Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
AUIRF7478Q

AUIRF7478Q

MOSFET N-CH 60V 7A 8SO

Infineon Technologies

8,305
AUIRF7478Q

Технический лист

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7A (Ta) 4.5V, 10V 26mOhm @ 4.2A, 10V 3V @ 250µA 31 nC @ 4.5 V ±20V 1740 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
AUIRF9540N

AUIRF9540N

MOSFET P-CH 100V 23A TO220

Infineon Technologies

8,250
AUIRF9540N

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 23A (Tc) 10V 117mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 97 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AB
AUIRF9Z34N

AUIRF9Z34N

MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB

Infineon Technologies

6,335
AUIRF9Z34N

Технический лист

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 19A (Tc) 10V 100mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AB
AUIRFL014N

AUIRFL014N

MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223

Infineon Technologies

4,927
AUIRFL014N

Технический лист

HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 1.5A (Ta) 10V 160mOhm @ 1.9A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 190 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
AUIRFL024N

AUIRFL024N

MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223

Infineon Technologies

3,628
AUIRFL024N

Технический лист

HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 2.8A (Ta) 10V 75mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 18.3 nC @ 10 V ±20V 400 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
AUIRFP064N

AUIRFP064N

MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC

Infineon Technologies

9,360
AUIRFP064N

Технический лист

HEXFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A (Tc) 10V 8mOhm @ 59A, 10V 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 4000 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
AUIRFP1405

AUIRFP1405

MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC

Infineon Technologies

9,919
AUIRFP1405

Технический лист

HEXFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 95A (Tc) 10V 5.3mOhm @ 95A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 5600 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
AUIRFP2602

AUIRFP2602

MOSFET N-CH 24V 180A TO247AD

Infineon Technologies

3,513
AUIRFP2602

Технический лист

HEXFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 180A (Tc) 10V 1.6mOhm @ 180A, 10V 4V @ 250µA 390 nC @ 10 V ±20V 11220 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
AUIRFP2907

AUIRFP2907

MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC

Infineon Technologies

9,810
AUIRFP2907

Технический лист

HEXFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 90A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 125A, 10V 4V @ 250µA 620 nC @ 10 V ±20V 13000 pF @ 25 V - 470W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
AUIRFP4004

AUIRFP4004

MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC

Infineon Technologies

4,510
AUIRFP4004

Технический лист

HEXFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 10V 1.7mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 330 nC @ 10 V ±20V 8920 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
AUIRFR024N

AUIRFR024N

MOSFET N-CH 55V 17A TO252AA

Infineon Technologies

7,122
AUIRFR024N

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 17A (Tc) 10V 75mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 370 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
AUIRFR1018E

AUIRFR1018E

MOSFET N-CH 60V 56A DPAK

Infineon Technologies

4,078
AUIRFR1018E

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 56A (Tc) 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V 4V @ 100µA 69 nC @ 10 V ±20V 2290 pF @ 50 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
AUIRFR2405

AUIRFR2405

MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

Infineon Technologies

5,028
AUIRFR2405

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 10V 16mOhm @ 34A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2430 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
AUIRFR3504

AUIRFR3504

MOSFET N-CH 40V 56A DPAK

Infineon Technologies

2,905
AUIRFR3504

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 56A (Tc) 10V 9.2mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±20V 2150 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
AUIRFR3607

AUIRFR3607

MOSFET N-CH 75V 56A DPAK

Infineon Technologies

5,440
AUIRFR3607

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 56A (Tc) 10V 9mOhm @ 46A, 10V 4V @ 100µA 84 nC @ 10 V ±20V 3070 pF @ 50 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
AUIRFR3806

AUIRFR3806

MOSFET N-CH 60V 43A DPAK

Infineon Technologies

8,488
AUIRFR3806

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 43A (Tc) 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V 4V @ 50µA 30 nC @ 10 V ±20V 1150 pF @ 50 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
AUIRFR4615

AUIRFR4615

MOSFET N-CH 150V 33A DPAK

Infineon Technologies

8,119
AUIRFR4615

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 33A (Tc) 10V 42mOhm @ 21A, 10V 5V @ 100µA 26 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 50 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
AUIRFR4620

AUIRFR4620

MOSFET N-CH 200V 24A DPAK

Infineon Technologies

5,131
AUIRFR4620

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 24A (Tc) 10V 78mOhm @ 15A, 10V 5V @ 100µA 38 nC @ 10 V ±20V 1710 pF @ 50 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
AUIRFR9024N

AUIRFR9024N

MOSFET P-CH 55V 11A DPAK

Infineon Technologies

7,300
AUIRFR9024N

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 11A (Tc) 10V 175mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
AUIRFS3004

AUIRFS3004

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK-3

Infineon Technologies

3,108
AUIRFS3004

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 10V 1.75mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 9200 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-3 (TO-263)

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.