Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IXTP36N30P

IXTP36N30P

MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB

Littelfuse Inc.

2,358
IXTP36N30P

Технический лист

PolarHT™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 36A (Tc) 10V 110mOhm @ 18A, 10V 5.5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±30V 2250 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IXTP42N25P

IXTP42N25P

MOSFET N-CH 250V 42A TO220AB

Littelfuse Inc.

730
IXTP42N25P

Технический лист

Polar TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 42A (Tc) 10V 84mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 2300 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IXFA26N30X3

IXFA26N30X3

MOSFET N-CH 300V 26A TO263AA

Littelfuse Inc.

276
IXFA26N30X3

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X3 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 26A (Tc) 10V 66mOhm @ 13A, 10V 4.5V @ 500µA 22 nC @ 10 V ±20V 1465 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA (IXFA)
FCPF190N60E

FCPF190N60E

MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F

onsemi

1,384
FCPF190N60E

Технический лист

SuperFET® II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20.6A (Tc) 10V 190mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±20V 3175 pF @ 25 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
STP33N65M2

STP33N65M2

MOSFET N-CH 650V 24A TO220

STMicroelectronics

486
STP33N65M2

Технический лист

MDmesh™ M2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 140mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 41.5 nC @ 10 V ±25V 1790 pF @ 100 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IRFS3004TRL7PP

IRFS3004TRL7PP

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

Infineon Technologies

6,549
IRFS3004TRL7PP

Технический лист

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 1.25mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 9130 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
STP14NM50N

STP14NM50N

MOSFET N-CH 500V 12A TO220

STMicroelectronics

799
STP14NM50N

Технический лист

MDmesh™ II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 12A (Tc) 10V 320mOhm @ 6A, 10V 4V @ 100µA 27 nC @ 10 V ±25V 816 pF @ 50 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
STP22NM60N

STP22NM60N

N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A

STMicroelectronics

903
STP22NM60N

Технический лист

MDmesh™ II TO-220-3 Tube Discontinued N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Tc) 10V 220mOhm @ 8A, 10V 4V @ 100µA 44 nC @ 10 V ±30V 1300 pF @ 50 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
SIHF22N60E-GE3

SIHF22N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220

Vishay Siliconix

946
SIHF22N60E-GE3

Технический лист

E TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±30V 1920 pF @ 100 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
STP65N150M9

STP65N150M9

N-CHANNEL 650 V, 128 MOHM TYP.,

STMicroelectronics

430
STP65N150M9

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 150mOhm @ 10A, 10V 4.2V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±30V 1239 pF @ 400 V - 140W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
STP140NF75

STP140NF75

MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB

STMicroelectronics

412
STP140NF75

Технический лист

STripFET™ III TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 7.5mOhm @ 70A, 10V 4V @ 250µA 218 nC @ 10 V ±20V 5000 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
STH240N10F7-6

STH240N10F7-6

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6

STMicroelectronics

1,273
STH240N10F7-6

Технический лист

STripFET™ F7 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 2.5mOhm @ 60A, 10V 4.5V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 11550 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK-6
IPP65R125C7XKSA1

IPP65R125C7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3

Infineon Technologies

898
IPP65R125C7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ C7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 18A (Tc) 10V 125mOhm @ 8.9A, 10V 4V @ 440µA 35 nC @ 10 V ±20V 1670 pF @ 400 V - 101W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
FDP045N10A-F102

FDP045N10A-F102

MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3

onsemi

281
FDP045N10A-F102

Технический лист

PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 74 nC @ 10 V ±20V 5270 pF @ 50 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IXTP160N10T

IXTP160N10T

MOSFET N-CH 100V 160A TO220AB

Littelfuse Inc.

1,853
IXTP160N10T

Технический лист

Trench TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 160A (Tc) 10V 7mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 250µA 132 nC @ 10 V ±30V 6600 pF @ 25 V - 430W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
FQPF9N90CT

FQPF9N90CT

MOSFET N-CH 900V 8A TO220F

onsemi

1,170
FQPF9N90CT

Технический лист

QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 8A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 4A, 10V 5V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±30V 2730 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
STP33N60M2

STP33N60M2

MOSFET N-CH 600V 26A TO220

STMicroelectronics

596
STP33N60M2

Технический лист

MDmesh™ II Plus TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 26A (Tc) 10V 125mOhm @ 13A, 10V 4V @ 250µA 45.5 nC @ 10 V ±25V 1781 pF @ 100 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IPP65R110CFD7XKSA1

IPP65R110CFD7XKSA1

HIGH POWER_NEW

Infineon Technologies

474
IPP65R110CFD7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ CFD7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22A (Tc) 10V 110mOhm @ 9.7A, 10V 4.5V @ 480µA 41 nC @ 10 V ±20V 1942 pF @ 400 V - 114W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
FDPF045N10A

FDPF045N10A

MOSFET N-CH 100V 67A TO220F

onsemi

654
FDPF045N10A

Технический лист

PowerTrench® TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 67A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 67A, 10V 4V @ 250µA 74 nC @ 10 V ±20V 5270 pF @ 50 V - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
IPP100N12S305AKSA1

IPP100N12S305AKSA1

MOSFET N-CHANNEL_100+

Infineon Technologies

6,390
IPP100N12S305AKSA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 100A (Tc) 10V 5.1mOhm @ 100A, 10V 4V @ 240µA 185 nC @ 10 V ±20V 11570 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO220-3-1
Total 36322 Record«Prev1... 8889909192939495...1817Next»

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.