Популярные запросы F14400 RTX2001AJC-8 GPU5V_80A 900-5G195-2250-000 MT53E1G32D2FW-046 IT:B CMPA601C025F CGHV96130F CGHV96100F2 V23101D 107A201 5CEFA9F23I7N

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
STW43N60DM2 MOSFET N-CH 600V 34A TO247 STMicroelectronics	600	-	Запрос цены	Технический лист	MDmesh™ DM2	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600 V	34A (Tc)	10V	93mOhm @ 17A, 10V	5V @ 250µA	56 nC @ 10 V	±25V	2500 pF @ 100 V	-	250W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247-3
STP310N10F7 MOSFET N CH 100V 180A TO-220 STMicroelectronics	571	-	Запрос цены	Технический лист	DeepGATE™, STripFET™ VII	TO-220-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	180A (Tc)	10V	2.7mOhm @ 60A, 10V	3.8V @ 250µA	180 nC @ 10 V	±20V	12800 pF @ 25 V	-	315W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220
SUP57N20-33-E3 MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB Vishay Siliconix	401	-	Запрос цены	Технический лист	TrenchFET®	TO-220-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	57A (Tc)	10V	33mOhm @ 30A, 10V	4V @ 250µA	130 nC @ 10 V	±20V	5100 pF @ 25 V	-	3.75W (Ta), 300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
FDP025N06 MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 onsemi	939	-	Запрос цены	Технический лист	PowerTrench®	TO-220-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	120A (Tc)	10V	2.5mOhm @ 75A, 10V	4.5V @ 250µA	226 nC @ 10 V	±20V	14885 pF @ 25 V	-	395W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220-3
TK125V65Z,LQ MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN Toshiba Semiconductor and Storage	10,000	-	Запрос цены	Технический лист	DTMOSVI	4-VSFN Exposed Pad	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	650 V	24A (Ta)	10V	125mOhm @ 12A, 10V	4V @ 1.02mA	40 nC @ 10 V	±30V	2250 pF @ 300 V	-	190W (Tc)	150°C	-	-	Surface Mount	4-DFN-EP (8x8)
STH270N8F7-6 MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK STMicroelectronics	2,814	-	Запрос цены	Технический лист	DeepGATE™, STripFET™ VII	TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80 V	180A (Tc)	10V	2.1mOhm @ 90A, 10V	4V @ 250µA	193 nC @ 10 V	±20V	13600 pF @ 50 V	-	315W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	H2PAK
STB18NM80 MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK STMicroelectronics	9,305	-	Запрос цены	Технический лист	MDmesh™	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	800 V	17A (Tc)	10V	295mOhm @ 8.5A, 10V	5V @ 250µA	70 nC @ 10 V	±25V	2070 pF @ 50 V	-	190W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-263 (D2PAK)
STH260N6F6-2 MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2 STMicroelectronics	978	-	Запрос цены	Технический лист	DeepGATE™, STripFET™ VI	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	180A (Tc)	10V	2.4mOhm @ 60A, 10V	4V @ 250µA	183 nC @ 10 V	±20V	11800 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	H2PAK-2
STF11NM80 MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP STMicroelectronics	954	-	Запрос цены	Технический лист	MDmesh™	TO-220-3 Full Pack	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	800 V	11A (Tc)	10V	400mOhm @ 5.5A, 10V	5V @ 250µA	43.6 nC @ 10 V	±30V	1630 pF @ 25 V	-	35W (Tc)	-65°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220FP
NVMFS4C01NT1G MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN onsemi	2,984	-	Запрос цены	Технический лист	-	8-PowerTDFN, 5 Leads	Tape & Reel (TR)	Not For New Designs	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	49A (Ta), 319A (Tc)	4.5V, 10V	0.9mOhm @ 30A, 10V	2.2V @ 250µA	139 nC @ 10 V	±20V	10144 pF @ 15 V	-	3.84W (Ta), 161W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Automotive	AEC-Q101	Surface Mount	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
IXFA22N65X2 MOSFET N-CH 650V 22A TO263 Littelfuse Inc.	548	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™, Ultra X2	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	650 V	22A (Tc)	10V	160mOhm @ 11A, 10V	5.5V @ 1.5mA	38 nC @ 10 V	±30V	2310 pF @ 25 V	-	390W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-263HV
IRFP048PBF MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3 Vishay Siliconix	392	-	Запрос цены	-	-	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	70A (Tc)	10V	18mOhm @ 44A, 10V	4V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	2400 pF @ 25 V	-	190W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247AC
IPB011N04LGATMA1 MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 Infineon Technologies	2,111	-	Запрос цены	Технический лист	OptiMOS™	TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40 V	180A (Tc)	4.5V, 10V	1.1mOhm @ 100A, 10V	2V @ 200µA	346 nC @ 10 V	±20V	29000 pF @ 20 V	-	250W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	PG-TO263-7-3
FCH104N60F MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 onsemi	760	-	Запрос цены	Технический лист	HiPerFET™, Polar™	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600 V	37A (Tc)	10V	104mOhm @ 18.5A, 10V	5V @ 250µA	139 nC @ 10 V	±20V	5950 pF @ 100 V	-	357W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247-3
FCB125N65S3 MOSFET N-CH 650V 24A TO263 onsemi	568	-	Запрос цены	Технический лист	SuperFET® III	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	650 V	24A (Tc)	10V	125mOhm @ 12A, 10V	4.5V @ 590µA	46 nC @ 10 V	±30V	1940 pF @ 400 V	-	181W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-263 (D2PAK)
FCPF125N65S3 MOSFET N-CH 650V 24A TO220F onsemi	534	-	Запрос цены	Технический лист	SuperFET® III	TO-220-3 Full Pack	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	650 V	24A (Tc)	10V	125mOhm @ 12A, 10V	4.5V @ 2.4mA	44 nC @ 10 V	±30V	1790 pF @ 400 V	-	38W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220F
STP315N10F7 MOSFET N-CH 100V 180A TO220 STMicroelectronics	778	-	Запрос цены	Технический лист	DeepGATE™, STripFET™ VII	TO-220-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	180A (Tc)	10V	2.7mOhm @ 60A, 10V	4.5V @ 250µA	180 nC @ 10 V	±20V	12800 pF @ 25 V	-	315W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Automotive	AEC-Q101	Through Hole	TO-220
FDH3632 MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO247-3 onsemi	604	-	Запрос цены	Технический лист	PowerTrench®	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	12A (Ta), 80A (Tc)	6V, 10V	9mOhm @ 80A, 10V	4V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	6000 pF @ 25 V	-	310W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-247-3
IXTA1R4N120P MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263 Littelfuse Inc.	296	-	Запрос цены	Технический лист	Polar	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1200 V	1.4A (Tc)	10V	13Ohm @ 500mA, 10V	4.5V @ 100µA	24.8 nC @ 10 V	±20V	666 pF @ 25 V	-	86W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-263AA
IPB60R125C6ATMA1 MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK Infineon Technologies	1,840	-	Запрос цены	Технический лист	CoolMOS™ C6	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Not For New Designs	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	600 V	30A (Tc)	10V	125mOhm @ 14.5A, 10V	3.5V @ 960µA	96 nC @ 10 V	±20V	2127 pF @ 100 V	-	219W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	PG-TO263-3