Популярные запросы 900-5G153-2270-000 940-54242-0006-000 900-13448-0020-000 AK-3232L SJ61A6 LM2596SX-ADJ/J7002158 900-5G190-2270-000 RTX2001AJC-8 PPT-203222349294 MC-108-M3

Доступно 24/7 по

+86 13632816717

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Диоды > Выпрямители > Одиночные диоды

Одиночные диоды

Номер производителя	Наличие	Цена	Количество	Технический лист	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Технология	Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.)	Ток - Средний выпрямленный (Io)	Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If	Скорость	Время обратного восстановления (trr)	Ток - Обратный утечка @ Vr	Емкость @ Vr, F	Марка	Квалификация	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка	Рабочая температура - Переход
DH40-18A DIODE GEN PURP 1.8KV 40A TO247AD IXYS	406	-	Запрос цены	Технический лист	SONIC-FRD™	TO-247-2	Tube	Active	Standard	1800 V	40A	2.7 V @ 40 A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	300 ns	100 µA @ 1800 V	-	-	-	Through Hole	TO-247AD	-40°C ~ 150°C
JAN1N5819UR-1 DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB Microchip Technology	175	-	Запрос цены	Технический лист	-	DO-213AB, MELF (Glass)	Bulk	Active	Schottky	45 V	1A	490 mV @ 1 A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	50 µA @ 45 V	70pF @ 5V, 1MHz	Military	MIL-PRF-19500/586	Surface Mount	DO-213AB (MELF, LL41)	-65°C ~ 125°C
1N5809US DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF Microchip Technology	629	-	Запрос цены	Технический лист	-	SQ-MELF, B	Bulk	Active	Standard	100 V	3A	875 mV @ 4 A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	30 ns	5 µA @ 100 V	60pF @ 10V, 1MHz	-	-	Surface Mount	B, SQ-MELF	-65°C ~ 175°C
IDH20G65C5XKSA2 DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-1 Infineon Technologies	864	-	Запрос цены	Технический лист	CoolSiC™+	TO-220-2	Tube	Active	SiC (Silicon Carbide) Schottky	650 V	20A	1.7 V @ 20 A	No Recovery Time > 500mA (Io)	0 ns	210 µA @ 650 V	590pF @ 1V, 1MHz	-	-	Through Hole	PG-TO220-2-1	-55°C ~ 175°C
JANTX1N5811US DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF Microchip Technology	116	-	Запрос цены	Технический лист	-	SQ-MELF, B	Bulk	Active	Standard	150 V	3A	875 mV @ 4 A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	30 ns	5 µA @ 150 V	60pF @ 10V, 1MHz	Military	MIL-PRF-19500/477	Surface Mount	B, SQ-MELF	-65°C ~ 175°C
GD10MPS17H DIODE SIL CARB 1.7KV 26A TO247-2 GeneSiC Semiconductor	780	-	Запрос цены	Технический лист	SiC Schottky MPS™	TO-247-2	Tube	Active	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1700 V	26A	1.8 V @ 10 A	No Recovery Time > 500mA (Io)	0 ns	20 µA @ 1700 V	721pF @ 1V, 1MHz	-	-	Through Hole	TO-247-2	-55°C ~ 175°C
1N5819UR-1 DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB Microchip Technology	376	-	Запрос цены	Технический лист	-	DO-213AB, MELF (Glass)	Bulk	Active	Schottky	45 V	1A	490 mV @ 1 A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	50 µA @ 45 V	70pF @ 5V, 1MHz	-	-	Surface Mount	DO-213AB (MELF, LL41)	-65°C ~ 150°C
IDW20G65C5XKSA1 DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3 Infineon Technologies	270	-	Запрос цены	Технический лист	CoolSiC™+	TO-247-3	Tube	Active	SiC (Silicon Carbide) Schottky	650 V	20A	1.7 V @ 20 A	No Recovery Time > 500mA (Io)	0 ns	210 µA @ 650 V	590pF @ 1V, 1MHz	-	-	Through Hole	PG-TO247-3-41	-55°C ~ 175°C
1N5554 DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL Microchip Technology	218	-	Запрос цены	Технический лист	-	B, Axial	Bulk	Active	Standard	1000 V	3A	1.2 V @ 9 A	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	2 µs	1 µA @ 1000 V	-	-	-	Through Hole	B, Axial	-65°C ~ 175°C
C4D10120A DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO220-2 Wolfspeed, Inc.	469	-	Запрос цены	Технический лист	Z-Rec®	TO-220-2	Tube	Active	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1200 V	33A	1.8 V @ 10 A	No Recovery Time > 500mA (Io)	0 ns	250 µA @ 1200 V	754pF @ 0V, 1MHz	-	-	Through Hole	TO-220-2	-55°C ~ 175°C
IDH20G120C5XKSA1 DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO220-1 Infineon Technologies	974	-	Запрос цены	Технический лист	CoolSiC™+	TO-220-2	Tube	Active	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1200 V	56A	1.8 V @ 20 A	No Recovery Time > 500mA (Io)	0 ns	123 µA @ 1200 V	1050pF @ 1V, 1MHz	-	-	Through Hole	PG-TO220-2-1	-55°C ~ 175°C
IDK20G120C5XTMA1 DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO263-1 Infineon Technologies	1,079	-	Запрос цены	Технический лист	CoolSiC™+	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Active	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1200 V	56A	1.8 V @ 20 A	No Recovery Time > 500mA (Io)	-	123 µA @ 1200 V	1050pF @ 1V, 1MHz	-	-	Surface Mount	PG-TO263-2-1	-55°C ~ 175°C
STPSC20H12G-TR DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK STMicroelectronics	4,630	-	Запрос цены	Технический лист	ECOPACK®2	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Active	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1200 V	20A	1.5 V @ 20 A	No Recovery Time > 500mA (Io)	0 ns	120 µA @ 1200 V	1650pF @ 0V, 1MHz	-	-	Surface Mount	D2PAK	-40°C ~ 175°C
1N5711UR-1 DIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO213AA Microchip Technology	223	-	Запрос цены	Технический лист	-	DO-213AA	Bulk	Active	Schottky	50 V	33mA	1 V @ 15 mA	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	-	200 nA @ 50 V	2pF @ 0V, 1MHz	-	-	Surface Mount	DO-213AA	-65°C ~ 150°C
GD60MPS06H DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2 GeneSiC Semiconductor	849	-	Запрос цены	Технический лист	SiC Schottky MPS™	TO-247-2	Tube	Active	SiC (Silicon Carbide) Schottky	650 V	82A	1.8 V @ 60 A	No Recovery Time > 500mA (Io)	0 ns	10 µA @ 650 V	1463pF @ 1V, 1MHz	-	-	Through Hole	TO-247-2	-55°C ~ 175°C
STPSC20H12GY-TR DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK STMicroelectronics	1,492	-	Запрос цены	Технический лист	ECOPACK®2	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Active	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1200 V	20A	1.5 V @ 20 A	No Recovery Time > 500mA (Io)	0 ns	120 µA @ 1200 V	1650pF @ 0V, 1MHz	Automotive	AEC-Q101	Surface Mount	D2PAK	-40°C ~ 175°C
GAP3SLT33-214 DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA GeneSiC Semiconductor	6,598	-	Запрос цены	Технический лист	SiC Schottky MPS™	DO-214AA, SMB	Tape & Reel (TR)	Active	SiC (Silicon Carbide) Schottky	3300 V	300mA	2.2 V @ 300 mA	-	0 ns	10 µA @ 3300 V	42pF @ 1V, 1MHz	-	-	Surface Mount	DO-214AA	-55°C ~ 175°C
JANTX1N5711UR-1 DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA Microchip Technology	207	-	Запрос цены	Технический лист	-	DO-213AA	Bulk	Active	Schottky	70 V	33mA	1 V @ 15 mA	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	-	200 nA @ 100 V	2pF @ 0V, 1MHz	Military	MIL-PRF-19500/444	Surface Mount	DO-213AA	-65°C ~ 150°C
DSEI120-06A DIODE GEN PURP 600V 77A TO247AD IXYS	653	-	Запрос цены	Технический лист	FRED	TO-247-2	Tube	Active	Standard	600 V	77A	1.3 V @ 70 A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	50 ns	3 mA @ 600 V	-	-	-	Through Hole	TO-247AD	-40°C ~ 150°C
123SPC100A DIODE SCHOTTKY 100V 120A SPD-3A SMC Diode Solutions	1,569	-	Запрос цены	Технический лист	-	SPD-3A	Bulk	Active	Schottky	100 V	120A	870 mV @ 120 A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	2 mA @ 100 V	3000pF @ 5V, 1MHz	-	-	Surface Mount	SPD-3A	-55°C ~ 175°C