Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
STP270N8F7

STP270N8F7

MOSFET N CH 80V 180A TO220

STMicroelectronics

1,006
STP270N8F7

Технический лист

DeepGATE™, STripFET™ VII TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 180A (Tc) 10V 2.5mOhm @ 90A, 10V 4V @ 250µA 193 nC @ 10 V ±20V 13600 pF @ 50 V - 315W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
STF3NK100Z

STF3NK100Z

MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO220FP

STMicroelectronics

670
STF3NK100Z

Технический лист

SuperMESH™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 2.5A (Tc) 10V 6Ohm @ 1.25A, 10V 4.5V @ 50µA 18 nC @ 10 V ±30V 601 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
R6030JNXC7G

R6030JNXC7G

MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Rohm Semiconductor

1,573
R6030JNXC7G

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 15V 143mOhm @ 15A, 15V 7V @ 5.5mA 74 nC @ 15 V ±30V 2500 pF @ 100 V - 95W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
NP83P04PDG-E1-AY

NP83P04PDG-E1-AY

MOSFET P-CH 40V 83A TO-263

Renesas Electronics Corporation

1,418
NP83P04PDG-E1-AY

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 83A (Tc) - 5.3mOhm @ 41.5A, 10V 2.5V @ 1mA 200 nC @ 10 V - 9820 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount TO-263
IRFP3703PBF

IRFP3703PBF

MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC

Infineon Technologies

2,709
IRFP3703PBF

Технический лист

HEXFET® TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 210A (Tc) 7V, 10V 2.8mOhm @ 76A, 10V 4V @ 250µA 209 nC @ 10 V ±20V 8250 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IXTA102N15T

IXTA102N15T

MOSFET N-CH 150V 102A TO263

Littelfuse Inc.

806
IXTA102N15T

Технический лист

Trench TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 102A (Tc) 10V 18mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 1mA 87 nC @ 10 V ±20V 5220 pF @ 25 V - 455W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
STF23N80K5

STF23N80K5

MOSFET N-CH 800V 16A TO220FP

STMicroelectronics

921
STF23N80K5

Технический лист

MDmesh™ K5 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 16A (Tc) 10V 280mOhm @ 8A, 10V 5V @ 100µA 33 nC @ 10 V ±30V 1000 pF @ 100 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
IXTA14N60P

IXTA14N60P

MOSFET N-CH 600V 14A TO263

Littelfuse Inc.

194
IXTA14N60P

Технический лист

Polar TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 14A (Tc) 10V 550mOhm @ 7A, 10V 5.5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±30V 2500 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
STF26N60DM6

STF26N60DM6

MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP

STMicroelectronics

957
STF26N60DM6

Технический лист

MDmesh™ DM6 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 195mOhm @ 9A, 10V 4.75V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±25V 940 pF @ 100 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
SIHH11N60EF-T1-GE3

SIHH11N60EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8

Vishay Siliconix

1,405
SIHH11N60EF-T1-GE3

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 357mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±30V 1078 pF @ 100 V - 114W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
FCH165N60E

FCH165N60E

MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3

onsemi

313
FCH165N60E

Технический лист

SuperFET® II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23A (Tc) 10V 165mOhm @ 11.5A, 10V 3.5V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V 2434 pF @ 380 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IPL60R125C7AUMA1

IPL60R125C7AUMA1

MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON

Infineon Technologies

6,000
IPL60R125C7AUMA1

Технический лист

CoolMOS™ C7 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 17A (Tc) 10V 125mOhm @ 7.8A, 10V 4V @ 390µA 34 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 400 V - 103W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
STW23N80K5

STW23N80K5

MOSFET N-CH 800V 16A TO247

STMicroelectronics

600
STW23N80K5

Технический лист

MDmesh™ K5 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 16A (Tc) 10V 280mOhm @ 8A, 10V 5V @ 100µA 33 nC @ 10 V ±30V 1000 pF @ 100 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
STP150N10F7AG

STP150N10F7AG

N-CHANNEL 100 V STRIPFET F7 POWE

STMicroelectronics

200
STP150N10F7AG

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 110A (Tc) 10V 4.2mOhm @ 55A, 10V 4.5V @ 250µA 127 nC @ 10 V ±20V 9000 pF @ 50 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IST026N10NM5AUMA1

IST026N10NM5AUMA1

TRENCH >=100V PG-HSOF-5

Infineon Technologies

1,663
IST026N10NM5AUMA1

Технический лист

OptiMOS™ 5 5-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 27A (Ta), 248A (Tc) 6V, 10V 2.6mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 148µA 125 nC @ 10 V ±20V 6300 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 313W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-5-4
STFU15N80K5

STFU15N80K5

MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP

STMicroelectronics

1,000
STFU15N80K5

Технический лист

MDmesh™ K5 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 14A (Tc) 10V 375mOhm @ 7A, 10V 5V @ 100µA 32 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 100 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
NVHL110N65S3F

NVHL110N65S3F

MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3

onsemi

402
NVHL110N65S3F

Технический лист

SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 110mOhm @ 15A, 10V 5V @ 3mA 58 nC @ 10 V ±30V 2560 pF @ 400 V - 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
IPP60R165CPXKSA1

IPP60R165CPXKSA1

MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3

Infineon Technologies

365
IPP60R165CPXKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Tc) 10V 165mOhm @ 12A, 10V 3.5V @ 790µA 52 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 100 V - 192W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IXTP220N04T2

IXTP220N04T2

MOSFET N-CH 40V 220A TO220AB

Littelfuse Inc.

230
IXTP220N04T2

Технический лист

TrenchT2™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 220A (Tc) 10V 3.5mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 112 nC @ 10 V ±20V 6820 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
PSMN2R0-55YLHX

PSMN2R0-55YLHX

PSMN2R0-55YLH/SOT1023/4 LEADS

Nexperia USA Inc.

13,205
PSMN2R0-55YLHX

Технический лист

- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 200A (Tc) 4.5V, 10V 2.1mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 184 nC @ 10 V ±20V 11353 pF @ 27 V - 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Total 36322 Record«Prev1... 183184185186187188189190...1817Next»

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.