1.6V @ 960µA - -10V 157 pF @ 400 V - 55.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-3
IXTR68P20T

IXTR68P20T

MOSFET P-CH 200V 44A ISOPLUS247

IXYS

8,764
IXTR68P20T

Технический лист

- TO-247-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 44A (Tc) 10V 64mOhm @ 34A, 10V 4V @ 250µA 380 nC @ 10 V ±15V 33400 pF @ 25 V - 270W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
IRLMS6702TR

IRLMS6702TR

MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP

Infineon Technologies

4,270
IRLMS6702TR

Технический лист

- SOT-23-6 Cut Tape (CT) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.4A (Ta) - 200mOhm @ 1.6A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 8.8 nC @ 4.5 V - 210 pF @ 15 V - - - - - Surface Mount Micro6™(SOT23-6)
IXTT60N10

IXTT60N10

MOSFET N-CH 100V 60A TO268

IXYS

9,060

-

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 60A (Tc) 10V 20mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 3200 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
EPC2034

EPC2034

GANFET N-CH 200V 48A DIE

EPC

6,488
EPC2034

Технический лист

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 200 V 48A (Ta) 5V 10mOhm @ 20A, 5V 2.5V @ 7mA 8.8 nC @ 5 V +6V, -4V 950 pF @ 100 V - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.