Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IXFN50N80Q2

IXFN50N80Q2

MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B

IXYS

5,257
IXFN50N80Q2

Технический лист

HiPerFET™, Q2 Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 50A (Tc) 10V 160mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 8mA 260 nC @ 10 V ±30V 13500 pF @ 25 V - 1135W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXFN150N10

IXFN150N10

MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227

IXYS

4,148
IXFN150N10

Технический лист

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 150A (Tc) 10V 12mOhm @ 75A, 10V 4V @ 8mA 360 nC @ 10 V ±20V 9000 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
APT6010LLLG

APT6010LLLG

MOSFET N-CH 600V 54A TO264

Microchip Technology

2,970
APT6010LLLG

Технический лист

POWER MOS 7® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 54A (Tc) - 100mOhm @ 27A, 10V 5V @ 2.5mA 150 nC @ 10 V - 6710 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-264 [L]
IXFL38N100Q2

IXFL38N100Q2

MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264

IXYS

8,408
IXFL38N100Q2

Технический лист

HiPerFET™, Q2 Class TO-264-3, TO-264AA Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 29A (Tc) 10V 280mOhm @ 19A, 10V 5.5V @ 8mA 250 nC @ 10 V ±30V 13500 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS264™
IXFN130N30

IXFN130N30

MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B

IXYS

7,128
IXFN130N30

Технический лист

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 130A (Tc) 10V 22mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 380 nC @ 10 V ±20V 14500 pF @ 25 V - 700W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXFN80N48

IXFN80N48

MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B

IXYS

8,418

-

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 480 V 80A (Tc) 10V 45mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 380 nC @ 10 V ±20V 9890 pF @ 25 V - 700W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXFN200N07

IXFN200N07

MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B

IXYS

2,704
IXFN200N07

Технический лист

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 70 V 200A (Tc) 10V 6mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 480 nC @ 10 V ±20V 9000 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
2N6661

2N6661

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

Vishay Siliconix

2,269
2N6661

Технический лист

- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90 V 860mA (Tc) 5V, 10V 4Ohm @ 1A, 10V 2V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 725mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-39
2N6661-E3

2N6661-E3

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

Vishay Siliconix

9,232
2N6661-E3

Технический лист

- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90 V 860mA (Tc) 5V, 10V 4Ohm @ 1A, 10V 2V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 725mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-39
APT39M60J

APT39M60J

MOSFET N-CH 600V 42A ISOTOP

Microchip Technology

5,355
APT39M60J

Технический лист

POWER MOS 8™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 42A (Tc) 10V 110mOhm @ 28A, 10V 5V @ 2.5mA 280 nC @ 10 V ±30V 11300 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
STE140NF20D

STE140NF20D

MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP

STMicroelectronics

5,077
STE140NF20D

Технический лист

STripFET™ II ISOTOP Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 140A (Tc) 10V 12mOhm @ 70A, 10V 4V @ 250µA 338 nC @ 10 V ±20V 11100 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP
IXFR130N65X3

IXFR130N65X3

DISCRETE MOSFET 130A 650V X3 ISO

Littelfuse Inc.

7,322

-

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXFR140N60X3

IXFR140N60X3

DISCRETE MOSFET 140A 600V X3 ISO

Littelfuse Inc.

3,377

-

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXTX17N120L

IXTX17N120L

MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247-3

Littelfuse Inc.

8,923
IXTX17N120L

Технический лист

Linear TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 17A (Tc) 20V 900mOhm @ 8.5A, 20V 5V @ 250µA 155 nC @ 15 V ±30V 8300 pF @ 25 V - 700W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
APT20M20JLL

APT20M20JLL

MOSFET N-CH 200V 104A ISOTOP

Microchip Technology

8,484
APT20M20JLL

Технический лист

POWER MOS V® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 104A (Tc) - 20mOhm @ 52A, 10V 5V @ 2.5mA 110 nC @ 10 V - 6850 pF @ 25 V - - - - - Chassis Mount ISOTOP®
IXFB100N50P

IXFB100N50P

MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264

Littelfuse Inc.

5,652
IXFB100N50P

Технический лист

HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Discontinued N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 100A (Tc) 10V 49mOhm @ 50A, 10V 5V @ 8mA 240 nC @ 10 V ±30V 20000 pF @ 25 V - 1890W (Tc) - - - Through Hole PLUS264™
APT80SM120B

APT80SM120B

SICFET N-CH 1200V 80A TO247

Microsemi Corporation

8,807
APT80SM120B

Технический лист

- TO-247-3 Bulk Obsolete N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 80A (Tc) 20V 55mOhm @ 40A, 20V 2.5V @ 1mA 235 nC @ 20 V +25V, -10V - - 555W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
IMSQ120R012M2HHXUMA1

IMSQ120R012M2HHXUMA1

SIC DISCRETE

Infineon Technologies

9,081

-

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
APT39F60J

APT39F60J

MOSFET N-CH 600V 42A ISOTOP

Microchip Technology

8,983
APT39F60J

Технический лист

POWER MOS 8™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 42A (Tc) 10V 110mOhm @ 28A, 10V 5V @ 2.5mA 280 nC @ 10 V ±30V 11300 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
APT40SM120J

APT40SM120J

MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227

Microsemi Corporation

7,671
APT40SM120J

Технический лист

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 32A (Tc) 20V 100mOhm @ 20A, 20V 3V @ 1mA (Typ) 130 nC @ 20 V +25V, -10V 2560 pF @ 1000 V - 165W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.