Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
STB25NM50N

STB25NM50N

MOSFET N-CH 500V 22A D2PAK

STMicroelectronics

4,821
STB25NM50N

Технический лист

MDmesh™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 22A (Tc) 10V 140mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 84 nC @ 10 V ±25V 2565 pF @ 25 V - 160W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IXFH52N30Q

IXFH52N30Q

MOSFET N-CH 300V 52A TO247AD

IXYS

5,943
IXFH52N30Q

Технический лист

HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 52A (Tc) 10V 60mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 150 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXTT72N20

IXTT72N20

MOSFET N-CH 200V 72A TO268

IXYS

5,256

-

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 72A (Tc) 10V 33mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 4400 pF @ 25 V - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
APT5024BLLG

APT5024BLLG

MOSFET N-CH 500V 22A TO247

Microchip Technology

6,450
APT5024BLLG

Технический лист

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 22A (Tc) 10V 240mOhm @ 11A, 10V 5V @ 1mA 43 nC @ 10 V ±30V 1900 pF @ 25 V - 265W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
SCT027W65G3-4AG

SCT027W65G3-4AG

TO247-4

STMicroelectronics

6,484

-

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 60A (Tc) 15V, 18V 39.3mOhm @ 30A, 18V 4.2V @ 5mA 51 nC @ 18 V +22V, -10V 1229 pF @ 400 V - 313W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4
IXFH35N30

IXFH35N30

MOSFET N-CH 300V 35A TO247AD

IXYS

3,069

-

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 35A (Tc) 10V 100mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 200 nC @ 10 V ±20V 4800 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXTH14N80

IXTH14N80

MOSFET N-CH 800V 14A TO247

IXYS

9,895
IXTH14N80

Технический лист

MegaMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 14A (Tc) 10V 700mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
SCT2160KEC

SCT2160KEC

SICFET N-CH 1200V 22A TO247

Rohm Semiconductor

6,269
SCT2160KEC

Технический лист

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 22A (Tc) 18V 208mOhm @ 7A, 18V 4V @ 2.5mA 62 nC @ 18 V +22V, -6V 1200 pF @ 800 V - 165W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
UJ4C075023L8S

UJ4C075023L8S

750V/23MO,SICFET,G4,TOLL

Qorvo

7,659
UJ4C075023L8S

Технический лист

- 8-PowerSFN Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 64A (Tc) 12V 29mOhm @ 40A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1400 pF @ 400 V - 278W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TOLL
STWA48N60M2

STWA48N60M2

MOSFET N-CH 600V 42A TO247

STMicroelectronics

7
STWA48N60M2

Технический лист

MDmesh™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 42A (Tc) 10V 70mOhm @ 21A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±25V 3060 pF @ 100 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 Long Leads
IXFH15N80Q

IXFH15N80Q

MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD

IXYS

9,491
IXFH15N80Q

Технический лист

HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 15A (Tc) 10V 600mOhm @ 7.5A, 10V 4.5V @ 4mA 90 nC @ 10 V ±20V 4300 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
STW72N60DM6AG

STW72N60DM6AG

DISCRETE

STMicroelectronics

6,476

-

- TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 56A (Tc) 10V 42mOhm @ 28A, 10V 4.75V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±25V 4444 pF @ 100 V - 390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
IXFH36N55Q

IXFH36N55Q

MOSFET N-CH 550V 36A TO247AD

IXYS

9,908

-

HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 36A (Tc) 10V 160mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 4mA 128 nC @ 10 V ±30V 4500 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
SIHFPS40N60K-GE3

SIHFPS40N60K-GE3

POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @

Vishay Siliconix

4,112
SIHFPS40N60K-GE3

Технический лист

- TO-274AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 40A (Tc) 10V 130mOhm @ 24A, 10V 5V @ 250µA 330 nC @ 10 V ±30V 7970 pF @ 25 V - 570W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
FQA170N06

FQA170N06

MOSFET N-CH 60V 170A TO3PN

onsemi

1
FQA170N06

Технический лист

QFET® TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 170A (Tc) 10V 5.6mOhm @ 85A, 10V 4V @ 250µA 290 nC @ 10 V ±25V 9350 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PN
IXFH120N25T

IXFH120N25T

MOSFET N-CH 250V 120A TO247AD

Littelfuse Inc.

4,838
IXFH120N25T

Технический лист

HiPerFET™, Trench TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 120A (Tc) 10V 23mOhm @ 60A, 10V 5V @ 4mA 180 nC @ 10 V ±20V 11300 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFH94N30T

IXFH94N30T

MOSFET N-CH 300V 94A TO247AD

Littelfuse Inc.

9,854
IXFH94N30T

Технический лист

HiPerFET™, Trench TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 94A (Tc) 10V 36mOhm @ 47A, 10V 5V @ 4mA 190 nC @ 10 V ±20V 11400 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
APT53N60BC6

APT53N60BC6

MOSFET N-CH 600V 53A TO247

Microchip Technology

8,754
APT53N60BC6

Технический лист

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 53A (Tc) 10V 70mOhm @ 25.8A, 10V 3.5V @ 1.72mA 154 nC @ 10 V ±20V 4020 pF @ 25 V - 417W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
IXFT20N100P

IXFT20N100P

MOSFET N-CH 1000V 20A TO268

Littelfuse Inc.

4,211
IXFT20N100P

Технический лист

HiPerFET™, Polar TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 20A (Tc) 10V 570mOhm @ 10A, 10V 6.5V @ 1mA 126 nC @ 10 V ±30V 7300 pF @ 25 V - 660W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
APT5024BFLLG

APT5024BFLLG

MOSFET N-CH 500V 22A TO247

Microchip Technology

8,794
APT5024BFLLG

Технический лист

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 22A (Tc) - 240mOhm @ 11A, 10V 5V @ 1mA 43 nC @ 10 V - 1900 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.