Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IRFB4321GPBF

IRFB4321GPBF

MOSFET N-CH 150V 83A TO220AB

Infineon Technologies

8,168
IRFB4321GPBF

Технический лист

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 83A (Tc) 10V 15mOhm @ 33A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V 4460 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFB4410ZGPBF

IRFB4410ZGPBF

MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB

Infineon Technologies

7,391
IRFB4410ZGPBF

Технический лист

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 97A (Tc) 10V 9mOhm @ 58A, 10V 4V @ 150µA 120 nC @ 10 V ±20V 4820 pF @ 50 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFSL3004PBF

IRFSL3004PBF

MOSFET N-CH 40V 195A TO262

Infineon Technologies

2,450
IRFSL3004PBF

Технический лист

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Ta) 10V 1.75mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 9200 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFSL4020PBF

IRFSL4020PBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO262

Infineon Technologies

4,079
IRFSL4020PBF

Технический лист

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18A (Tc) 10V 105mOhm @ 11A, 10V 4.9V @ 100µA 29 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 50 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFSL4115PBF

IRFSL4115PBF

MOSFET N-CH 150V 195A TO262

Infineon Technologies

3,045
IRFSL4115PBF

Технический лист

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 195A (Tc) 10V 12.1mOhm @ 62A, 10V 5V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 5270 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRLSL3034PBF

IRLSL3034PBF

MOSFET N-CH 40V 195A TO262

Infineon Technologies

8,988
IRLSL3034PBF

Технический лист

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 195A, 10V 2.5V @ 250µA 162 nC @ 4.5 V ±20V 10315 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
FCPF22N60NT

FCPF22N60NT

MOSFET N-CH 600V 22A TO220F

onsemi

9,806
FCPF22N60NT

Технический лист

SupreMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 22A (Tc) 10V 165mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±45V 1950 pF @ 100 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
IXFH10N100Q

IXFH10N100Q

MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD

IXYS

4,068
IXFH10N100Q

Технический лист

HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 10A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 5A, 10V 4.5V @ 4mA 155 nC @ 10 V ±20V 4000 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFH14N100

IXFH14N100

MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD

IXYS

4,921
IXFH14N100

Технический лист

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 14A (Tc) 10V 750mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 4mA 220 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFH150N17T

IXFH150N17T

MOSFET N-CH 175V 150A TO247AD

IXYS

2,400

-

TrenchHV™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 175 V 150A (Tc) 10V 12mOhm @ 75A, 10V 5V @ 3mA 155 nC @ 10 V ±30V 9800 pF @ 25 V - 830W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFH15N100

IXFH15N100

MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD

IXYS

3,239
IXFH15N100

Технический лист

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 15A (Tc) 10V 700mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 4mA 220 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFH30N50

IXFH30N50

MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD

IXYS

6,994

-

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 30A (Tc) 10V 160mOhm @ 15A, 10V 4V @ 4mA 300 nC @ 10 V ±20V 5700 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFH30N50Q

IXFH30N50Q

MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD

IXYS

7,252
IXFH30N50Q

Технический лист

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 30A (Tc) 10V 160mOhm @ 15A, 10V 4V @ 4mA 300 nC @ 10 V ±20V 5700 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFH4N100Q

IXFH4N100Q

MOSFET N-CH 1000V 4A TO247AD

IXYS

5,282
IXFH4N100Q

Технический лист

HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 4A (Tc) 10V 3Ohm @ 2A, 10V 5V @ 1.5mA 39 nC @ 10 V ±20V 1050 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFH60N25Q

IXFH60N25Q

MOSFET N-CH 250V 60A TO247AD

IXYS

2,652

-

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 60A (Tc) 10V 47mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 180 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFH6N100Q

IXFH6N100Q

MOSFET N-CH 1000V 6A TO247AD

IXYS

3,414
IXFH6N100Q

Технический лист

HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 6A (Tc) 10V 1.9Ohm @ 3A, 10V 4.5V @ 2.5mA 48 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFH74N20

IXFH74N20

MOSFET N-CH 200V 74A TO247AD

IXYS

7,117

-

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 74A (Tc) 10V 30mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 280 nC @ 10 V ±20V 5400 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFH75N10Q

IXFH75N10Q

MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD

IXYS

7,344
IXFH75N10Q

Технический лист

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 75A (Tc) 10V 20mOhm @ 37.5A, 10V 4V @ 4mA 180 nC @ 10 V ±20V 3700 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFH80N15Q

IXFH80N15Q

MOSFET N-CH 150V 80A TO247AD

IXYS

5,367

-

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 80A (Tc) 10V 22.5mOhm @ 40A, 10V 4V @ 4mA 180 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFJ32N50Q

IXFJ32N50Q

MOSFET N-CH 500V 32A TO268

IXYS

2,805

-

HiPerFET™ TO-220-3, Short Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 32A (Tc) 10V 150mOhm @ 16A, 10V 4V @ 4mA 153 nC @ 10 V ±20V 3950 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-268

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.