Популярные запросы BT-3G-S BC107 MT41K128M16JT-125:K MT41K256M16TW-107:P K4F8E3S4HD-MGCL KLM4G1FETE-B041 3051 HMCG94MEBQA121N MT53E256M16D1DS-046 AIT:B M323R1GA3PB0-CWM

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

FET, MOSFET

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип полевого транзистора	Технология	Напряжение сток-исток (Vdss)	Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс.) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Vgs (макс.)	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Характеристика FET	Рассеиваемая мощность (макс.)	Рабочая температура	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
AUIRFS3004-7P MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 Infineon Technologies	7,641	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40 V	240A (Tc)	10V	1.25mOhm @ 195A, 10V	4V @ 250µA	240 nC @ 10 V	±20V	9130 pF @ 25 V	-	380W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	PG-TO263-7
AUIRFS3107-7P MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK Infineon Technologies	2,880	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75 V	240A (Tc)	10V	2.6mOhm @ 160A, 10V	4V @ 250µA	240 nC @ 10 V	±20V	9200 pF @ 50 V	-	370W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK (7-Lead)
AUIRFS3206 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Infineon Technologies	5,479	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	120A (Tc)	10V	3mOhm @ 75A, 10V	4V @ 150µA	170 nC @ 10 V	±20V	6540 pF @ 50 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
AUIRFS3207Z MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Infineon Technologies	8,754	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75 V	120A (Tc)	10V	4.1mOhm @ 75A, 10V	4V @ 150µA	170 nC @ 10 V	±20V	6920 pF @ 50 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
AUIRFS4010 MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK Infineon Technologies	9,335	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	180A (Tc)	10V	4.7mOhm @ 106A, 10V	4V @ 250µA	215 nC @ 10 V	±20V	9575 pF @ 50 V	-	375W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	PG-TO263-3
AUIRFS4010-7P MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK Infineon Technologies	2,414	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	190A (Tc)	10V	4mOhm @ 110A, 10V	4V @ 250µA	230 nC @ 10 V	±20V	9830 pF @ 50 V	-	380W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK (7-Lead)
AUIRFS4310Z MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Infineon Technologies	6,067	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	120A (Tc)	10V	6mOhm @ 75A, 10V	4V @ 150µA	170 nC @ 10 V	±20V	6860 pF @ 50 V	-	250W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
AUIRFS4410Z MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Infineon Technologies	5,090	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	97A (Tc)	10V	9mOhm @ 58A, 10V	4V @ 150µA	120 nC @ 10 V	±20V	4820 pF @ 50 V	-	230W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	PG-TO263-3
AUIRFU1010Z MOSFET N-CH 55V 91A TO262 Infineon Technologies	5,252	-	Запрос цены	Технический лист	-	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Obsolete	-	-	-	42A (Tc)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Through Hole	TO-262
AUIRFZ24NS MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Infineon Technologies	8,988	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	17A (Tc)	10V	70mOhm @ 10A, 10V	4V @ 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	370 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
AUIRFZ34N MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB Infineon Technologies	3,184	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	29A (Tc)	10V	40mOhm @ 16A, 10V	4V @ 250µA	34 nC @ 10 V	±20V	700 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
AUIRFZ44N MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB Infineon Technologies	2,958	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	49A (Tc)	10V	17.5mOhm @ 25A, 10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1470 pF @ 25 V	-	94W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
AUIRFZ44NS MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK Infineon Technologies	3,237	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	49A (Tc)	10V	17.5mOhm @ 25A, 10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1470 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 94W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	D2PAK
AUIRFZ46NL MOSFET N-CH 55V 39A TO262 Infineon Technologies	5,311	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	39A (Tc)	10V	16.5mOhm @ 28A, 10V	4V @ 250µA	72 nC @ 10 V	±20V	1696 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 107W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-262
AUIRL2203N MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB Infineon Technologies	6,847	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-220-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	75A (Tc)	4.5V, 10V	7mOhm @ 60A, 10V	1V @ 250µA	60 nC @ 4.5 V	±16V	3290 pF @ 25 V	-	180W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Through Hole	TO-220AB
AUIRLL014N MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223 Infineon Technologies	8,304	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-261-4, TO-261AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	2A (Ta)	4V, 10V	140mOhm @ 2A, 10V	2V @ 250µA	14 nC @ 10 V	±16V	230 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	SOT-223
AUIRLL024N MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-223 Infineon Technologies	2,976	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-261-4, TO-261AA	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	3.1A (Ta)	4V, 10V	65mOhm @ 3.1A, 10V	2V @ 250µA	15.6 nC @ 5 V	±16V	510 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Surface Mount	SOT-223
AUIRLR014N MOSFET N-CH 55V 10A DPAK Infineon Technologies	3,969	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	55 V	10A (Tc)	4.5V, 10V	140mOhm @ 6A, 10V	3V @ 250µA	7.9 nC @ 5 V	±16V	265 pF @ 25 V	-	28W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
AUIRLR120N MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Infineon Technologies	8,918	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	10A (Tc)	4V, 10V	185mOhm @ 6A, 10V	2V @ 250µA	20 nC @ 5 V	±16V	440 pF @ 25 V	-	48W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)
AUIRLR2908 MOSFET N-CH 80V 30A DPAK Infineon Technologies	6,683	-	Запрос цены	Технический лист	HEXFET®	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	80 V	30A (Tc)	4.5V, 10V	28mOhm @ 23A, 10V	2.5V @ 250µA	33 nC @ 4.5 V	±16V	1890 pF @ 25 V	-	120W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)