Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
R6050JNZ4C13

R6050JNZ4C13

MOSFET N-CH 600V 50A TO247G

Rohm Semiconductor

531
R6050JNZ4C13

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 50A (Tc) 15V 83mOhm @ 25A, 15V 7V @ 5mA 120 nC @ 15 V ±30V 4500 pF @ 100 V - 615W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
IXFK32N100X

IXFK32N100X

MOSFET N-CH 1000V 32A TO264

Littelfuse Inc.

215
IXFK32N100X

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 32A (Tc) 10V 220mOhm @ 16A, 10V 6V @ 4mA 130 nC @ 10 V ±30V 4075 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264
IXFH24N90P

IXFH24N90P

MOSFET N-CH 900V 24A TO247AD

Littelfuse Inc.

128
IXFH24N90P

Технический лист

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 24A (Tc) 10V 420mOhm @ 12A, 10V 6.5V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±30V 7200 pF @ 25 V - 660W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
SCT3080ALHRC11

SCT3080ALHRC11

SICFET N-CH 650V 30A TO247N

Rohm Semiconductor

448
SCT3080ALHRC11

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 30A (Tc) 18V 104mOhm @ 10A, 18V 5.6V @ 5mA 48 nC @ 18 V +22V, -4V 571 pF @ 500 V - 134W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
IXFH80N65X2-4

IXFH80N65X2-4

MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L

Littelfuse Inc.

120
IXFH80N65X2-4

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X2 TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 80A (Tc) 10V 38mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 140 nC @ 10 V ±30V 8300 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
STWA75N60DM6

STWA75N60DM6

MOSFET N-CH 600V 72A TO247

STMicroelectronics

361
STWA75N60DM6

Технический лист

MDmesh™ DM6 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 72A (Tc) - - - - ±25V - - - - - - Through Hole TO-247 Long Leads
R6077VNZ4C13

R6077VNZ4C13

600V 77A TO-247, PRESTOMOS WITH

Rohm Semiconductor

1,148
R6077VNZ4C13

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 77A (Tc) 10V, 15V 51mOhm @ 23A, 15V 6.5V @ 1.9mA 108 nC @ 10 V ±30V 5200 pF @ 100 V - 781W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
STFW69N65M5

STFW69N65M5

MOSFET N-CH 650V 58A ISOWATT

STMicroelectronics

145
STFW69N65M5

Технический лист

MDmesh™ V TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 58A (Tc) 10V 45mOhm @ 29A, 10V 5V @ 250µA 143 nC @ 10 V ±25V 6420 pF @ 100 V - 79W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
STWA40N90K5

STWA40N90K5

MOSFET N-CH 900V 40A TO247

STMicroelectronics

596
STWA40N90K5

Технический лист

MDmesh™ K5 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 40A (Tc) 10V 99mOhm @ 20A, 10V 5V @ 100µA 89 nC @ 10 V ±30V 3260 pF @ 100 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 Long Leads
SCT4045DEC11

SCT4045DEC11

750V, 45M, 3-PIN THD, TRENCH-STR

Rohm Semiconductor

4,201
SCT4045DEC11

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 34A (Tc) 18V 59mOhm @ 17A, 18V 4.8V @ 8.89mA 63 nC @ 18 V +21V, -4V 14600 pF @ 500 V - 115W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
R6076ENZ4C13

R6076ENZ4C13

MOSFET N-CH 600V 76A TO247

Rohm Semiconductor

463
R6076ENZ4C13

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 76A (Tc) 10V 42mOhm @ 44.4A, 10V 4V @ 1mA 260 nC @ 10 V ±20V 6500 pF @ 25 V - 735W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
IXTX120N65X2

IXTX120N65X2

MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3

Littelfuse Inc.

282
IXTX120N65X2

Технический лист

Ultra X2 TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 120A (Tc) 10V 24mOhm @ 60A, 10V 4.5V @ 8mA 240 nC @ 10 V ±30V 13600 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXKH70N60C5

IXKH70N60C5

MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD

Littelfuse Inc.

284
IXKH70N60C5

Технический лист

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 70A (Tc) 10V 45mOhm @ 44A, 10V 3.5V @ 3mA 190 nC @ 10 V ±20V 6800 pF @ 100 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IXFH70N65X3

IXFH70N65X3

MOSFET 70A 650V X3 TO247

Littelfuse Inc.

300
IXFH70N65X3

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X3 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 70A (Tc) 10V 44mOhm @ 35A, 10V 5.2V @ 4mA 66 nC @ 10 V ±20V 4600 pF @ 25 V - 780W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXFH)
IXTT12N150

IXTT12N150

MOSFET N-CH 1500V 12A TO268

Littelfuse Inc.

213
IXTT12N150

Технический лист

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1500 V 12A (Tc) 10V 2Ohm @ 6A, 10V 4.5V @ 250µA 106 nC @ 10 V ±30V 3720 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXTH04N300P3HV

IXTH04N300P3HV

MOSFET N-CH 3000V 400MA TO247HV

Littelfuse Inc.

120
IXTH04N300P3HV

Технический лист

Polar P3™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3000 V 400mA (Tc) 10V 190Ohm @ 200mA, 10V 4V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V 283 pF @ 25 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247HV
R6576ENZ4C13

R6576ENZ4C13

650V 76A TO-247, LOW-NOISE POWER

Rohm Semiconductor

548
R6576ENZ4C13

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 76A (Ta) 10V 46mOhm @ 44.4A, 10V 4V @ 2.96mA 260 nC @ 10 V ±20V 6500 pF @ 25 V - 735W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
IXFH12N120P

IXFH12N120P

MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD

IXYS

298
IXFH12N120P

Технический лист

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 12A (Tc) 10V 1.35Ohm @ 500mA, 10V 6.5V @ 1mA 103 nC @ 10 V ±30V 5400 pF @ 25 V - 543W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
SCTL35N65G2V

SCTL35N65G2V

TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV

STMicroelectronics

5,941
SCTL35N65G2V

Технический лист

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 40A (Tc) - 67mOhm @ 20A, 20V 5V @ 1mA 73 nC @ 20 V +22V, -10V 1370 pF @ 400 V - 417W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
R6576KNZ4C13

R6576KNZ4C13

650V 76A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

Rohm Semiconductor

300
R6576KNZ4C13

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 76A (Tc) 10V 46mOhm @ 44.4A, 10V 5V @ 2.96mA 165 nC @ 10 V ±20V 7400 pF @ 25 V - 735W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
Total 36322 Record«Prev1... 205206207208209210211212...1817Next»

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.